از لیون کامپیوتر قســـــــــــــــــــــــــــــــــــطی خرید کنید
فروش اقساطی برای سراسر ایران
اخبار سخت افزار ، نرم افزار ، بازی و دنیای آیتی در مجله لیون کامپیوتر 
🤩
جستجو در تالارهای گفتگو
در حال نمایش نتایج برای برچسب های 'nand'.
57 نتیجه پیدا شد
-
سامسونگ درایو های SSD NVMe فوق سریع PM981 را معرفی کرد!!
hd5870 پاسخی ارسال کرد برای یک تاپیک در مقالات و اخبار سخت افزار و نرم افزار تهیه شده توسط لیون کامپیوتر
وقتی صحبت از SSD های رده مصرف کننده میشود،شرکت سامسونگ بیشترین محصول در این باره نسبت به دیگر شرکت ها ، در اختیار دارد،حتی اگر فناوری های رقابتی آنها نسبت به این شرکت برتر باشند.با توجه به قیمت گذاری این محصولات،SSD های سامسونگ معمولا قابل اعتمادترین و سریعترین گزینه ها در بازار هستند.مدل های 960 PRO و 960 EVO SSD نمونه بارزی از این محصولات هستند که به خوبی در تثبیت موقعیت بازاری این شرکت درخشیده اند و به زودی جانشینان این درایو ها از راه خواهند رسید. درایوهای نسل بعدی سامسونگ NVMe دارای نام کد PM981 هستندکه استفاده از حروف "PM" در ابتدای آن نشان دهنده استفاده از تراشه های TLC NAND (تراشه های 64 لایه 3 بیتی به ازای هر سلول V-NAND) است.عدد 9 نشانگر بالاترین فناوری مورد استفاده سامسونگ و عدد 81 به معنای جداسازی مدل ها مانند سری 960 سامسونگ است.انتظار میرود که سامسونگ مدلی با کد 970 را در دستور کار خود داشته باشد و با توجه به سری "EVO" و "PRO" ، عملکرد آنها را ترسیم کند.در حال حاضر این مدل تنها از حافظه هایی با ظرفیت 512 گیگ و 1 ترابایتی استفاده خواهند کرد.این داریوها از کنترلر اختصاصی سامسونگ Polaris V2 به همراه یک خنک کننده فلزی بهره میبرند و میتوانند سرعت خواندن متوالی 3000 مگابایت بر ثانیه برای مدل 512 گیگ و سرعت خواندن 3200 مگابایت برثانیه ای را برای مدل 1 ترابایتی فراهم کنند.همچنین مدل 512 گیگ از سرعت نوشتن 1800 مگابایتی و مدل یک ترابایت هم از سرعت نوشتن 2400 مگابایتی برخوردار هستند.این مدل ها توسط یک خرده فروشی ویتنامی ، با قیمت های 230 دلار و 430 دلاری لیست شده اند.این قیمت ها به معنای قیمت نهایی برای مصرف کننده ها نخواهد بود ، هر چند که این فناوری ها و عملکرد بالا برای درایو های NVMe SSD مناسب هستند. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی -
Phison دو کنترلر جدید برای SSD ها طراحی و عرضه میکند!!
hd5870 پاسخی ارسال کرد برای یک تاپیک در مقالات و اخبار سخت افزار و نرم افزار تهیه شده توسط لیون کامپیوتر
نام Phison فقط یک برند سازنده کنترلر نیست .همانطوری که شما میدانید این سازنده ،کنترلر دو کاناله NVMe NAND با نام Phison E8 را در کارنامه خود داردوشما خواهید دید که در ماه های آینده محصولاتی با استفاده از این کنترلر به فروش خواهند رسید.همچنین این شرکت در حال بررسی عملکرد کنترلر های جدید E12 و S12 است .کنترلر جدید E12 قطعا جزء ستارگان جدید در خط تولید Phison است .فقط کافیست نگاهی به رتبه 3200 مگابایتی سرعت در هنگام خواندن و 3000 مگابایتی در حالت نوشتن و یا به امتیازفوق العاده 600K در حالت خواندن و نوشتی تصادفی IOPS نگاهی بیاندازید.به طور طبیعی این رتبه سنجش سرعت باید با استفاده از تراشه های NAND حاصل شده باشد.البته پیاده سازی ترفند هایی در فریمور آن نیز میتواند در دستیابی به استخراج چنین عملکردی و ذخیره سازی با سرعت های بالا نقش داشته باشد. بر خلاف کنترلر E8 ، کنترلر جدید E12 به صورت کامل از در گاه اینترفیس NVMe با پهنای باند PCIe x4 بهره میبرد و اجازه ثبت چنین امتیاز هایی را برای سرعت میدهد.از سوی دیگر شایعست که کنترلر S12 از درگاه SATA III بهره میبردو به معنای آنست که سرعت خواندن متوالی به 550 و سرعت نوشتن متوالی به 530 مگابایت محدود میشود.با این حال به غیر از درگاه رابط و سرعت و امتیاز IOPS ، بقیه مشخصات این کنترلر ها یکسان است . استفاده ازتراشه های 3D NAND از نوع MLC/TLC/QLC به ترتیب 8 کاناله ،پشتیبانی از پروتکل های LDPC و SmartECC و End-to-End DPP در این سری محصولات یکسان هستند. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی -
اخبار جدید شرکت SK Hynix تولیدکننده اعظم چیپهای حافظه
captcha پاسخی ارسال کرد برای یک تاپیک در مقالات و اخبار سخت افزار و نرم افزار تهیه شده توسط لیون کامپیوتر
کمپانی SK Hynix سازنده صاحب نام چیپ های حافظه همزمان با اعلام سود سالانه مربوط به 2016 از طرح های خود برای عرضه حافظه های DRAM و NAND جدید این شرکت در سال جاری میلادی خبر داد. حافظه های ِDRAM با فناوری 21 نانومتر در اواخر سال 2015 SK Hynix شروع به ساخت حافظه DRAM با تکنولوژی 21 نانومتری کرد و به سرعت علاوه بر پیشرفت در این مسیر به یکی از غول های این صنعت تبدیل شد. در حال حاضر محصولات این شرکت با فناوری چیپ های 21 نانومتری شامل طیف گسترده ای از حافظه های ِDRAM سیستم ها و موبایل ها و سایر حافظه های تخصصی تر می شود و تایید کرده است که امسال ساخت حافظه های جدید DRAM با فرایند 10 نانومتر را کلید خواهد زد. مانند سایر کمپانی ها SK نیز درمورد ظرفیت حافظه های خود بسیار محتاطانه عمل می کند و قصد ندارد تغییر کلی در این حافظه ها بوجود آورد. همزمان این شرکت قصددر افزایش تولید خط 21 نانومتری و آغاز ساخت DRAM های 18 نانومتری در نیمه دوم سال 2017 دارد که این امر ناخواسته باعث خروجی بیت بیشتر در حافظه می شود. در واقع همان اندازه که حافظه ها کوچکتر می شوند امکان ساخت بیت های بیشتر در حافظه با یک ویفر خام 300 میلیمتری امکان پذیر می شود. در همین حال تحلیلگر سایت TrendForce معتقد است نیاز بازار به حافظه ها در سال جاری از میزان افزایش 20 درصدی (سال به سال) خود عبور خواهد کرد در حالیکه حافظه های DRAM تولید شده توسط تمام سازنده ها به میزان 19% افزایش خواهد یافت. این میزان تولید علاوه بر کمیاب تر شدن این حافظه ها قیمت نهایی را نیز بالاتر خواهد برد. به غیر از رایانه های شخصی دو عامل دیگر نیز شاهد افزایش تقاضا خواهند بود. یکی پلتفرم Xeon جدید اینتل و دیگری گوشی های هوشمند دارای سیستم عامل Android گوگل که شاهد ارتقاء حافظه ها در مدل های رده بالای آنها خواهیم بود که از میزان 8 گیگابایت حافظه LPDDR4 و LPDDR4X بهره خواهند گرفت. حافظه های NAND جدید در سال 2017 تقاضا برای حافظه های فلش NAND نیز همزمان با رشد تولید محصولات بر این پایه از قبیل گوشی های هوشمند،SSD ها و سایر سازنده ها بطور ثابتی سال به سال افزایش یافته. همچنین شاهد افزایش میزان حافظه نسبت به محصول بوده ایم. برای مثال آیفون 7 شرکت Apple علاوه بر حافظه 16 گیگابایت، حافظه 32 گیگابایتی نیاز خواهد داشت. برای پاسخگویی به این حجم بالای تقاضا سازنده ها حافظه های پر ظرفیت 3D NAND را عرضه می کنند. SK Hynix اولین بار در سال 2015 حافظه های 36 لایه 128 گیگابیتی MLC NAND را عرضه کرد که با نام 3D-V2 نیز شناخته می شوند که در حافظه های همراه بکار می رود. سپس حافظه های 48 لایه 3D NAND یا همان 3D -V3 را تولید کرد که در طیف گسترده تری از محصولات مثل کارت های حافظه، فلش درایو ها و SSD ها استفاده می شد. در نسل سوم خود نیز SK روی حافظه 256 گیگابیتی (32 گیگابایت) TLC تمرکز کرده است. این آی سی ها در ساخت پکیج های NAND 256، 512، 1024، 2048 و حتی 4096 برای عملکردهای مختلف گیگابیت بکار می رفت. امسال SK قصد دارد تا تولید حافظه های 3D NAND TLC خود (3D-V4) را آغاز کند. در ابتدا این چیپ ها دارای حافظه 256 گیگابیتی خواهند بود که در سه ماهه دوم 2017 عرضه می شوند. در ادامه و در آخرین ماههای 2017 این شرکت به عرضه چیپ های 512 گیگابیتی (64 گیگابایت) با همین تکنولوژی خواهد پرداخت که به افزایش ظرفیت های دیسک های جامد SSD منجر می شود.نکته مهم در این حافظه ها افزایش سرعت SSD ها توسط بلاک سایز جدید 13.5 مگابایتی نسبت به مقدار 9 مگابایتی ورژن 3D-V3 است. طبق اطلاعات بدست آمده، مولتی چیپ های 8گیگابیتی NAND ساخت SK Hynix در ظرفیت 1 ترابایت باعث افزایش ظرفیت های SSD ها در ابعاد کوچکتر خواهد شد. توسعه کارخانجات M14 و C2 در گزارش ها آمده است که SK Hynix قصد دارد از طبقه بالایی کارخانه M14 خود جهت ساخت حافظه های NAND جدید استفاده کند. این کمپانی این خبر را تایید کرده ولی جزئیات دیگردی ارائه نداده است. فناوری جدید SK در ساخت NAND فلش های جدید امکان عرضه SSD های ظرفیت بالا را بزودی فراهم خواهد کرد. همچنین این شرکت اقدام به توسعه کارخانه C2 در Wuxi چین جهت افزایش تولید کرده است که حدود 2 سال به طول خواهد انجامید و حدود 790 میلیون دلار هزینه برای این شرکت خواهد داشت. عملیات توسعه این کارخانه تا آوریل 2019 زمان می برد و انتظار تاثیر زود هنگام در قیمت ها نمی رود. منبع : AnandTech مترجم : Adel Riahi
-
معرفی درایو حالت جامد UltimaPro X توسط شرکت Integral
مجتبی حیدرزاده پاسخی ارسال کرد برای یک تاپیک در مقالات و اخبار سخت افزار و نرم افزار تهیه شده توسط لیون کامپیوتر
شرکت انگلیسی Integral از درایو حالت جامد بالا رده UltimaPro X رونمایی کرد. این درایو، گیمرهای حرفه ای، طراحان دیجیتالی و تهیه کنندگان ویدئو را مورد هدف خود قرار داده است. این درایو از یک پردازنده چهار هسته ای و کنترلر هشت کاناله Phison S 10 برای رسیدن به سرعت خواندن 565MB/s و سرعت نوشتن 545MG/s استفاده کرده است . شزکت Integral درایو حالت جامد UltimaPro X را بطور خاصی بای سیستم های گیمینگ بالا رده که بازی ها را با رزولوشن 4K و کیفیت باا اجرا می کنند، ادیتورهای حرفه ای که اطلاعت زیادی را رد و بدل می کنند، انیماتورهای سه بُعدی، اجرای ویدئوهای 4K و فیلم برداری برنامه های زنده ساخته است. در حال حاظر، درایو های هارد دیسک قدیمی به هیچ وجه برای گیمیرها و کاربران حرفه ای، کافی نیستند و آنها را در تنگنای کمبود کارایی قرار می دهند. بخصوص کاربرانی با رم های با ظرفیت بالا و اورکلاک شده، پردازنده های چند هسته ای، کارت گرافیک های دو هسته ای و حتی دو یا چند کارت گرافیکی که با رابط SLI و Crossfire متصل شده اند. اما درایو UltimaPro X اینجاست تا کارایی سیستم شما را بیش از پیش بالا ببرد، مدت زمان بارگذاری بازی ها و نرم افزارها را کاهش دهد و صد البته، سرعت بوت سیستم تان را بطور قابل توجه ای افزایش دهد. درایو حالت جامد مذکور از مموری MLC NAND غیر قابل فرار استفاده کرده است تا بتواند حدود 9,200 عملیات منفرد را در هر ثانیه انجام دهد. رابط اتصال آن نیز SATA 3 با سرعت 6Gb/s می باشد. درایو حالت جامد Integral UltimaPro X در سه حجم 480GB ، 240GB و 960GB تولید خواهد شد. هنوز قیمت این درایوها معلوم نشده است. منبع: techpowerup مترجم: مجتبی حیدرزاده -
دستیابی شرکت Toshiba به دو نوع حافظه NAND جدید
مجتبی حیدرزاده پاسخی ارسال کرد برای یک تاپیک در مقالات و اخبار سخت افزار و نرم افزار تهیه شده توسط لیون کامپیوتر
بخش اول: شرکت Toshiba امروز اعلام کرد که به نسل جدیدی از BiCS FLASH دست یافته، یک نوع فلش مموری سه بعدی با ساختری از سلول های انباشته شده. این فلش مموری، از اولین فلش مموری هایی با سرعت 256 Gigabite یا 32 Gigabyte و 48 لایه ذره مقیاس پذیر (BiCS یا bit cost scalable) و به همراه تکنولوژی TCL یا سلول سطح سوم (TCL یا Triple cell level) می باشد. نمونه هایی از این مموری در ماه September به شرکت های محدودی ارسال می شود. BiCS FLASH بر پایه 48 لایه تشکیل شده و شامل دو مموری NAND می باشد که این نوع چینش، باعث افزایش سرعت خواندن، نوشتن و پاک کردن می شود. از BiCS FLASH در برنامه ها، درایو های حالت جامد (SSD) ، اسمارت فون ها، تبلت ها ، کارت های حافظه و درایو های حالت جامد مخصوص مصارف صنعتی استفاده خواهد شد. از زمان ساخت اولین نمونه BiCS FLASH توسط شرکت Toshiba حدود 8 سال می گذرد (ماه June سال 2007 میلادی) و تا الان، این شرکت به توسعه ی خود در این زمینه ادامه داده است. گفته شده این حافظه ها در نیمه ی اول سال 2016 عرضه و برای اولین بار در درایوهای حالت جامد استفاده خواهند شد. بخش دوم: شرکت Toshiba همچنین از اولین فلش مموری NAND جهان با شانزده قالب انباشته شده که در آن از سیلیکون نیز استفاده شده، (بوسیله تکنولوژی TSV) رونمایی کرد. در حال حاظر ظرفیت مموری NAND FLASH، شانزده قالب است که این مقدار نیز بوسیله شرکت Toshiba بدست آمد. اولین نمونه از این نوع مموری NAND FLASH در تاریخ 11 تا 13 ماه August و طی مراسم Flash Memory Summit 2015 به نمایش در خواهد آمد. در مموری های انباشته شده NAND نسل قبل ، فلش مموری ها بوسیله اتصال سیم به یکدیگر متصل می شدند. اما حالا به کمک تکنولوژی TSV یا Through Silicon Via ، الکترود های نازک عمودی در قالب های سیلیکونی برای برقراری اتصال فلش مموری ها قرار می گیرند که به سبب آن ، سرعت تبادل اطلاعات افزایش چشم گیری می یابند و میزان مصرف برق نیز کم می شود. تکنولوژی انحصاری TSV شرکت Toshiba می تواند سرعت تبادل وردوی/خروجی اطلاعات را تا سقف یک گیگابیت بر ثانیه برساند، سرعتی که هیچ یک از حافظه های NAND کنونی ندارند. انرژی مورد نیاز برای مدار هسته ، حدود 1.8V ، مدار ورودی/خروجی (I/O) برابر 1.2V و تقریبا 50% کاهش انرژی در عملیات نوشتاری ، عملیات خواندنی و تبادل اطلاعات ورودی/خروجی، است. این حافظه بسیار مناسب SSD ها یا همان درایوهای حالت جامد می باشد. منبع: techpowerup مترجم: مجتبی حیدرزاده -
امروز شرکت اینتل و Micron طی همایشی از نسل جدید فلش مموری های 3D XPoint پرده برداری کردند. این اختراع، انقلابی در سرعت رد و بدل کردن اطلاعات بوجود می اورد. تا چندی قبل، حافظه های NAND که طیف وسیعی از آنها در درایوهای حالت جامد استفاده میشد، بعنوان سریعترین و ارزانترین حافظه های موجود در بازار بود، اما حالا، شرکت اینتل دست به اختراع نسل جدید فلش مموری های 3D XPoint زده که به گفته ی این شرکت، این فلش مموری ها، ارزان و سرعتی 1000 برابر بیشتر از فلش مموری ای NAND خواهند بود. همچنین میزان تراکم پذیری این فلش مموری ها 10 برابر مموری های استاندارد است و به ادعای شرکت اینتل، فلش مموری های جدید ساخته ما قادر به دسترسی به داده ها در سرعتی غیر قابل باور داشته باشند. آقای Rob Crooke، مدیر اجرایی این پروژه از اینتل، در این باره گفت: "برای چندین دهه، فعالان صنعت وسایل ذخیره سازی همواره به دنبال کاهش میزان تاخیر بین پردازنده و مکان اطلاعات برای آنالیز سریعتر بودند. حال با آمدن نسل جدید از فلش مموری های non-volatile (غیر قابل فرار؟) ، بشر را در رسیدن به این هدف کمک شایانی کرده و سرعت و کارایی مموری ها و وسایل ذخیره سازی را بسیار بالا برده است." در واقع می توان گفت، نسل جدید فلش مموری های 3D XPoint ، ترکیبی از مموری های DRAM و NAND می باشد: سرعت بالای DRAM + قیمت کم NAND . همانطور که گفتم، کارایی و سرعت حافظه های 3D XPoint حدود 1000 برابر حافظه های NAND است (حتی دارا بودن حافظه NAND به رابط PCIe NVMe نمی تواند کمی به آن کند.) حافظه های جدید 3D XPoint حتی دارای کارایی 1000 برابر بیشتر از فلش مموری های non-volatile می باشد. در حال حاظر دو شرکت Intel و Micron به راحتی می توانند شروع به ساخت معماری های جدید برای نسل جدیدی از وسایل ذخیره سازی، با سرعت خواندن و نوشتن بسیار بالا و تاخیر بسیار کم کنند. هم اکنون، یک حافظه ی 3D XPoint می تواند نهایتا 128 گیگابایت اطلاعات را در خود ذخیره کند، که البته این مقدار در آینده بیشتر خواهد شد. آقای Mark Adams، مدیر عامل شرکت Micron در این باره ابراز نظر کرد: " یکی از قابل توجه ترین موانع در فرآیند محاسبه در زمان فعلی، دسترسی کند پردازنده ها به همه ی اطلاعات دستگاه های ذخیره سازی با ظرفیت بالاست. اما با استفاده از حافظه های پرسرعت و انقلابی 3D XPoint ، این مانع به کلی برداشته می شود و قابلیت دسترسی به دنیایی از اطلاعات و اپلیکیشن ها میسر می شود. منبع: tweaktown مترجم: مجتبی حیدرزاده
-
گویا تشنگی شرکت SanDisk در بالا بردن ظرفیت درایو های حالت جامد تمامی ندارد. در حالی که به لطف استانداردهایی نظیر M.2 و PCIe ، اندازه فیزیکی SSD ها رو به کم شدن است، شرکت بزرگ SanDisk قصد دارد بزودی و از سال آینده شروع به ساخت و معرفی SSD هایی با ظرفیت 6TB و 8TB کند. شرکت مذکور برای رسیدن به این هدف والا، می خواهد از NAND های 15 نانومتری شرکت Toshiba استفاده کند. علاوه بر این، آنها ممکن است از جدیدترین نسل NAND ها، مرسوم به 3D V-NAND نیز بهره ببرند. مدیر عامل شرکت SanDisk، آقای Sanjay Mehrotra در این باره گفت: "ما اکنون در حال توسعه نسل بعدی NAND flash های 15 نانومتری با سرعت 12Gb/s و با ظرفیت و کارایی بالاتری هستیم. ما امیدواریم محصولات جدیمان را در ساب 2016 روانه بازار کنیم، همچنی در پایان همان سال نیز میزان درآمد مان را اعلام خواهیم کرد." شرکت SanDisk در تمامی حرفه های خود، مثل MicroSD ، SSD و غیره، در زمینه ظرفیت آنها پیشرفت های باور نکردنی داشته و در حال حاظر از این شرکت بعنوان Leader یا سرپرست حافظه ساز ها شناخته می شود. منبع: tweaktown مترجم: مجتبی حیدرزاده
