کمپانی سامسونگ امروز اعلام کرد، فناوری ساخت 8 نانومتری FinFET را با موفقیت آزمایش و واجد شرایط لازم برای تولید است.این پروسه ساخت میزان مصرف انرژی را تا 10 درصد کاهش داده و حتی میزان مساحت اشغال شده نسبت به پروسه قبلی 10 نانومتری LPP هم به مقدار 10 درصد کاهش یافته است.فناوری 8LPP مزایا و قابلیت های بی شماری را برای استفاده در تلفن های همراه و برنامه های کاربردی مانند رمز نگاری های شبکه و سرورها فراهم میکند.انتظار میرود این فرآیند،جذاب ترین گزینه جهت استفاده در بسیاری از برنامه های کاربردی با کارایی بالا باشد.
این فرآیند ساخت ،به عنوان پیشرفته ترین و رقابتی ترین گزینه تا قبل از فناوری EUV (extreme ultra violet) و پروسه ساخت 7 نانو متربه شمار میرود.انتظار میرود پروسه 8LPP به سرعت به سطح عملکردی پایدار برسد.این پایداری در عملکرد قبلا با پروسه 10 نانومتر به اثبات رسیده است.
آقای Ryan Lee معاون بازاریابی ساخت پروسه سامسونگ میگوید: " با تایید تکمیل شدن پیشرفت پروسه ساخت در سه ماه اخیر،ما تولید فرآیند 8LPP را آغاز کردیم،سامسونگ در حال تلاش برای دستیابی به پروسه های جدید است و آنها را به سرعت گسترش میدهد تا مزایای رقابتی متمایز و کاربردهایی عالی را بر اساس آنچه مشتریان ما و بازار نیاز دارند، فراهم کند."
جزئیات مربوط به بروز رسانی های اخیردر این پروسه توسط سامسونگ ، به همراه قابلیتهای 8LPP و فرآیند 7 نانومتری و توسعه EUV ، در تاریخ 18 اکتبر 2017 در مونیخ آلمان طی کنفرانسی اعلام خواهد شد.البته شرکت سامسونگ در اوایل امسال طی مراسمی در ایالات متحده ، کره جنوبی و ژاپن ،فناوریهای پیشرفته خود را با شرکای جهانی خود به اشتراک گذاشته است.
منبع : Guru3d
مترجم : محمد فتحی