همانطور که مطلعید، استفاده از داده های بزرگ در حال فراگیر شدن است و این داده ها در مجموعه ها و حجم های مختلف به همراه پیچیدگی های مختلف در حال افزایش هستند.به همین دلیل است که روش های جدید اتصال پردازشی منابع هم در حال توسعه هستند.اینتل جز اولین کمپانی هایی بود که با همکاری میکرون، حافظه های 3D XPoint را به عنوان یک راهکار جهت تنگناهای موجود در ذخیره سازی داده ها ، توسعه بخشید.کمپانی سامسونگ نیز در حال تلاش برای جایگزینی برای بازارهای نو ظهور است و یکی از مهمترین بازیگران صنعت حافظه های NAND به شمار میرود و اکنون در حال توسعه زنجیره ای از حافظه های Z-NAND ، برای اینگونه مصارف است.
انتظار میرود که حافظه های Z-NAND ، نسخه جدیدی از تراشه های NAND SLC یا (Single-Level Cell) باشند.این شرکت همواره سعی در بهبود و کنترل جهت دست یابی به IOPS های بیشتر در هر دو حالت خواندن و نوشتن متوالی و تصادفی دارد.حافظه های SLC، اکنون به طور گسترده ای در انواع مختلف SSD های رایج بازار مورد استفاده قرار می گیرد.اما در سال های اخیر بازار SSD ها به سوی فناوریهای چگالی گرایی مانندMLC و یا حتی TLC NAND در جهت دست یابی به بالاترین حجم دریافتی در مقابل هزینه ، سوق داده شده است.فناوری Z-NAND درحقیقت نوعی بازگشت به ریشه های فناوری SLC است.این فن آوری از برخی ترفندها جهت دست یابی به کمترین میزان تاخیر بهره میبرد، که این تاخیر گاها تا میزان ده برابر از حافظه های 3D XPoint کمتر است.در مقایسه انجام شده درایو Optane P4800X با درایو 800 گیگی سامسونگ SZ985 ، در حالت خواندن تصادفی امتیاز درایو سامسونگ به امتیاز(750k در برابر 550k درایو Optane) دست می یابد ولی در حالت نوشتن تصادفی درایو سامسونگ به راحتی از درایو اینتل Optane شکست میخورد ( 175k در برابر امتیاز 550k درایو Optane ).با این حال پهنای باند در حالت خواندن و نوشتن در حافظه های Z-NAND به 3.2 گیگابایت در ثانیه افزایش یافته این در حالیست که این پهنای باند در درایو Optane P4800X به 2.4 گیابایت در حالت خواندن و 2 گیگابایت در ثانیه در حالت نوشتن میرسد. در هر دو فناوری ، ویژگیهای استقامتی نیز به صورت متعادل رعایت شده است.
منبع : Techpowerup
مترجم : محمد فتحی