جستجو در انجمن

در حال نمایش نتایج برای برچسب های 'nand'.

  • جستجو بر اساس برچسب

    برچسب ها را با , از یکدیگر جدا نمایید.
  • جستجو بر اساس نویسنده

نوع محتوا


انجمن ها

  • بخش عمومی
    • مشکلات نسخه ۴ تالار گفتمان
    • قوانین فروم
    • آخرین اخبار و اطلاعیه های انجمنها و سایت
    • نظرات و پیشنهادات
    • انجمن شبکه های اجتماعی لیون کامپیوتر
    • برنامه‌های زنده‌ی لیون کامپیوتر
  • سیستمهای قدرت ( تولید , انتقال , توزیع )
  • PLC مدارات فرمان و قدرت
  • مقالات تخصصی برق
  • سخت افزار
    • مشکلات و خطاهای سیستم
    • مشاوره برای انتخاب قطعات سیستم
    • بحث در مورد مادربورد وچیپستها
    • CPU و انواع پردازنده ها و حافظه ها ( RAM )
    • قطعات و دستگاههای ذخیره سازی
    • بحث در مورد کارت گرافیک ( VGA )
    • اسپیکر و کارت صدا
    • اسکنر و پرینتر و پلاتر
    • کیس و پاور و سیستمهای خنک کننده
    • کارت کپچر و انواع کارتهای تبدیل و میکس
    • مانیتور ، کیبرد ، موس ، قلم نوری
    • تجهیزات شبکه و اینترنت
    • بحث در مورد انواع قطعات سخت افزاری
    • مقالات و اخبار سخت افزار
    • مقالات و اخبار سخت افزار و نرم افزار تهیه شده توسط لیون کامپیوتر
    • گارانتی
    • انجمن تخصصی سخت افزار
    • لپ‌تاپ ، تبلت ، All in One
    • انجمن تخصصی کالاهای دیجیتال که انجمنی ندارند
  • مدارهای آنالوگ
  • الکترونیک قدرت ( Power Electonic )
  • ابزار دقیق
  • موبایل، تبلت و انواع گجت ها
    • مشاوره برای انتخاب گوشی و تبلت مناسب
    • مقالات و اخبار موبایل، تبلت و گجت ها
    • گفتگو در خصوص انواع گجت ها و کالاهای دیجیتال
  • مباحث دانشگاهی
  • نرم افزار
    • نرم افزار
  • مدارهای دیجیتال
  • تاسیسات الکتریکی
  • کنکور
  • طراحی عناصر
  • ماشینهای الکتریکی
  • انجمن گیمینگ
  • میکروکنترلر
  • پروژه های دانشجویی
  • کلاب
  • ارزهای رمزگذاری‌شده CryptoCurrency
  • موضوعات عمومی
  • بازارچه

بخش ها

  • سخت افزار / Unboxing
  • جدیدترین های تکنولوژی
  • آموزشی
  • اخبار بازار/ گزارش
  • مصاحبه و گفتگو
  • سایر

وبلاگ‌ها

  • apadana usb
  • lioncomputer.ir
  • بلاگ دانیال (مطالب اینتل)
  • Uranium' بلاگ
  • Extreme Plus Workshop
  • Daniel.Hz' بلاگ
  • SSD
  • amin_naja(امین پناهی زاده)' بلاگ
  • Iranmedu' بلاگ
  • Iranmedu' بلاگ
  • Iranmedu' بلاگ
  • عطر دیجی بوم | فروش عطر و اسانس ادکلنی

جستجو در ...

جستجو به صورت ...


تاریخ ایجاد

  • شروع

    پایان


آخرین به روز رسانی

  • شروع

    پایان


فیلتر بر اساس تعداد ...

تاریخ عضویت

  • شروع

    پایان


گروه


AIM


MSN


Website URL


ICQ


Yahoo


Jabber


Skype


محل سکونت :


Interests


Biography


Location


Interests


Occupation


پردازنده


مادربورد


رم


کارت گرافیک


ذخیره سازی


درایوهای نوری


منبع تغذیه


کیس


خنک کننده


کارت صدا


کارت های جانبی


مودم


مانیتور


کیبورد و موس


بلندگو ، هدفون


اسکنر، پرینتر


سیستم عامل

57 نتیجه پیدا شد

  1. زمانی که Samsung مجموعه بی نظیری از سری درایوهای 970 Pro M2 SSD با ظرفیت های مختلف را به بازار عرضه کرد ، گفته میشد که احتمالا مدل 2 ترابایتی از این سری نیز به بازار عرضه خواهد شد.در حال حاضر این اتفاق به وقوع پیوسته و به زودی شاهد حضورمدل 2 ترابایتی از این سری در بازار خواهیم بود.اساسا درسری های قدیمی تر 960 Pro و 970 EVO مدلی با ظرفیت 2 ترابایت وجود داشت.اما سامسونگ برای انتشار یک نمونه ظرفیت بالا در سری 970 Pro پس از عرضه مدل های اصلی حدود یک سال صبر کرده است.اکنون یک خرده فروش آسیایی و حتی یک فروشنده آلمانی این درایو را جهت فروش لیست کرده اند. مدل های قبلی بر اساس حافظه های 64 لایه NAND ساخته سامسونگ و کنترلرPhoenix بودند.اکنون نیز ما میتوانیم فرض کنیم که این مشخصات برای مدل 2 ترابایتی نیز درست باشد.مدل های Pro قطعا از طول عمر بالاتری در برابر نوشتن اطلاعات یا همان TBW برخوردارهستند و انتظار میرود این رقم برای این مدل هم به 2400TBW برسد.قیمت اعلام شده نیز ناشناخته باقی مانده چرا که در این لیست به YEN محاسبه شده ، اما احتمالا با قیمت 900 یورو در اختیار علاقه مندان قرار خواهد گرفت. منبع : Guru3d مترجم : محمد فتحی
  2. خبرهایی از گوشه و کنار به گوش میرسد که شرکت AMD به واسطه یک فناوری پیشرفته سخت مشغول کار بر روی ترکیب حافظه های DRAM سیستم با پردازنده در یک پکیج واحد است.این فناوری به AMD این اجازه را میدهد تا حافظه RAM از طریق کانالهای مجزا به سیلیکن اصلی متصل نماید.در دیگر بخش ها نظیر آنچه که در حافظه های HBM2 و پشته سازی عمودی تراشه های NAND 3D دیده ایم ، دیگر تولید کنندگان نیز مشغول کار بر روی فناوریهای مشابهی هستند. با این حال انجام این عمل به عنوان یک فناوری ذکر شده با یک طراحی در پکیج واحد بر روی یک پردازنده مرکزی کاملا جدیداست. این فناوری سرعت عمل حافظه را بیشتر نمیکند ، بلکه در کل عملکرد آن را بهبود می بخشد.لازم به ذکر است که کمپانی intel نیز در حال کار بر روی فناوری مشابهی با کد اسم foveros است. منبع : Guru3d مترجم : محمد فتحی
  3. ADATA یکی از تولید کنندگان مطرح ماژول های DRAM و حافظه های NAND درجهان ، امروز سری جدیدی SSD های 2.5 اینچی جدید خود به نام Ultimate SU750 SATA 6Gb/s را روانه بازار کرد.سری جدید از نسل بعدی حافظه های TLC 3D NAND بهره میبرند و از یک عملکرد خوب در برابر هزینه پرداختی برخوردار هستند.SSD های سری Ultimate SU750 به دلیل استفاده از حافظه های 3D NAND دارای ظرفیت های 256 ، 512 و یک ترابایتی هستند.استفاده از یک حافظه کش SLC سبب شده تا عملکرد سرعت خواندن و نوشتن به ترتیب به 550 و 520 مگابایت بر ثانیه برسد.با توجه به اینکه در ساختار این درایوها از هیچگونه اجزاء مکانیکی استفاده نشده ، نسبت به درایوهای سنتی HDD از طول عمرو مقاومت بالاتر و همچنین نویز بسیار کمتری برخوردار هستند به طوری که این درایوها میتوانند ضربات و ارتعاشاتی تا 1500G/0.5m را تحمل کنند. پشتیبانی از کد تصحیح خطای LDPC جهت شناسایی و رفع خطاها، جهت اطمینان از سلامتی داده ها وجود دارد و باعث افزایش طول عمر درایو نیز میشود.کاربران با خرید هر یک از درایوهای SU750 میتوانند به نرم افزارهای مدیریتی اختصاصی Toolbox و Migration Utility به صورت رایگان دسترسی داشته باشند و از آنها جهت مدیریت درایو خود استفاده کنند.ADATAاعلام کرد که دسترسی به درایوهای Ultimate SU750 ممکن است بسته به منطقه سکونت کاربران متفاوت باشد. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
  4. طبق گزارش DigiTimes ، درایوهای SSD یک ترابایتی در سال 2019 ، به یکی از انتخاب های اصلی سیستم های سطح میانی تبدیل خواهند شد ، چرا که در اوآخر سال گذشته بود که این درایوها ، کاهش قیمتی تا 50 درصد را تجربه کردند.اکنون یک درایو 2.5 اینچی SATA SSD با ظرفیت یک ترابایت به قیمت 99 دلار به فروش میرسد، در حالی که نمونه های NVMe M.2 با همین ظرفیت ، با قیمت پایه 130 دلاری به بازار عرضه میشوند.ابتدای سال 2018 مدل های یک ترابایتی SATA SSD با قیمت پایه 160 دلاری و مدل های NVMe با قیمت پایه 200 دذلاری ، فروش خود را آغاز کردند.درایوهایی با عنوان یک ترابایت ، شامل تمام نمونه هایی با ظرفیت های 960 گیگ ، 1000 گیگ و 1024 گیگ میشوند که به تولید رسیده اند. این روند کاهش قیمت ، با ورود حافظه های ارزان قیمت تر 96 لایه QLC 3D NAND ، حتی بیشتر نیز میشودبه طوری که نسبت به حافظه های فلش قدیمی تر 64 لایه TLC NAND طی سه ماه متوالی تا 15 درصد افت قیمت را تجربه کرده اند.با توجه به کاهش قیمت این درایوها ، میزان عملکرد آنها دربخش مشتری و در طول یک سال همچنان بدون تغییر باقی مانده است.انتظار میرود با ظهور SSD های سازمانی مبتنی بر استاندارد جدید PCIe gen 4.0 ، میزان عملکرد ، تا پایان سال جاری رشد قابل توجهی پیدا کند. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
  5. گزارش شده که قیمت درایوهای SSD به طور فزآینده ای در حال کاهش است.گفته میشود علت این افت قیمت ، کاهش تقاضا در بخش هایی از بازار نظیر نوت بوک ها و گوشی های هوشمند است.در مقایسه با سال گذشته این قیمت ها میتوانند در سال جاری حتی به نصف نیز کاهش پیدا کند.بر همین مبنا ، تولید کنندگان حافظه های NAND ، تصمیم گرفته اند که تولیدات خود را کاهش دهند.علاوه بر اینها انتظار میرود که سرمایه گذاری ها در این بخش حدود دو درصد کاهش پیدا کند. موسسه DRAMeXchange پیش بینی کرد که احتمالا قیمت محصولات فلش در سه ماهه اول سال 2019 ، تا 20 درصد کاهش پیدا می کند.این روند کاهشی در سه ماهه دوم سال گذشته تا 15 درصد و در طول دو ماه گذشته 10 درصد به ازای هر سهم ادامه یافته است.برای امسال نیز پیش بینی شده ، قیمت حافظه های فلش به نصف کاهش خواهد یافت.برای مثال میتوانید نمودار کاهش قیمتی درایو Crucial BX500 480GB که در تابستان 2018عرضه شده را مشاهده کنید. منبع : Guru3d مترجم : محمد فتحی
  6. شرکت انگلیسی Integral از درایو حالت جامد بالا رده UltimaPro X رونمایی کرد. این درایو، گیمرهای حرفه ای، طراحان دیجیتالی و تهیه کنندگان ویدئو را مورد هدف خود قرار داده است. این درایو از یک پردازنده چهار هسته ای و کنترلر هشت کاناله Phison S 10 برای رسیدن به سرعت خواندن 565MB/s و سرعت نوشتن 545MG/s استفاده کرده است . شزکت Integral درایو حالت جامد UltimaPro X را بطور خاصی بای سیستم های گیمینگ بالا رده که بازی ها را با رزولوشن 4K و کیفیت باا اجرا می کنند، ادیتورهای حرفه ای که اطلاعت زیادی را رد و بدل می کنند، انیماتورهای سه بُعدی، اجرای ویدئوهای 4K و فیلم برداری برنامه های زنده ساخته است. در حال حاظر، درایو های هارد دیسک قدیمی به هیچ وجه برای گیمیرها و کاربران حرفه ای، کافی نیستند و آنها را در تنگنای کمبود کارایی قرار می دهند. بخصوص کاربرانی با رم های با ظرفیت بالا و اورکلاک شده، پردازنده های چند هسته ای، کارت گرافیک های دو هسته ای و حتی دو یا چند کارت گرافیکی که با رابط SLI و Crossfire متصل شده اند. اما درایو UltimaPro X اینجاست تا کارایی سیستم شما را بیش از پیش بالا ببرد، مدت زمان بارگذاری بازی ها و نرم افزارها را کاهش دهد و صد البته، سرعت بوت سیستم تان را بطور قابل توجه ای افزایش دهد. درایو حالت جامد مذکور از مموری MLC NAND غیر قابل فرار استفاده کرده است تا بتواند حدود 9,200 عملیات منفرد را در هر ثانیه انجام دهد. رابط اتصال آن نیز SATA 3 با سرعت 6Gb/s می باشد. درایو حالت جامد Integral UltimaPro X در سه حجم 480GB ، 240GB و 960GB تولید خواهد شد. هنوز قیمت این درایوها معلوم نشده است. منبع: techpowerup مترجم: مجتبی حیدرزاده
  7. امروز شرکت اینتل و Micron طی همایشی از نسل جدید فلش مموری های 3D XPoint پرده برداری کردند. این اختراع، انقلابی در سرعت رد و بدل کردن اطلاعات بوجود می اورد. تا چندی قبل، حافظه های NAND که طیف وسیعی از آنها در درایوهای حالت جامد استفاده میشد، بعنوان سریعترین و ارزانترین حافظه های موجود در بازار بود، اما حالا، شرکت اینتل دست به اختراع نسل جدید فلش مموری های 3D XPoint زده که به گفته ی این شرکت، این فلش مموری ها، ارزان و سرعتی 1000 برابر بیشتر از فلش مموری ای NAND خواهند بود. همچنین میزان تراکم پذیری این فلش مموری ها 10 برابر مموری های استاندارد است و به ادعای شرکت اینتل، فلش مموری های جدید ساخته ما قادر به دسترسی به داده ها در سرعتی غیر قابل باور داشته باشند. آقای Rob Crooke، مدیر اجرایی این پروژه از اینتل، در این باره گفت: "برای چندین دهه، فعالان صنعت وسایل ذخیره سازی همواره به دنبال کاهش میزان تاخیر بین پردازنده و مکان اطلاعات برای آنالیز سریعتر بودند. حال با آمدن نسل جدید از فلش مموری های non-volatile (غیر قابل فرار؟) ، بشر را در رسیدن به این هدف کمک شایانی کرده و سرعت و کارایی مموری ها و وسایل ذخیره سازی را بسیار بالا برده است." در واقع می توان گفت، نسل جدید فلش مموری های 3D XPoint ، ترکیبی از مموری های DRAM و NAND می باشد: سرعت بالای DRAM + قیمت کم NAND . همانطور که گفتم، کارایی و سرعت حافظه های 3D XPoint حدود 1000 برابر حافظه های NAND است (حتی دارا بودن حافظه NAND به رابط PCIe NVMe نمی تواند کمی به آن کند.) حافظه های جدید 3D XPoint حتی دارای کارایی 1000 برابر بیشتر از فلش مموری های non-volatile می باشد. در حال حاظر دو شرکت Intel و Micron به راحتی می توانند شروع به ساخت معماری های جدید برای نسل جدیدی از وسایل ذخیره سازی، با سرعت خواندن و نوشتن بسیار بالا و تاخیر بسیار کم کنند. هم اکنون، یک حافظه ی 3D XPoint می تواند نهایتا 128 گیگابایت اطلاعات را در خود ذخیره کند، که البته این مقدار در آینده بیشتر خواهد شد. آقای Mark Adams، مدیر عامل شرکت Micron در این باره ابراز نظر کرد: " یکی از قابل توجه ترین موانع در فرآیند محاسبه در زمان فعلی، دسترسی کند پردازنده ها به همه ی اطلاعات دستگاه های ذخیره سازی با ظرفیت بالاست. اما با استفاده از حافظه های پرسرعت و انقلابی 3D XPoint ، این مانع به کلی برداشته می شود و قابلیت دسترسی به دنیایی از اطلاعات و اپلیکیشن ها میسر می شود. منبع: tweaktown مترجم: مجتبی حیدرزاده
  8. کمپانی SilverStone در یک اقدام جالب ، یک حرارت گیر بزرگ با طول 80 میلیمتر به جهت خنک سازی SSD های M.2 در سایز فاکتور (M.2-2280)معرفی کرد.این حرارت گیر آلومینیومی حدود یک سانتی متر ضخامت دارد و وزن آن 16 گرم است ، که با اضافه شدن پد های حرارتی و اجزای لحیم شده از قسمت های مختلف درایو، وزن آن به 20 گرم افزایش میابد.SilverStone در یک اقدام هوشمندانه دو تسمه سیلیکنی به همراه این حرارت گیر عرضه میکندکه در هنگام قرار گیری بر روی درایو باعث افزایش وزن آن نخواهد شد.در تست های انجام شده توسط طراحان این حرارت گیر معلوم شد، که دمای تراشه های NAND flash و کنترلر هابه طرز قابل توجهی پایین بوده است و باعث بهبود عملکرد حافظه های فوق سریع NVMe SSD شده است.البته هنوز قیمتی برای این محصول تعیین نشده است. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
  9. Gigabyte یک خط تولید جدید را به محصولات خود اضافه کرده است که در آن SSD هایی تحت نام UD Pro به تولید خواهند رسید.خط تولید جدید شامل درایوهای 2.5 اینچی میشود که با استفاده از تراشه های حافظه 3D TLC NAND کمپانی Toshiba تولید خواهند شد.مدل دقیق کنترلر به کار رفته هنوز ناشناخته باقی مانده اما مقدار 256 مگابایت حافظه DRAM به عنوان کش برای آنها در نظر گرفته شده که باعث شده این درایو بتواند به سرعت 530 و 500 مگابایت برثانیه برای خواندن و نوشتن دست یابد. با توجه به به کار گیری تراشه های 3D TLC NAND در سری درایو های Gigabytes UD PRO ، میزان بیت بالاتر به ازای حجم مورد استفاده، عملکرد خواندن و نوشتن بهتر، استقامت واطمینان بالاتر را نسبت به تراشه های 2D TLC ، برای این درایو ها فرآهم شده است.علاوه بر اینها به کار گیری یک سیستم عامل و کنترلر بهینه برای درایو های UD PRO ، عملکرد بسیار خوبی را برای تمامی کاربردها در PC از خود نشان خواهد داد.درایو UD PRO به یک حافظه کش DDR3L SDRAM با سرعت بالا تجهیز شده است ، که به طرز قابل توجهی عملکرد خواندن و نوشتن را بهبود بخشیده است. این بدان معنی خواهد بود که کاربر میتواند از تمامی ظرفیت درایو خود به راحتی استفاده کند.این تراشه DRAM حتی میتواند به عنوان یک حافظه بافرخارجی بین کنترلر و حافظه های NAND در زمان پردازش حجم بالای اطلاعات برای پایداری بخشیدن به عملکرد این درایو عمل کند.از دیگر ویژگیهای این درایوها میتوان به اندازه 2.5 اینچی ، درگاه ارتباطی ساتا شش گیگابیت ، پشتیبانی از قابلیت ویندوز TRIM & S.M.A.R.T اشاره کرد. گیگابایت از سری درایو های UD Pro خود با یک ضمانت 3 ساله حمایت میکند. منبع : Guru3d مترجم : محمد فتحی
  10. در حال حاضر آخرین فناوری به کار رفته در صنعت ساخت تراشه های حافظه ، امکان ساخت یک تراشه 64 لایه را برای حافظه های NAND میسر ساخته است.اکنون یک دستاورد بزرگ در حال شکل گیری است و تا سال 2021 ، تعداد این لایه ها به رقم خیره کننده 140 لایه و حتی فراترخواهد رسید.این عمل به نوبه خود باعث خواهد شد تا علاوه بر افزایش ظرفیت از تعداد پشته های تراشه ها کاسته شده و کاهش قیمت را در پی داشته باشد .اخیرا یک نقشه راه توسط یک شرکت فعال در حوزه صنعت نیمه هادی ها منتشر شده است . در این نقشه مشخص شده که تنها هدف، کاستن از لایه های تراشه ها نیست ، بلکه کوچکتر شدن این لایه ها نیز جز اهداف ساخت به شمار میرود.البته هدف اصلی اینست که ظرفیت ذخیره سازی بیشتری در هر تراشه ایجاد شود و این روند سالها نیز ادامه پیدا کند. اما اکنون لایه بندی تراشه های NAND با استفاده از فرآیند 55 نانومتر انجام میشود که امید است تا سال 2021 ، این فرآیند به 45 نانومتر برسد.Toshiba و Western Digital در حال حاضر مشغول کار بر روی تراشه های 96 لایه BiCS 3D NAND هستند که انتظار میرود ظرفیت 12 ماه آینده اولین نمونه های آنها به تولید برسند.کمپانی سامسونگ نیز امسال بر روی توسعه نسل پنجم تراشه های 96 لایه 3D NAND خود کار خواهد کرد.برای سال 2020 شما میتوانید انتظار تراشه های 120 لایه را داشته باشید . این رقم تا سال 2021 به 140 لایه افزایش خواهد یافت. نقشه راه فعلی هیچ توضیحی را در مورد افزایش ظرفیت واقعی با توجه به بهبود فناوریها ، ارائه نمیدهد.با این حال سامسونگ اعلام کرده که تراشه هایی با ظرفیت یک ترابیت را هدف خود قرار داده است.با توجه به بکارگیری 4 بیت به ازای هر سلول QLC در تراشه های 96 لایه ، میتوان انتظار افزایش تراکم داده ها را داشت.در حال حاضر تراشه های 64 لایه توانسته است تراشه هایی با ظرفیت نهایی 512 گیگابیت را ارئه دهد.اسلاید های منتشر شده توسط یک کمپانی آمریکایی به نام Applied Materials انجام شده که وظیفه تامین تجهیزات و خدمات در صنعت نیمه هادی ها را بر عهده دارد. منبع : Guru3d مترجم : محمد فتحی
  11. سامسونگ یکی از پیشروان صنعت حافظه سازی ،امروز اعلام کرد که پر ظرفیت ترین NVMe SSD های خود را بر اساس فاکتور کوچک (NGSFF) و با ظرفیت عظیم 8 ترابایت جهت استفاده در مراکز سازمانی و دیتاسنترها ، روانه بازار میکند.حافظه های جدید از تعداد 16 پکیج 512 گیگابایتی حافظه های NAND ساخته شده اند که هر کدام از این پکیج ها نیز خود از تراشه های 3 بیتی V-NAND و 16 لایه 256 گیگابیتی تشکیل شده اند.این مجموعه باعث شده تا تراکم عظیم 8 ترابایتی تنها در اندازه بسیار کوچک 11 سانتی متر در 3.05 حاصل شود.این ظرفیت دو برابر NVMe SSD های گذشته با اندازه 11x2.2 سانتی متر است که معمولا در سرورهای کوچک و جمع و جور و لپ تاب های فوق باریک مورد استفاده قرار میگیرد.انتظار میرود SSD های NF1 به سرعت جایگزین NVMe SSD های 2.5 اینچی شوند.استفاده از این SSD ها قادر خواهد بود تا ظرفیت عظیم 576 ترابایت را برای سرورهای 2U rack فراهم کند. درایو های NF1 از یک کنترلر جدید با کارایی بالا استفاده میکنند. این درایوها از پروتکل پرسرعت NVMe 1.3 با درگاه ارتباطی PCIe 4.0 بهره میبرند.این موجب شده تا نرخ پیوسته ارسال متوالی اطلاعات به 3100 مگابایت بر ثانیه و نرخ دریافت متوالی اطلاعات با سرعت 2000 مگابایت بر ثانیه فراهم شود.این سرعت بیش از سه برابر SSD های ساتا است.همچنین سرعت دسترسی تصادفی اطلاعات در حالت خواندن به 500000 IOPS و در حالت نوشتن به 50000 IOPS میرسند.با استفاده از درایو های جدید NF1 یک سرور سازمانی 2U rack میتواند تا یک میلیون IOPS را در یک فضای خالی انجام دهد که این متواند اطمینان بالایی را برای نسل بعدی مراکز داده های سازمانی ایجاد کند. همچنین این SSD ها مجهز به 12 گیگابایت حافظه LPDDR4 DRAM هستند که امکان پردازش سریعتر داده ها را فراهم آورده است. جهت داشتن اطمینان در استفاده های دراز مدت ،NF1 NVMe SSD از یک طراحی مدرن به نام میزان اطلاعت نوشته شده در هر روز یا drive write per day (DWPD در سطح 1.3 ) بهره میبرد.این تضمین کننده این است که در طول ضمانت سه ساله ، شما در هر روز به میزان 1.3 بار میتوانید مقدار 8 ترابایت اطلاعات را بر روی این درایوها بنویسید.SAMSUNG هم چنین قصد دارد تا نمونه هایی از این SSD ها را با استفاده از تراشه های 3 بیتی V-NAND با ظرفیت 256 گیگابیت و حتی نسخه های 512 گیگابیتی را در نیمه دوم سال جاری جهت پردازش های سریعتر ، روانه بازار کند. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
  12. دو کمپانی intel وMicron در یک همکاری نزدیک ، اعلام کردند که توانسته اند اولین حافظه های 4 بیتی به ازای هر سلول خود را تحت عنوان QLC NAND به تولید برسانند.حافظه های QLC از لحاظ فشردگی بسیار بیشتر از نمونه های TLC هستند و این بدان معناست که در آینده ای نزدیک ، شاهد SSD هایی حجیم تر و با سرعت و کارایی بالاتر را شاهد باشیم. آقای Scott DeBoer معاون توسعه فناوری میکرون در این باره میگوید : " با معرفی فناوری حافظه های 64 لایه NAND و 4 بیتی در هر سلول، ما توانسته ایم در مقایسه با تراشه های TLC به حدود 33 درصد حجم ذخیره سازی بیشتری دست پیدا کنیم.این برای اولین بار در تاریخ نیمه هادی ها است که ما توانسته ایم به نرخ ذخیره سازی یک ترابیت دست پیدا کنیم." کمپانی Micron اولین SSD های رده سازمانی خود رامبتنی بر QLC به نام 5120 ION را روانه بازار خواهد کرد.اولویت اول SSD های مبنی برحافظه های QLC ،حجم بالاتر نسبت به سرعت خواهد بود و نمونه های سریعتر کمی بعد تر روانه بازار خواهند شد.به گفته میکرون اولین SSD ها با ظرفیت های عظیمی از 1.92 ترابایت گرفته تا 7.68 تا اوآخر امسال در دسترس خواهند بود.هر دو شرکت اینتل و میکرون ، هیچکدام تا کنون اطلاعاتی مبنی بر سرعت خواندن و نوشتن SSD های رده سازمانی و یا حتی رده مصرف کننده با ساختارحافظه های QLC به اشتراک نگذاشته اند.در این بین صحبت هایی از SSD های رده مصرف کننده مبنی بر تراشه های QLC NAND شده است ، اما هنوز اطلاعات دقیقی در این باره ارائه نشده است. منبع : Tweaktown مترجم : محمد فتحی
  13. کمپانی ماشکین اعلام کرد ، سری جدیدی از سالید های جامد خود تحت عنوان Mushkin Source را روانه بازار خواهد کرد.این درایو ها قابلیت استفاده در تمامی سیستم ها را دارا می باشند.این سری از یک طراحی جدید و کاملا مقرون به صرفه بهره میبرند و مناسب برای طیف گسترده ای از برنامه های کاربردی هستند.سری SSD های Source ایده آل برای استفاده در تمامی زمینه ها هستند، از دسکتاپ های گیمینگ گرفته تا نوت بوک ها و مینی پی سی های جدید NUC ها، در تمامی زمینه ها میتوانند مورد استفاده قرار بگیرند.این سری در فاکتورهای 2.5 اینچی و M.2 2280 تولید خواهند شد، بنابراین میتواند یک انتخاب عالی برای هرنوع سیستمی باشد. درایوهای جدید در ظرفیت های 120 گیگ ، 250 گیگ ، 500 گیگ و یک ترابایتی تولید خواهند شد.سری جدید میتوانند تا سرعت 560 مگابایت برثانیه بخوانند و با سرعت 520 مگابایت بر ثانیه ، بنویسند.تمامی مدل ها به فناوری Mushkin Enhanced Data-protection Suite یا به اختصار M.E.D.S (سیستم محافظت از داده ها ) مجهز هستند.از دیگر ویزگیهای این درایوها میتوان به استفاده از کنترلر Silicon Motion SM2258XT ، درگاه اتصال ساتا شش گیگابیت ، سرعت دسترسی تصادفی 75,000IOPS در حالت خواندن و 81,000 IOPS در حالت نوشتن و عمر مفید 1.5 میلیون ساعت در حالت MTBF ، اشاره کرد.ماشکین سری جدید درایو های خود را به همراه ضمانت نامه 3 ساله حمایت میکند. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
  14. ADATA از تولید کنندگان پیشرو حافظه در جهان ، امروز سری درایوهای M.2 SSD گیمینگ XPG SX8200 را روانه بازار کرد.درایوهای جدید در فاکتور M.2 2280 تولید شده اندو با استفاده از رابط PCIe3x4 میتوانند تا سرعت 3200 مگابایت بر ثانیه بخوانند و تا 1700 مگابایت بر ثانیه هم بنویسند.در حقیقت این درایوها برای گیمرها ، اورکلاکرها و مودینگ کاران سیستم ، با استفاده از آخرین فناوری حافظه های 64 لایه 3D NAND ساخته شده اند و قراراست در ظرفیت های 240 گیگ ، 480 گیگ و 960 گیگی در اختیار این گروه از مصرف کنندگان قرار بگیرد. سری درایو های SX8200 به دلیل برخورداری ازپروتکل NVMe 1.3 و همچنین رابط PCIe Gen3x4 ، عملکرد بی نظیری را در هنگام خواندن و نوشتن از خود نشان میدهند، به طوری که حتی با توجه به استفاده از قابلیت هایی نظیروجود عرض باس 32 بیتی DRAM ، استفاده از یک کش هوشمند SLC و یک کش DRAM به عنوان حافظه بافر، عملکرد حالت 4K نیز با بهبود های چشمگیری همراه بوده است.اکنون این درایو ها با دست یابی به امتیاز 310K/280K IOPS در حالت خواندن و نوشتن تصادفی 4K ، میتوانند موجبات بوت سریع سیستم ، و بارگذاری های کوتاه در بازیها و داده های سیستم را فراهم کنند.به دلیل به کارگیری تراشه های 64 لایه 3D NAND و همچنین فناوریهای RAID Engine و Data Shaping ، وفناوری اصلاح کد خطا LDPC ،قابلیت اطمینان و ثبات داده ها چند برابر شده است به طوری که اکنون عمر مفید این درایوها به 2 میلیون ساعت در حالت (میانگین زمان بین خرابی )MTBF رسیده است. سری درایو های SX8200 هم اکنون در ظرفیت های 240 گیگ ، 480 گیگ و 960 گیگی همراه با یک ضمانت 5 ساله در دسترس گیمر ها ، اورکلاکر ها و مودینگ کاران سیستم قرار دارد. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
  15. ماه اکتبر بود که شرکت Samsung در جریان برگزاری مراسم روز تکنولوژی ، نقشه راه جدید درایوهای SSD خود را نشان داد.یکی از نکات کلیدی در این مراسم ، رونمایی از پروژه جدید این شرکت برای راه اندازی اولین SSD های مبتنی بر حافظه های QLC بود.اکنون در این رابطه اطلاعات بیشتری منتشر شده است.تعدادی از خرده فروشی های آنلاین اروپایی واقع در کشورهایی همچون فرانسه یا ایتالیا ، واحد جدیدی از این درایوها به نام Samsung 860 QVOرا لیست کرده اند. با توجه به این موضوع تنها یک معنی وجود دارد و آن اینکه دسترسی به این درایوها به زودی امکان پذیر خواهد بود. SSD های جدید از فرمت معمولی 2.5 اینچ با رابط ساتا استفاده خواهند کرد، اما طرح نامگذاری آنها از پسوند EVO یا Pro به پسوند جدید QVO (Quality and Value Optimized SSD)تغییر یافته است.گفته میشود سرعت خواندن و نوشتن در این درایوها به ترتیب به 550 و 520 مگابایت بر ثانیه میرسد و در حالت دسترسی تصادفی نیز امتیاز 96,000 IOPS برای حالت خواندن و 89,000 IOPS هم برای نوشتن بدست آمده است.این سری در حجم های 1 ترابایتی با قیمت 117.50 یورو ، 2 ترابایتی با قیمت 225.96 یورو و مدل 4 ترابایتی با قیمت 451.93 یورو بدون احتساب مالیات به فروش خواهند رسید.این قیمت ها با احتساب 19 درصد مالیات به ترتیب به 140 ، 270 و 540 یورو افزایش می یابد.برخی از فروشگاه های آنلاین به شروع فروش این درایوها از ماه دسامبراشاره میکنند. فناوری QLC میتواند تراکم ذخیره سازی فعلی در تراشه های 3D NAND بر اساس فناوری TLC را به مقدار قابل توجهی افزایش دهد.اگر چه هزینه تولید این تراشه ها نسبت به نمونه های قبل پایین تر است ، اما پیچیدگی تکنولوژی میتواند میزان عملکرد و دوام درایوهای مبتنی بر فناوری QLC را تحت شعاع قرار دهد.درتست های انجام شده بر روی دو درایو Intel 660p و Crucial P1 با توجه به این فناوری ، مشخص شد که آنها عملکردلازم را بدون داشتن یک حافظه کش SLC در هنگام عملیات نوشتن ندارند. استفاده از این درایوها در دنیای واقعی و سنجش آنها با معیارها ی جدید جهت بدست آوردن اطمینان بیشتر، میتواند اطلاعات بلقوه بیشتری را در اینباره ارائه کند. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
  16. کمپانی TEAMGROUP امروز محصولات جدیدی را بر اساس گواهی ASUS TUF Gaming Alliance معرفی کرد.این محصولات شامل یک درایو SSD با نورپردازی RGB و حافظه های RGB Gaming برای اورکلاکینگ میشوند.درایو T-FORCE DELTA S TUF Gaming RGB و حافظه های T-FORCE DELTA TUF Gaming RGB در سخت ترین شرایط بر اساس گواهی TUF Gaming Alliance شرکت ASUS آزمایش شده اند.اکنون ظاهر دو محصول ترکیبی از عناصر استتار نظامی گواهی TUF و اِلِمان های بازی است.این درایو ها و حافظه ها قابلیت هماهنگ سازی اثرات نورپردازی RGB با مادربردهای شرکت ASUS از طریق نرم افزار ASUS Aura را دارند که به کاربران خود علاوه بر ایجاد جلوه های چشم نواز ، سرعت بالایی را نیز ارائه میدهند. توانایی خواندن اطلاعات با سرعت 560 مگابایت از توانایی های این درایو است که حدود 4 برابر سریعتر از درایوهای سنتی معمول میباشد.استفاده از تراشه های 3D NAND و با کیفیت در این درایوها باعث شده تا کاربران در هنگام بارگیرهای سنگین ، سرعت بالایی را تجربه کنند.این درایو قرار است با حداکثر ظرفیت 1 ترابایت در دسترس کاربران قرار بگیرد.از ویژگیهای قابل توجه برای این درایو میتوان به سیستم ضد شوک برای آن اشاره کرد که باعث اطمینان بیشتر گیمرها در هنگام ذخیره سازی اطلاعات بر روی آن میشود. دومین محصول تیم گروپ ، حافظه های T-FORCE DELTA TUF Gaming RGB هستند.این حافظه ها هم تم نظامی TUF را بر روی خود حفظ میکنند.طرح نامتقارن و مینیمالیستی هیتسینک این حافظه ها یک سبک استراتوسکوپی جدیدی را ارئه کرده است.حتی بدنه مشکی رنگ این حافظه ها نیز به تم نظامی گواهی TUF منقش شده است.همچون درایو T-FORCE DELTA S TUF Gaming RGB این حافظه ها نیز مجهز به سیستم نورپردازی RGB بوده که با نرم افزار اختصاصی ASUS Aura قابلیت هماهنگ سازی را دارند.با این نرم افزار شما توانایی کامل بر ایجاد جلوه های نمایشی فوق العاده را دارید.خطوط ایجاد شده بر روی حرارت گیر ، باعث تسریع در تهویه گرمایی شده و ماژول های حافظه را به سرعت خنک میکند.هر دو محصول معرفی شده تیم گروپ هم اکنون در دسترس کاربران قرار گرفته اند. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
  17. کمپانی intel امروز اعلام کرد که تولید اولین SSD های PCIe برای دیتاسنترها با استفاده از آخرین نسل از حافظه های 3D QLC NAND را آغاز کرده است.حافظه های QLC با توجه به توانایی ذخیره سازی 4 بیت داده در هر سلول ، باعث افزایش 33 درصدی در تراکم ذخیره سازی نسبت به حافظه های TLC NAND شده اند.این درایوها تنها 15 میلیمتر ضخامت داشته و در فاکتور 2.5 اینچی و با استفاده از رابط U.2 ساخته خواهند شد.چنین درایوهایی در برابر حجم دیتایهای سنگین یا به اصطلاح hot data ها نسبت به درایوهای MLC کندتر هستند ، و حتی میتوانند در حد و اندازه حافظه های SLC NAND ظاهر شوند. با این حال باز هم نسبت به درایوهای سنتی HDD از سرعت به مراتب بالاتری برخوردار هستند.اولین درایو SSD مبتنی بر حافظه های 3D QLC NAND که بسیار مشابه با درایو Micron 5210 ION است ، در ماه مه راه اندازی شد. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
  18. همه ما میدانیم با اینکه مدت زمان زیادی از معرفی درایوهای M.2 میگذرد، هنوز آن طور که باید از تمامی پتانسیل آنها استفاده نمیشود. با این حال کمپانی ADATA قرار است در یک کنفرانس مطبوعاتی به نام Summit 2018 درباره آینده حافظه های فلش و همچنین نسل بعدی درایوهای SSD با فاکتور کوچک M.3 صحبت کند.البته این اولین بار نیست که صحبت هایی درباره درایوهایی با فاکتور M.3 به گوش میرسد.سامسونگ جزء شرکت هایی بود که قبلا طرح هایی راجع به این فاکتور جدید ، ارائه داده بود. با توجه به نیاز اکثر سازمان ها به ظرفیت های بالاتر و سرعت بیشتر، دیگر فاکتور M.2 نمیتواند پاسخگوی این بخش از بازار باشد.با آمدن فاکتور M.3 این ظرفیت ها بزرگتر و گسترده تر خواهد شد.با آمدن این فاکتور ،اندازه درایوها از 22 میلیمتر به 30.5 میلیمتر افزایش خواهد یافت و سازندگان را مجبور به ارائه قطعات اضافه تر در سطح تولیداتشان خواهد کرد.سازندگان وسایل ذخیره سازی میتوانند با توجه به فاکتور M.3 و حافظه های NAND درایوهایی با ظرفیت های بیشتربسازند.فاکتور M.3 میتواند از پروتکل NVMe 1.3 و همچنین رابط اتصال PCIe 3.0 با پهنای باند X4 ، X8 و حتی X16 پشتیبانی کند. در همین رابطه قرار است ADATA اولین درایو SSD رده سازمانی خود به نام M.3 NGSFF با درجه صنعتی IM3P33EC را در کنفرانس مطبوعاتی ذکر شده رونمایی کند.طبق گفته ها این درایو با برخورداری از پروتکل NVMe 1.3 و همچنین رابط اتصال PCIe Gen3x8 ، قادر به سرعت خواندن و نوشتن حداقلی 3200 و 1700 مگابایت بر ثانیه خواهد بود.این درایو از ویژگی hot-plug پشتیبانی کرده و به سیستم های امنیتی قطع ناگهانی برق ، سیستم رمز نگاری AES 256-bit وسیستم محافظت از داده ها مجهز شده است.این پروتکشن های امنیتی جزء موارد بسیار حیاتی برای دیتاسنترها ، سرورها و مراکز تجزیه و تحلیل داده های بزرگ و مراکز هوش مصنوعی AI به شمار میرود. منبع : Guru3d مترجم : محمد فتحی
  19. کمپانی اینتل در حال تکمیل موج جدیدی از پردازنده های خانواده Xeon Scalable است که بر پایه سیلیکن جدید Cascade Lake ساخته خواهند شد.یکی از اولین بخش های این پروژه ، یک تراشه 28 هسته ای مجهز شده به شش کانال ارتباطی حافظه DDR4 است.با توجه به پشتیبانی از سه اسلات DIMM در هر کانال ، در نتیجه تعداد 18 اسلات DIMM به ازاری هر سوکت ، قابل دست یابی است.کنترلرهای یکپارچه حافظه نیز میتوانند حداکثر از مقدار 3.84 ترابایت حافظه پشتیبانی کنند.نکته جالب توجه اینست که حافظه های پشتیبانی شده ، لازم نیست از خانواده DRAM ها باشند. قرار است intel همزمان با نسل بعدی پردازنده های سازمانی خود، پشتیبانی از حافظه های Optane Persistent را نیز معرفی کند.ماژول های حافظه بر اساس فناوری 3D X-point از لحاظ عملکرد ، مابین حافظه های NAND مورد استفاده در SSD ها و DRAM ها قرار میگیرند.این در حالیت که از لحاظ نحوه کار بسیار شبیه به DRAM ها کار میکنند.این حافظه ها دارای استقامت بالایی هستند و با هر بار ریبوت مجدد و یا در هنگام قطع برق ، داده های ذخیره شده در آنها از بین نمیروند.این یکی از مزیت های خوب این حافظه به شمار میرود و میتواند برای سازمان هایی که نیاز به سرعت بالا در دست یابی مجدد به اطلاعات خود دارد ، بسیار مفید واقع شود.حافظه های Optane Persistent میتوانند به ازای هر اسلات DIMM تا ظرفیت 512 گیگ را پشتیبانی کنند.این ظرفیت 512 گیگی تنها با استفاده از فناوری 3D X-point حاصل شده که به یک کنترلر اسلات DIMM متصل شده است و میتواند مانند یک رابط کاربری استاندارد DDR4 در اختیار شما باشد. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
  20. کمپانی SK Hynix سازنده صاحب نام چیپ های حافظه همزمان با اعلام سود سالانه مربوط به 2016 از طرح های خود برای عرضه حافظه های DRAM و NAND جدید این شرکت در سال جاری میلادی خبر داد. حافظه های ِDRAM با فناوری 21 نانومتر در اواخر سال 2015 SK Hynix شروع به ساخت حافظه DRAM با تکنولوژی 21 نانومتری کرد و به سرعت علاوه بر پیشرفت در این مسیر به یکی از غول های این صنعت تبدیل شد. در حال حاضر محصولات این شرکت با فناوری چیپ های 21 نانومتری شامل طیف گسترده ای از حافظه های ِDRAM سیستم ها و موبایل ها و سایر حافظه های تخصصی تر می شود و تایید کرده است که امسال ساخت حافظه های جدید DRAM با فرایند 10 نانومتر را کلید خواهد زد. مانند سایر کمپانی ها SK نیز درمورد ظرفیت حافظه های خود بسیار محتاطانه عمل می کند و قصد ندارد تغییر کلی در این حافظه ها بوجود آورد. همزمان این شرکت قصددر افزایش تولید خط 21 نانومتری و آغاز ساخت DRAM های 18 نانومتری در نیمه دوم سال 2017 دارد که این امر ناخواسته باعث خروجی بیت بیشتر در حافظه می شود. در واقع همان اندازه که حافظه ها کوچکتر می شوند امکان ساخت بیت های بیشتر در حافظه با یک ویفر خام 300 میلیمتری امکان پذیر می شود. در همین حال تحلیلگر سایت TrendForce معتقد است نیاز بازار به حافظه ها در سال جاری از میزان افزایش 20 درصدی (سال به سال) خود عبور خواهد کرد در حالیکه حافظه های DRAM تولید شده توسط تمام سازنده ها به میزان 19% افزایش خواهد یافت. این میزان تولید علاوه بر کمیاب تر شدن این حافظه ها قیمت نهایی را نیز بالاتر خواهد برد. به غیر از رایانه های شخصی دو عامل دیگر نیز شاهد افزایش تقاضا خواهند بود. یکی پلتفرم Xeon جدید اینتل و دیگری گوشی های هوشمند دارای سیستم عامل Android گوگل که شاهد ارتقاء حافظه ها در مدل های رده بالای آنها خواهیم بود که از میزان 8 گیگابایت حافظه LPDDR4 و LPDDR4X بهره خواهند گرفت. حافظه های NAND جدید در سال 2017 تقاضا برای حافظه های فلش NAND نیز همزمان با رشد تولید محصولات بر این پایه از قبیل گوشی های هوشمند،SSD ها و سایر سازنده ها بطور ثابتی سال به سال افزایش یافته. همچنین شاهد افزایش میزان حافظه نسبت به محصول بوده ایم. برای مثال آیفون 7 شرکت Apple علاوه بر حافظه 16 گیگابایت، حافظه 32 گیگابایتی نیاز خواهد داشت. برای پاسخگویی به این حجم بالای تقاضا سازنده ها حافظه های پر ظرفیت 3D NAND را عرضه می کنند. SK Hynix اولین بار در سال 2015 حافظه های 36 لایه 128 گیگابیتی MLC NAND را عرضه کرد که با نام 3D-V2 نیز شناخته می شوند که در حافظه های همراه بکار می رود. سپس حافظه های 48 لایه 3D NAND یا همان 3D -V3 را تولید کرد که در طیف گسترده تری از محصولات مثل کارت های حافظه، فلش درایو ها و SSD ها استفاده می شد. در نسل سوم خود نیز SK روی حافظه 256 گیگابیتی (32 گیگابایت) TLC تمرکز کرده است. این آی سی ها در ساخت پکیج های NAND 256، 512، 1024، 2048 و حتی 4096 برای عملکردهای مختلف گیگابیت بکار می رفت. امسال SK قصد دارد تا تولید حافظه های 3D NAND TLC خود (3D-V4) را آغاز کند. در ابتدا این چیپ ها دارای حافظه 256 گیگابیتی خواهند بود که در سه ماهه دوم 2017 عرضه می شوند. در ادامه و در آخرین ماههای 2017 این شرکت به عرضه چیپ های 512 گیگابیتی (64 گیگابایت) با همین تکنولوژی خواهد پرداخت که به افزایش ظرفیت های دیسک های جامد SSD منجر می شود.نکته مهم در این حافظه ها افزایش سرعت SSD ها توسط بلاک سایز جدید 13.5 مگابایتی نسبت به مقدار 9 مگابایتی ورژن 3D-V3 است. طبق اطلاعات بدست آمده، مولتی چیپ های 8گیگابیتی NAND ساخت SK Hynix در ظرفیت 1 ترابایت باعث افزایش ظرفیت های SSD ها در ابعاد کوچکتر خواهد شد. توسعه کارخانجات M14 و C2 در گزارش ها آمده است که SK Hynix قصد دارد از طبقه بالایی کارخانه M14 خود جهت ساخت حافظه های NAND جدید استفاده کند. این کمپانی این خبر را تایید کرده ولی جزئیات دیگردی ارائه نداده است. فناوری جدید SK در ساخت NAND فلش های جدید امکان عرضه SSD های ظرفیت بالا را بزودی فراهم خواهد کرد. همچنین این شرکت اقدام به توسعه کارخانه C2 در Wuxi چین جهت افزایش تولید کرده است که حدود 2 سال به طول خواهد انجامید و حدود 790 میلیون دلار هزینه برای این شرکت خواهد داشت. عملیات توسعه این کارخانه تا آوریل 2019 زمان می برد و انتظار تاثیر زود هنگام در قیمت ها نمی رود. منبع : AnandTech مترجم : Adel Riahi
  21. شرکت فناوری IMFlash Technologies یا به اختصارIMFT که حاصل یک سرمایه گذاری مشترک بین intel و Micron به شمار می آید،اعلام کرد که تولید حافظه های NAND بر اساس فناوری 3D Xpoint که در محصولات مشترک هر دو شرکت اینتل و میکرون و یا حتی دیگر تولید کنندگاه SSD مورد استفاده قرار میگیرد، ظاهرا با مشکلاتی مواجه شده است.مشکلات به وجود آمده در تولید حافظه های QLC NAND ، میتواند منجر به افزایش قیمت سراسری در تولیدات درایوهای SSD شود. ظاهرا این گونه که به نظر میرسد ، سهم تولیدی حافظه های سالم 3D QLC NAND توسط این شرکت به کمتر از 50 درصد رسیده است.کاهش خروجی تولید حافظه های QLC NAND میتواند به طرز ناباورانه ای در افزایش قیمت تراشه های 3D TLC NAND به ازای هر گیگ تاثیر بگذارد.به نظر میرسد در این بین اولین قربانی ضعف عملکرد در تولید تراشه های 3D QLC NAND ، سری SSD های 660P کمپانی اینتل باشد.این سری از NVMe SSD های اینتل میتوانستند میزان یک ترابایت فضای ذخیره سازی را با قیمتی کمتر از 200 دلار در اختیار مصرف کنندگان بگذارند.آن طور که از منابع داخلی IMFT به گوش میرسد ، سهم تولید سالم تراشه های سالم 64 لایه QLC NAND به ازای هر ویفر ، تنها 48 درصد است که این یعنی حدود 52 درصد از ویفر های تولید شده قابل استفاده نیستند، این در حالیست که در طرف دیگر عملکرد تولید سالم ویفر های 64 لایه 3D TLC به 90 درصد میرسد.طبق گفته های این منابع، بدترین حالت ممکن ایسنت که این مشکلات شاید هرگز با نسل فعلی بر طرف نشوند. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
  22. ADATA از تولید کنندگان DRAM و محصولاتی بر پایه حافظه های NAND ، امروز USB درایوهای جدید UE700 Pro را به بازار عرضه کرد. این درایوها حداکثر با ظرفیت 256 گیگ عرضه میشوند و میتواند سرعت خواندنی تا 360 مگابایت و نوشتنی با سرعت 180 مگابایت بر ثانیه را فراهم کنند.این درایوها میتواند سرعت و حجم ذخیره سازی بالایی را جهت نگهداری فیلم هایی با حجم و رزولوشن بالا و اطلاعات دیگر را به کاربران ارائه کند.این درایوها تنها 7 میلیمتر ضخامت داشته و از پوشش آلومینیومی به رنگ مات بهره میبرند که حمل و نقل آن را بسیار آسان میکند.جهت اتصال در تمامی مدل ها از درگاه پرسرعت USB 3.1 استفاده شده است. طراحی جمع و جور و بی نظیر این سری به گونه ایست که رابط اتصال USB آن توسط یک کلید فشاری در داخل قاب نگهداره پنهان میشود.این کلید تنها با فشار ساده انگشت شصت رابط اتصال USB را از جای خود خارج و آن را آماده استفاده میکند.در انتهای بدنه آلومینیومی و 7 میلیمتری این فلش مدل ها ، یک شاخص LED آبی رنگ مشاهده میشود که نحوه فعالیت درایو را مشخص میکند.در انتهای بدنه قستی جهت اتصال تسمه نگهداره در نظر گرفته شده که میتوانید آن را حتی به جا سوئیچی خود متصل کنید و به آسانی آن را حمل کنید.USB درایو ADATA UE700 Pro بسته به محل سکونت شما میتواند با قیمت های متفاوتی عرضه شود. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
  23. کمپانی اینتل ، همچنان سرگرم کار بر روی حافظه های Optane و توسعه آنها در قسمت های ذخیره سازی و کش درایو ها است.مدت زمان زیادیست که از معرفی حافظه های Optane میگذرد. این شرکت اکنون ماژول هایی بر اساس فناوری 3D XPoint و با ظرفیت های 128 گیگ ، 256 گیگ و 512 گیگ را به تولید رسانده است.قرار است این ماژول ها بر روی اسلات های DDR4 در سرور ها نصب شوند و به دلیل ماهیت فشردگی این حافظه هاو برخورداری از فناوری3D XPoint ، امید میرود که از عملکرد به مراتب بهتری برخوردار باشند.یکی از ویژگیهای جالب توجه این حافظه ها ، حفظ داده ها در زمان قطعی جریان برق است ، این ویژگی در حافظه های رم کنونی وجود ندارد.معمولا از این ویژگی در حافظه های ذخیره سازی مانند SSD ها و یا فلش درایو هایی که از تراشه های NAND بهره میبرند ، استفاده میشود.شرکت اینتل اکنون فناوری 3D XPoint را علاوه بر درایو های SSD به حافظه های DIMM نیز تزریق کرده است. حافظه های Optane اینتل بر خلاف حافظه های DRAM هنوز ناپایدار هستند،بنابراین نمیتوان آنها را جانشین قطعی برای DRAM ها دانست و از آنها در یک رایانه شخصی استفاده کرد.این احتمال وجود دارد که ماژول های Optane بتوانند در کنارDRAM های معمولی با یکدیگر ترکیب شوند، البته اینتل هنوز در این باره صحبتی به میان نیاورده است.ماژول های جدید Optane قرار است برای اولین بار در نسل بعدی پلتفرم اینتل Xeon ، مورد استفاده قرار بگیرند.در حال حاضر فقط مشتریان بالقوه میتواننداین فناوری را آزمایش کنند و اولین ماژول ها تا اوآخر امسال در دسترس آنها قرار خواهد گرفت.درسال 2019 ماژول های Intel Optane DC به صورت گسترده در دسترس کاربران خواهد بود. با استفاده از حافظه های Optane DIMM ،سرورها قادر خواهند بود تا ظرفیت ذخیره سازی با عملکرد بالا را در اختیار داشته باشند.تا قبل از عرضه این حافظه ها ،SSD هایی بر اساس حافظه های Optane در دسترس کاربران خواهد بود. منبع : Guru3d مترجم : محمد فتحی
  24. با توجه به گزارشات رسیده از منابع معتبر در صنعت حافظه سازی ، پیش بینی شده با افزایش تقاضا برای SSD ها در صنعت کامپیوتر و حتی تلفن های همراه ، مانعی جهت کاهش قیمت فلش NAND ها شود.روند کاهش قیمت فلش NAND ها از اواخر سال 2017 آغاز شد، اما در سه ماهه دوم امسال به حدود 10 درصد رسید.این کاهش قیمت همچنان ادامه خواهد داشت ، اما سرعت آن در سه ماهه سوم ممکن است به کمترین میزان خود رسیده و حتی متوقف شود.برخی منابع معتقدند که کاهش قیمت فلش NAND ها ، باعث تسریع در استفاده SSD ها بر روی رایانه های شخصی شده است.همچنین منابع اظهار داشته اند شرکت های تولیدکننده کامپیوتر نیز جهت ارتقاءبه مدل هایی از نوع PCIe NVMe SSD روی آورده اند.انتظارمیرود استفاده از SSD های رده مصرف کننده از نوع PCIe NVMe نسبت به مدل های SATA در سال 2018 به بالاترین میزان خود برسد. قیمت SSD ها از نوامبر 2017 تا پایان سه ماهه اول سال 2018 ، حدود 50 درصد کاهش داشته است.این قیمت ها ممکن است بعد از برگزرای نمایشگاه Computex 2018 دوباره با افزایش قیمت مواجه شودو حتی موجودی فلش ناند ها نیز بسیار اندک شود.با توجه به منابع این صنعت ، پیش بینی شده استفاده از SSD ها در میان گوشی ها همراه نیز با افزایش روبرو شود و در سه ماهه سوم امسال تقاضای کلی برای SSD ها را بالا ببرد.علیرغم کاهش فروش گوشی های هوشمند، افزایش ظرفیت حافظه در هر دستگاه منجر به استفاده بیش از حد از فلشNAND ها در سال 2018 خواهد شد.از سوی دیگر کمبود موجودی بر روی حافظه های DRAM نیز تاثیر گذار بوده به طوری که باعث خواهد شد افزایش قیمت حافظه های DRAM در سه ماهه سوم امسال نیز ادامه پیدا کند. منبع : Guru3d مترجم : محمد فتحی
  25. بخش اول: شرکت Toshiba امروز اعلام کرد که به نسل جدیدی از BiCS FLASH دست یافته، یک نوع فلش مموری سه بعدی با ساختری از سلول های انباشته شده. این فلش مموری، از اولین فلش مموری هایی با سرعت 256 Gigabite یا 32 Gigabyte و 48 لایه ذره مقیاس پذیر (BiCS یا bit cost scalable) و به همراه تکنولوژی TCL یا سلول سطح سوم (TCL یا Triple cell level) می باشد. نمونه هایی از این مموری در ماه September به شرکت های محدودی ارسال می شود. BiCS FLASH بر پایه 48 لایه تشکیل شده و شامل دو مموری NAND می باشد که این نوع چینش، باعث افزایش سرعت خواندن، نوشتن و پاک کردن می شود. از BiCS FLASH در برنامه ها، درایو های حالت جامد (SSD) ، اسمارت فون ها، تبلت ها ، کارت های حافظه و درایو های حالت جامد مخصوص مصارف صنعتی استفاده خواهد شد. از زمان ساخت اولین نمونه BiCS FLASH توسط شرکت Toshiba حدود 8 سال می گذرد (ماه June سال 2007 میلادی) و تا الان، این شرکت به توسعه ی خود در این زمینه ادامه داده است. گفته شده این حافظه ها در نیمه ی اول سال 2016 عرضه و برای اولین بار در درایوهای حالت جامد استفاده خواهند شد. بخش دوم: شرکت Toshiba همچنین از اولین فلش مموری NAND جهان با شانزده قالب انباشته شده که در آن از سیلیکون نیز استفاده شده، (بوسیله تکنولوژی TSV) رونمایی کرد. در حال حاظر ظرفیت مموری NAND FLASH، شانزده قالب است که این مقدار نیز بوسیله شرکت Toshiba بدست آمد. اولین نمونه از این نوع مموری NAND FLASH در تاریخ 11 تا 13 ماه August و طی مراسم Flash Memory Summit 2015 به نمایش در خواهد آمد. در مموری های انباشته شده NAND نسل قبل ، فلش مموری ها بوسیله اتصال سیم به یکدیگر متصل می شدند. اما حالا به کمک تکنولوژی TSV یا Through Silicon Via ، الکترود های نازک عمودی در قالب های سیلیکونی برای برقراری اتصال فلش مموری ها قرار می گیرند که به سبب آن ، سرعت تبادل اطلاعات افزایش چشم گیری می یابند و میزان مصرف برق نیز کم می شود. تکنولوژی انحصاری TSV شرکت Toshiba می تواند سرعت تبادل وردوی/خروجی اطلاعات را تا سقف یک گیگابیت بر ثانیه برساند، سرعتی که هیچ یک از حافظه های NAND کنونی ندارند. انرژی مورد نیاز برای مدار هسته ، حدود 1.8V ، مدار ورودی/خروجی (I/O) برابر 1.2V و تقریبا 50% کاهش انرژی در عملیات نوشتاری ، عملیات خواندنی و تبادل اطلاعات ورودی/خروجی، است. این حافظه بسیار مناسب SSD ها یا همان درایوهای حالت جامد می باشد. منبع: techpowerup مترجم: مجتبی حیدرزاده