سلام
ببینید اینکه FinFET دقیقا چی هست یه سوال خیلی کلی هست که برای فهمش نیاز به دانش گستردهای داره اما به زبان ساده و به طور کلی و مختصر شکلی از ترانزیستورهای FET هست
ترانزیستورهای FET ترانزیستورهایی هستند که در اونها فقط یک نوع حامل که الکترونهای آزاد هستند در ایجاد جریان الکتریکی نقش دارند و کار کنترل این جریان توسط یک میدان الکترونیکی صورت میگیره که این نوع ترانزیستورها به طور کلی دارای ۳ پایه سورس و درین و گیت هستند که کار کنترل جریان سورس و درین توسط اعمال ولتاژ به گیت صورت میگیره (واقعا ساده تر از این نمیشه گفت)
در طراحی مدارهای مجتمع امروزی از ترانزیستورهای mosFET استفاده میشه (شامل قاعده معماری که در بالا توضیح دادم میشه کاملا) که حالا بحث ویژگی هاش مفصله اما در پاسخ سوال شما اینجوری میشه توضیح داد که finFET ها لایه بندی و کلیاتشون با مدل سنتی FET تفاوت چندانی نداره چون توی اینها هم ۱ درین و ۱ سورس هست که به خوبی با گیت ارتباط برقرار میکنن اما تفاوت finFET ها اینه که کانال ارتباطی بین درین و سورس به صورت ۳ بعدی لایه سیلیکونی طراحی شده که بهش Fin میگن ! این تغییر باعث شد تا الکترودهای گیت به چندین بخش تقسیم بشن و تو کانال مربوطه جریان پیدا کنن که نتیجش شد بهبود انتقال جریان و کاهش نشتی (در نظر داشته باشید تمام این جزئیات در ابعاد نانومتری برای جلوگیری از تونل سازی کوانتومی و نشتی الکترون هاست چون شما وقتی این نشتی رو در میلیاردها ترانسیستور ضرب میکنی نشتی وحشتناکی حاصل میشه) و نتیجش میشه همون افت توانی که شما فرضا توی یک قطعه میبینید (به تصویر زیر دقت کنید)
جدا از این تمام این بحثها وقتی صحبت از آینده و تخمین اندازه ترانزیستورها میشه دانشمندان مشکلات زیادی پیش رو دارند و بخاطر مسائل زیادی که دانش من و شما قد نمیده نمیشه چشم انداز دقیقی از آینده داشت، مثلا همین Fin که بحثش اینجا مطرح شده زمانی که قرار هست به سمت ۷ نانو حرکت بشه دیگه نمیتونن از سیلیکون برای ایزوله کردن جریان انتقال از گیت استفاده کنند که پیش از این SiO2 بود و قرار هست SiGe یا Ge به کاربرده شه (ژرمانیوم خالص یا سیلیکون ژرمانیوم) چون تحرک الکترونشون نسبت به سیلیکون بالاتر هست پس ولتاژ کمتری میکشه و برق کمتری مصرف میکنه و نشتی کمتر و و و .. مثلا همین تغییر خودش یه مشکله چون شرکتهای سازنده این ترانزیستورها از سیلیکون برای ساخت استفاده میکنن چونکه کلّهم این صنعت بر پایه مواد سیلیکونی هست ، شما فرض بکن حالا بخواد به یک باره تغییر پیدا کنه هزینه تحقیق, توسعه, پیاده سازی سرسام آور خواهد بود !
در پاسخ سوال دومتون هم باید گفت هرچقدر کوچکترین شدن هندسی ترانزیستورها با پیچیدگی بیشتری همراه بشه هزینه اونها بالاتر میره !
خلاصه گردون مور یه حرفی زد همه روی گرفتار کرد!