از لیون کامپیوتر قســـــــــــــــــــــــــــــــــــطی خرید کنید
فروش اقساطی برای سراسر ایران
اخبار سخت افزار ، نرم افزار ، بازی و دنیای آیتی در مجله لیون کامپیوتر 
🤩
جستجو در تالارهای گفتگو
در حال نمایش نتایج برای برچسب های 'dram'.
21 نتیجه پیدا شد
-
اخبار جدید شرکت SK Hynix تولیدکننده اعظم چیپهای حافظه
captcha پاسخی ارسال کرد برای یک تاپیک در مقالات و اخبار سخت افزار و نرم افزار تهیه شده توسط لیون کامپیوتر
کمپانی SK Hynix سازنده صاحب نام چیپ های حافظه همزمان با اعلام سود سالانه مربوط به 2016 از طرح های خود برای عرضه حافظه های DRAM و NAND جدید این شرکت در سال جاری میلادی خبر داد. حافظه های ِDRAM با فناوری 21 نانومتر در اواخر سال 2015 SK Hynix شروع به ساخت حافظه DRAM با تکنولوژی 21 نانومتری کرد و به سرعت علاوه بر پیشرفت در این مسیر به یکی از غول های این صنعت تبدیل شد. در حال حاضر محصولات این شرکت با فناوری چیپ های 21 نانومتری شامل طیف گسترده ای از حافظه های ِDRAM سیستم ها و موبایل ها و سایر حافظه های تخصصی تر می شود و تایید کرده است که امسال ساخت حافظه های جدید DRAM با فرایند 10 نانومتر را کلید خواهد زد. مانند سایر کمپانی ها SK نیز درمورد ظرفیت حافظه های خود بسیار محتاطانه عمل می کند و قصد ندارد تغییر کلی در این حافظه ها بوجود آورد. همزمان این شرکت قصددر افزایش تولید خط 21 نانومتری و آغاز ساخت DRAM های 18 نانومتری در نیمه دوم سال 2017 دارد که این امر ناخواسته باعث خروجی بیت بیشتر در حافظه می شود. در واقع همان اندازه که حافظه ها کوچکتر می شوند امکان ساخت بیت های بیشتر در حافظه با یک ویفر خام 300 میلیمتری امکان پذیر می شود. در همین حال تحلیلگر سایت TrendForce معتقد است نیاز بازار به حافظه ها در سال جاری از میزان افزایش 20 درصدی (سال به سال) خود عبور خواهد کرد در حالیکه حافظه های DRAM تولید شده توسط تمام سازنده ها به میزان 19% افزایش خواهد یافت. این میزان تولید علاوه بر کمیاب تر شدن این حافظه ها قیمت نهایی را نیز بالاتر خواهد برد. به غیر از رایانه های شخصی دو عامل دیگر نیز شاهد افزایش تقاضا خواهند بود. یکی پلتفرم Xeon جدید اینتل و دیگری گوشی های هوشمند دارای سیستم عامل Android گوگل که شاهد ارتقاء حافظه ها در مدل های رده بالای آنها خواهیم بود که از میزان 8 گیگابایت حافظه LPDDR4 و LPDDR4X بهره خواهند گرفت. حافظه های NAND جدید در سال 2017 تقاضا برای حافظه های فلش NAND نیز همزمان با رشد تولید محصولات بر این پایه از قبیل گوشی های هوشمند،SSD ها و سایر سازنده ها بطور ثابتی سال به سال افزایش یافته. همچنین شاهد افزایش میزان حافظه نسبت به محصول بوده ایم. برای مثال آیفون 7 شرکت Apple علاوه بر حافظه 16 گیگابایت، حافظه 32 گیگابایتی نیاز خواهد داشت. برای پاسخگویی به این حجم بالای تقاضا سازنده ها حافظه های پر ظرفیت 3D NAND را عرضه می کنند. SK Hynix اولین بار در سال 2015 حافظه های 36 لایه 128 گیگابیتی MLC NAND را عرضه کرد که با نام 3D-V2 نیز شناخته می شوند که در حافظه های همراه بکار می رود. سپس حافظه های 48 لایه 3D NAND یا همان 3D -V3 را تولید کرد که در طیف گسترده تری از محصولات مثل کارت های حافظه، فلش درایو ها و SSD ها استفاده می شد. در نسل سوم خود نیز SK روی حافظه 256 گیگابیتی (32 گیگابایت) TLC تمرکز کرده است. این آی سی ها در ساخت پکیج های NAND 256، 512، 1024، 2048 و حتی 4096 برای عملکردهای مختلف گیگابیت بکار می رفت. امسال SK قصد دارد تا تولید حافظه های 3D NAND TLC خود (3D-V4) را آغاز کند. در ابتدا این چیپ ها دارای حافظه 256 گیگابیتی خواهند بود که در سه ماهه دوم 2017 عرضه می شوند. در ادامه و در آخرین ماههای 2017 این شرکت به عرضه چیپ های 512 گیگابیتی (64 گیگابایت) با همین تکنولوژی خواهد پرداخت که به افزایش ظرفیت های دیسک های جامد SSD منجر می شود.نکته مهم در این حافظه ها افزایش سرعت SSD ها توسط بلاک سایز جدید 13.5 مگابایتی نسبت به مقدار 9 مگابایتی ورژن 3D-V3 است. طبق اطلاعات بدست آمده، مولتی چیپ های 8گیگابیتی NAND ساخت SK Hynix در ظرفیت 1 ترابایت باعث افزایش ظرفیت های SSD ها در ابعاد کوچکتر خواهد شد. توسعه کارخانجات M14 و C2 در گزارش ها آمده است که SK Hynix قصد دارد از طبقه بالایی کارخانه M14 خود جهت ساخت حافظه های NAND جدید استفاده کند. این کمپانی این خبر را تایید کرده ولی جزئیات دیگردی ارائه نداده است. فناوری جدید SK در ساخت NAND فلش های جدید امکان عرضه SSD های ظرفیت بالا را بزودی فراهم خواهد کرد. همچنین این شرکت اقدام به توسعه کارخانه C2 در Wuxi چین جهت افزایش تولید کرده است که حدود 2 سال به طول خواهد انجامید و حدود 790 میلیون دلار هزینه برای این شرکت خواهد داشت. عملیات توسعه این کارخانه تا آوریل 2019 زمان می برد و انتظار تاثیر زود هنگام در قیمت ها نمی رود. منبع : AnandTech مترجم : Adel Riahi
-
در پیش نمایش ها و معرفی اولیه حافظه های 3D XPoint اینتل، این کمپانی عنوان کرد نه تنها برای رواج این حافظه ها به عنوان کش سیستم یا جایگزینی درایوهای SSD برنامه ریزی کرده، که این حافظه ها می توانند جانشینی بالقوه برای DRAMها هم باشند. هدف از این کار ایجاد تحول در میزان حافظه DRAM است که یک سیستم مشخص می تواند داشته باشد به علاوه قیمتی بسیار کمتر برای هر گیگابایت و تفاوت کارایی تا حد زیادی قابل قبول. اینتل پیاده سازی فعلی DRAMها را به عنوان راه حلی بسیار کم حجم، گران و ناپایدار (از دست رفتن اطلاعات هنگام قطعی جریان مصرفی) برای تداوم بقاء در رأس زنجیره غذایی حافظه ها توصیف می کند. همینجاست که پیاده سازی حافظه های 3D XPoint در حالت DIMM با به ارمغان آوردن فضای ذخیره سازی به طور قابل توجهی بیشتر با قیمتی بسیار کمتر و میزان پهنای باند و زمان تأخیر بهتر، مزیت های خود را نمایان می کنند. البته DRAM همچنان می تواند نقشی حیاتی در سیستم ها و عملیات بوت ایفا کنند اما در حجم هایی کمتر، تا در کنار حافظه های 3D XPoint که اکثریت وظایف را بر عهده می گیرند در اسلات های DIMM قرار گیرد. البته یکی از نقطه ضعف های چنین استفاده ای از حافظه های 3D XPoint می تواند این باشد: به دلیل اینکه این حافظه ها ماندگار هستند (یعنی حتی هنگامی که جریان مصرفی سیستم هم قطع شود اطلاعات خود را از دست نمی دهند) وقفه در کار یا قطعی جریان اطلاعات نوشته شده در این حافظه ها را پاک نمی کند که روی دیگر سکه در نیاز داشتن این جانشین DRAMها به اقدامات احتیاطی و امنیتی بیشتر است زیرا هر فردی با دسترسی فیزیکی به استیک ها می تواند به راحتی آن را از سیستم خارج کرده و اطلاعات داخلی آن را بردارد. با توجه به تمام تغییرات مورد نیاز این پیاده سازی از سوی پذیرندگان، محدوده زمانی ورود به بازار در سال 2018 کمی برای این تکنولوژی خوشبینانه است اما قطعاً ویژگی های حافظه های 3D XPoint اینتل به اندازه کافی برای کاربران امیدوار کننده هست تا با آغوشی باز به استقبال این تکنولوژی بروند. منبع: TechPowerUp مترجم: مجید بکائیان
-
سامسونگ از آمادگی خود برای افزایش تولید تراشه های DRAM خبر داد
hd5870 پاسخی ارسال کرد برای یک تاپیک در مقالات و اخبار سخت افزار و نرم افزار تهیه شده توسط لیون کامپیوتر
کمپانی سامسونگ الکترونیک ، از بزرگترین تولید کنندگان حافظه های فلش NAND و DRAM ، امروز اعلام کرد که آمادگی لازم جهت افزایش تولید این تراشه ها را بدست آورده است.این شرکت با گسترش دو کارخانه مهم تولید محصولات DRAM خود در شهر های Hwasung و Pyeongtaek واقع در کشور کره جنوبی ،آن را تقویت خواهد کرد.این کمپانی قرار است که قسمت خط فرمان تولید تراشه های 2D NAND خود واقع در کارخانه Hwasung را به جهت تولید تراشه های DRAM ، باز طراحی کند.این خط تولید جدید از نیمه اول سال 2018 آغاز شده و کارخانه واقع در Pyeongtaek نیز به عنوان شعبه دوم ، فعالیت های مشابهی را جهت تولید DRAM آغاز خواهد کرد. انتظار میرود ، این افزایش تولید تنها برای نیمه دوم سال 2018 میسر شود و کاربران در آن زمان است که میتوانند تاثیر قیمت حافظه های کامپیوتر را با افزایش تولید تراشه های DRAM توسط سامسونگ احساس کنند.البته صنعت رایانه ، تنها مصرف کننده DRAM نیستند و بخش عظیمی از آن توسط صنعت وسایل قابل حمل مانند تلفن های همراه هوشمند و تبلت ها مصرف میشود.موجودی تراشه های DRAM طی سه ماهه سوم سال گذشته ،تحت نوسانات و فشار شدید قرار گرفته است که باعث افزایش قیمت حافظه های PC به میزان 80 تا 100 درصد و یا حتی فراتر از آن شده است. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی -
بر طبق گزارش های منتشر شده از موسسه DRAMeXchange ،کمبود حافظه های رم تا اوآخر سال 2018 نیز ادامه خواهد داشت . این کمبود در زمان حال هم مشاهده میشود، و باعث بالا رفتن قیمت های حافظه شده است .با این حال این میزان تولید ناکافی به نظر میرسد ،البته ممکن است تقاضای بالای برای حافظه های گوشی های هوشمند دلیل اصلی این کمبود به شمار آیند. امابه نظر میرسد سه تولید کننده اصلی حافظه یعنی سامسونگ ، میکرون و SK Hynix با محدود کردن حجم تولید خود ،باعث شده اند قیمت ها به صورت کاملا مصنوعی روند صعودی داشته باشند.این شرکت ها تصمیم به گسترش ظرفیت ها و مهاجرت آهسته به تکنولوژیهای جدیدتر دارند،تا بتوانند قیمت ها را در همان مقدار سطح بالا حفظ کرده و حاشیه سود آوری خود را افزایش دهند. انتظار میرود تولید حافظه های رم تا سال 2018 به مقدار 19/6 درصد افزایش یابد ،اما همچنان از مقدار تقاضای 20.6 درصدی پایین تر است .این مقدار عرضه احتمالا نوید عرضه محدود توسط فروشندگان را میدهد که حتی با عرضه های جزئی این کمبود عرضه قابل ملاحظه ترخواهد بود.این بدان معناست که عرضه های فعلی حافظه یا با قیمت های کنونی تثبیت خواهند شد و یا اینکه از سطح قیمت فعلی بالاتر خواهند رفت.گزارش ها حاکی از آن دارند که هر سه تولید کننده حافظه ،در تلاش برای گسترش تولیدات خوددر خط تولیدشان هستند.در هر حال همه این شرکت ها درگیر مقایسه قیمت محصولاتشان هستندو تلاش میکنند با عرضه بیشتر این قیمتها را کاهش دهند. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
-
کمپانی SK Hynix به تازگی اعلام کرد که موفق به توسعه اولین ماژول حافظه های Double Data Rate 4 یا همان DDR4 با فناوری 1Ynm با سرعت 8 گیگابیت شده است.به گفته این کمپانی بهره وری این محصول تا حدود 20 درصد افزایش داشته و میزان مصرف انرژی نیز در قیاس با نسل قبلی 1Xnm DRAM حدود 15 درصد کاهش یافته است.همچنین حافظه های جدید اکنون به سرعت انتقال داده تا 3200 مگابیت در ثانیه رسیده اند که سریعترین سرعت پردازش داده ها در رابط DDR4 به شمار میرود.این شرکت به تازگی یک طرح ابداعی به نام 4-Phase Clocking را به تصویب رسانده که با توجه به آن کلاک سیگنال به دو برابر افزایش پیدا میکند و سرعت و ثبات در انتقال داده ها را افزایش میدهد. SK Hynix همچنین فناوری دیگری تحت نام Sense Amp. Control را معرفی میکند که جهت کنترل مصرف انرژی و تشخیص خطا در داده ها به کار گرفته میشود.این شرکت در حال بهبود ساختار ترانزیستورها است تا احتمال هر گونه خطا در داده ها را کاهش دهد، چالشی که همواره با کوچکترشدن گره ساخت ، پیش روی سازندگان قرار دارد.این شرکت حتی یک منبع تغذیه با میزان تواندهی پایین را به مدار این حافظه ها اضافه کرده تا از هدر رفت غیر ضروری مصرف انرژی جلوگیری کند. SK Hynix قصد دارد تا در آینده ، فناوری 1Ynm را به بخش سرورها و PC ها و کمی بعدتر به سایر دستگاه ها و برنامه های کاربردی نظیر تلفن های هوشمند ، گسترش دهد. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
-
SK Hynix اولین ماژول DDR5 DRAM با سرعت 16 گیگابیت را معرفی کرد
hd5870 پاسخی ارسال کرد برای یک تاپیک در مقالات و اخبار سخت افزار و نرم افزار تهیه شده توسط لیون کامپیوتر
کمپانی SK Hynix اعلام کرد که آنها موفق به توسعه اولین ماژول حافظه DDR5 DRAM با سرعت 16 گیگابیت شده اند.این ماژول اولین ماژول DDR5 است که توانسته استاندارد JEDEC را دریافت کند.این حافظه ها از فناوری پردازش 1Ynm که اخیرا در حافظه های DDR4 DRAM با سرعت 8 گیگابیت اعمال شده ، استفاده میکنند.DDR5 نسل بعدی حافظه های DRAM به شمار میرود که دارای سرعت و تراکم فوق العاده بالا و مصرف انرژی پایین تر نسبت به حافظه های DDR4 هستند و قرار است در کاربردهایی نظیر پردازش داده های بزرگ ، هوش مصنوعی و ماشین های یادگیری ، مورد استفاده قرار بگیرند. یکی از موفقیت های حاصل شده توسط SK Hynix در مورد نسل جدید DDR5 ، کاهش ولتاژ کاری از 1.2 ولت به 1.1 ولت است که باعث شده نسبت به حافظه های DDR4 DRAM به میزان 30 درصد از مصرف انرژی کاسته شود.یک ماژول 16 گیگابیتی DDR5 DRAM ، میتواند از سرعت انتقال داده تا 5200 Mbps پشتیبانی کند که حدود 60 درصد سریعتر از سرعت 3200 Mbps نسل DDR4 است.این یعنی اکنون میتواند تعداد 11 فایل ویدئویی فول HD با ظرفیت 41.6 گیگابایت را با سرعت 3.7 گیگابایت بر ثانیه ، پردازش کند. SK Hynix همچنین ماژور چیپست های RDIMM و UDIMM را برای پلتفرم های سرور و PC ارائه خواهد داد که طبق استاندارد JEDEC DDR5 ، تعداد بانک حافظه را از 16 به 32 افزایش میدهد.بر اساس گزارش منتشر شده از موسسه تحقیقاتی IDC ، انتظار میرود که تقاضای بازار برای حافظه های DDR5 از سال 2020 افزایش پیدا کند.طبق پیش بینی این موسسه DDR5 ها تا سال 2021 حدود 25 درصد و تا سال 2022 حدود 44 درصد افزایش تقاضا را تجربه خواهند کرد. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی -
کمپانی اینتل در حال تکمیل موج جدیدی از پردازنده های خانواده Xeon Scalable است که بر پایه سیلیکن جدید Cascade Lake ساخته خواهند شد.یکی از اولین بخش های این پروژه ، یک تراشه 28 هسته ای مجهز شده به شش کانال ارتباطی حافظه DDR4 است.با توجه به پشتیبانی از سه اسلات DIMM در هر کانال ، در نتیجه تعداد 18 اسلات DIMM به ازاری هر سوکت ، قابل دست یابی است.کنترلرهای یکپارچه حافظه نیز میتوانند حداکثر از مقدار 3.84 ترابایت حافظه پشتیبانی کنند.نکته جالب توجه اینست که حافظه های پشتیبانی شده ، لازم نیست از خانواده DRAM ها باشند. قرار است intel همزمان با نسل بعدی پردازنده های سازمانی خود، پشتیبانی از حافظه های Optane Persistent را نیز معرفی کند.ماژول های حافظه بر اساس فناوری 3D X-point از لحاظ عملکرد ، مابین حافظه های NAND مورد استفاده در SSD ها و DRAM ها قرار میگیرند.این در حالیت که از لحاظ نحوه کار بسیار شبیه به DRAM ها کار میکنند.این حافظه ها دارای استقامت بالایی هستند و با هر بار ریبوت مجدد و یا در هنگام قطع برق ، داده های ذخیره شده در آنها از بین نمیروند.این یکی از مزیت های خوب این حافظه به شمار میرود و میتواند برای سازمان هایی که نیاز به سرعت بالا در دست یابی مجدد به اطلاعات خود دارد ، بسیار مفید واقع شود.حافظه های Optane Persistent میتوانند به ازای هر اسلات DIMM تا ظرفیت 512 گیگ را پشتیبانی کنند.این ظرفیت 512 گیگی تنها با استفاده از فناوری 3D X-point حاصل شده که به یک کنترلر اسلات DIMM متصل شده است و میتواند مانند یک رابط کاربری استاندارد DDR4 در اختیار شما باشد. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
-
- 1
-
-
- cascade lake
- xeon scalable
- (و 5 مورد دیگر)
-
به گفته خبرگزاری Korea Times ، نه تنها شرکت آمریکایی Micron ، بلکه دو تراشه ساز مطرح کره ای یعنی Samsung و SK Hynix نیز قربانی سازندگان چینی تراشه های حافظه شده اند.به نظر میرسد که سازندگان چینی ، طرح های اولیه ساخت DRAM ها را از این شرکت ها به سرقت برده باشند.به گفته تولید کنندگان DRAM ، محصولات این شرکت ها دارای IP های اختصاصی خریداری شده ای هستند که طی چندین دهه سرمایه گذاری و تحقیق و توسعه بدست آمده است. اما بااین حال شرکت های چینی مایل نیستند تا از سازندگان DRAM ، مجوز رسمی را دریافت کنند.در صنعت نیمه هادی ها ، جهت ثبت اختراعات ، هزینه های هنگفتی صرف آنها میشود.پس بنابراین طبیعی است که شرکت هایی که وقت و هزینه های بالایی را برای این کار صرف میکنند، بخواهند از آنها محافظت کنند. بدون داشتن مالکیت معنوی یا همان حق ثبت اختصاصی ، شما نمیتوانید نقشی در این صنعت داشته باشید.شما نیاز به تکنولوژی های جدید دارید و باید توانایی تولید در مقیاس وسیع را داشته باشید.همچنین باید مشخصات و طرح های واجد شرایط را در محصولتان داشته باشید.این کار جهت پاسخگویی به درخواست های مشتریان الزامیست.یکی از مهندسین سامسونگ در این باره میگوید : مالکیت معنوی طی دهه ها تلاش و سرمایه گذاری بدست آمده است ، شرکت های چینی برای چنین کاری آمادگی ندارند، زیرا آنها بدون داشتن طرح اختصاصی دست به تولید و توسعه تراشه های DRAM زده اند که به نظر میرسد برای آنها مشکل ساز شود.از کمپانی های چینی که در ابتدا از سوی میکرون و حالا از سوی دو شرکت کره ای متهم به سرقت طرح های تراشه شده، شرکت Fujian Jin Hua IC است.میکرون این سازنده چینی را متهم کرده که آنها IP طرح های ریخته گری نیمه رسانای این شرکت را از طریق یک سازنده تایوانی به نام UMC به سرقت برده اند.با این حال دادگاه های چینی این شرکت تایوانی را تبرئه کرده و به نفع آن رای دادند. همچنین فروش تراشه های میکرون توسط این دادگاه در کشور چین نیز ، ممنوع اعلام شده است. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
-
Micron اعلام کرد که این کمپانی آمادگی لازم برای عرضه حافظه های 96 لایه با فناوری 3D NAND را به دست آورده و قرار است تا نیمه دوم سال 2018 ، اولین محموله خود را روانه بازار کند.بسیاری از SSD های کنونی از فناوری 32 لایه و در برخی موارد از فناوری تراشه های 64 لایه بهره میبرندبرای مثال درایو Crucial MX500 نمونه ای از SSD های حال حاضر با این فناوری به شمار میرود که از فناوری 64 لایه بهره میبرد.نسل سوم حافظه های 96 لایه 3D NAND باعث افزایش ظرفیت ذخیره سازی در هر تراشه میشود و اجازه میدهد تا دستگاه های قابل حمل که از این تراشه ها بهره میبرند نیز به همان نسبت کوچکتر شوند.حتی در مقایسه با تراشه های 64 لایه کنونی ، هزینه تولید این تراشه ها هم کاهش خواهد داشت.این امر میتواند به قیمت گذاری کلی درایو های SSD که از این تراشه ها بهره میبرد بسیار کمک کند. میکرون انتظار دارد که تولید DRAM های 1X nm (یا 18 نانومتر) تا قبل از پایان سال جاری ، نسبت به نسل قبل حتی بیشتر باشد.نسل بعدی DRAM های 1Y nm (15 ویا 16 نانومتر ) جهت راه اندازی در نیمه دوم سال 2018 در حال برنامه ریزی هستند.دور از ذهن نخواهد بود که تمامی محصولات مبتنی بر نسل جدید حافظه های 96 لایه 3D NAND حداکثر تا نیمه دوم امسال به صورت عمومی منتشر شوند و اولین محصولات آنها تا پایان سال جاری در دسترس کاربران قرار بگیرند. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
-
کمپانی اینتل به تازگی اعلام کرد ، ماژول های DIMM مبنی بر تراشه های Optane را تا نیمه دوم سال 2018 روانه بازار خواهد کرد.DIMM های Optane را می توان بزرگترین تغییر در حافظه های کامپیوتری در دو دهه اخیر دانست.DIMMهای Optane بسیار پایدار هستند و شامل ویژگیهای مفید تراشه های DRAM و NAND flash هستند . ازاین ویژگیها سرعت بالا با زمان تاخیر کم از تراشه های DRAM و باقی ماندن داده ها پس از قطع انرژی نیز از تراشه های NAND به ارث رسیده است.این افزایش سرعت و تاخیر کم ، با فناوری 3D XPoint میسر شده اند.در حال حاضر اینتل مشغول فروش SSD های رده مصرفی بر اساس این فناوری است و به همین دلیل تولید چیپ هایی بر اساس فناوری 3D XPoint را افزایش داده است. اینتل DIMM های Optane را در خلال کنفرانس جهانی فناوریهای 2017 USB نمایش داد. DIMM های Optane به عنوان یک دستگاه ذخیره سازی اولیه معرفی شدند و میتوانند نقش یک دستگاه نقشه برداری از حافظه را ایفا کنند. همه اینها حتی با تراکم بسیار بیشتر نسبت به آنچه که حافظه های DDR4 DRAM فراهم میکنند را میسر کرده است.طبق معمول ، بخش سازمانی اولین مکانی خواهد بود که این فناوری را در اختیار خواهند داشت. با این که اینتل با هدف محاسبات گسترده و مانند ( نزدیک به سوپر کامپیوترها )، این صنعت را به سمت دیگر بخش های سازمانی سوق میدهد، اما قبل ازهر چیز مجبور خواهد بود در نهایت راه خود را به بخش مصرف کننده و بخش هایی از این پیشرفت به صنعت DRAM متوسل کند تا بتواند همه اقدامات خود را با هم انجام دهد و یا اینکه قیمت ها را کاهش دهد و یا تراکم را افزایش دهد یا اینکه به طور اتفاقی از این مسیر جدا شود. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
-
سامسونگ از حافظه های گرافیکی GDDR6 با سرعت 16 گیگابیت رونمایی کرد!
hd5870 پاسخی ارسال کرد برای یک تاپیک در مقالات و اخبار سخت افزار و نرم افزار تهیه شده توسط لیون کامپیوتر
کمپانی سامسونگ اعلام کرد که در طی مراسم CES ، موفق شده برای تولید تراشه های حافظه گرافیکی GDDR6 ، جوایز این نمایشگاه را دریافت کند.بر اساس اطلاعات منتشر شده ، آنها اشاره به یک و یا دو مورد از مشخصات و فناوری به کار رفته در این حافظه ها دارند. طی گزارشی آمده است : سامسونگ موفق به تولید نسل جدیدی از سریعترین حافظه های GDDR6 با پهنای باند16Gb در ثانیه شده است که با کمترین میزان مصرف انرژی ،تحت شدیدترین برنامه های گرافیکی بسیار سنگین نهایت بازدهی را دارند.تصاویر و ویدئو ها به سرعت 16 گیگابیت وبا پهنای باند 64 گیگابایت میتوانند دسترسی داشته باشد که این سرعت برابر با انتقال 12 دی وی دی فول اچ دی ( با حجم 5 گیگابایت ) در هر ثانیه است.تراشه های جدید DRAM با ولتاژ 1.35 ولت فعالیت خواهند کردو مزایای بیشتری نسبت به تراشه های حافظه گرافیکی فعلی با 1.5 ولتی و سرعت 8 گیگابیت ، دارند. این بدان معناست که پهنای باند 8Gbps در نسل فعلی، به دوبرابر رسیده است ،چیزی که در کارت GeForce GTX 1070 Ti میبینید. خبر خوب این است که ما می دانیم احتمالا در موج بعدی کارت های گرافیکی قرار است استفاده شوند، همچنین از ولتاژ کمتر بهره می برند و می تواند پهنای باند را بیش از حافظه نسل فعلی GDDR5به دو برابر افزایش دهند.برای مقایسه بد نیست بدانید حافظه های GDDR5 بر روی کارتهایی نظیر 1070 و یا RX 480 با سرعت 7 و یا 8 گیگابیت فعال هستند و حتی حافظه های GDDR5X که بر روی کارت 1080 قرار گرفته اند به نهایت سرعت 11 گیگابیت میتواند دست پیدا کند. زمانی که حافظه های GDDR6 از راه برسند، جایگزین حافظه های GDDR5X خواهند شد.سرعت کلاک آنها در ابتدا از 14 تا 16 گیگابیت آغاز میشود و به معنای دوبرابر پهنای باند بیشتر با فرکانس بالاتر است .ولتاژ این حافظه ها کمی عجیب است ،زیرا مشابه ولتاژ درحافظه های GDDR5X است.کمپانیهای دیگری از جمله SK Hynix و میکرون نیز قرار است تولید تراشه های GDDR6 را آغاز کنند. منبع : Guru3d مترجم : محمد فتحی -
AMD در حال کار بر روی کنترلر حافظه های GDDR6 است
hd5870 پاسخی ارسال کرد برای یک تاپیک در مقالات و اخبار سخت افزار و نرم افزار تهیه شده توسط لیون کامپیوتر
طی گفتگویی که با یکی از اعضای اصلی تیم فنی AMD یعنی آقای Daehyun Jun انجام شد ، وی گفت آنها در حال کار بر روی کنترلر DRAM برای حافظه های GDDR6 هستند. همه میدانیم که حافظه های HBM در هر نوع قالبی هنوز گران قیمت و برای استفاده هنوز هم دشوار هستند، این دقیقا چیزی بود که در هنگام راه اندازی سری خانواده کارت گرافیک های VEGA مشخص شد.این در حالیست که AMD به دنبال پیشرفت در تکنولوژی با هزینه های بسیار پایین است و امیدوار است با حافظه های GDDR6 به آن دست پیدا کند. به همین دلیل آنها شروع به طراحی یک کنترلر جدید ، برای بکارگیری در پردازنده های گرافیکی خود کرده اند. حافظه های GDDR6 پتانسیل دوبرابری پهنای باند حافظه نسل فعلی مانند سرعت 8Gbps حافظه های به کار رفته در کارت 1070Ti را دارند. و خبر خوب این است که ممکن است در موج بعدی کارت های گرافیکی به خدمت گرفته شوند.این حافظه ها با ولتاژ کمتر میتوانند پهنای دوبرابری را نسبت به حافظه های نسل GDDR5 ،در اختیار پردازنده گرافیکی قرار دهند.برای مثال حافظه های به کار رفته در دو کارت GTX 1070 و یا RX 480 با سرعت 7 و یا 8 گیگابیت در ثانیه فعالیت میکنند، این در حالی است که حافظه هایGDDR5X به کار رفته در کارت 1080 با سرعت 10 و یا 11 گیگابیت در ثانیه فعالیت دارند. با ورود حافظه های GDDR6 فعالیت حافظه های GDDR5X پایان میابد.سرعت حداقلی برای این حافظه ها از 14 و یا 16 گیگابیت در ثانیه شروع خواهد شد و این معنای پهنای باند دوبرابری با فرکانس بالاتر را نسبت به این نسل خواهد داد.ولتاژ حافظه های GDDR6 کمی عجیب است و مانند حافظه های GDDR5X بر روی 1.35 ولت قرار گرفته است. همچنین در تولید این حافظه ها قرار است دو شرکت SK Hynix و Micron هم وارد عرصه رقابتی شوند.به احتمال زیاد حافظه های GDDR6 از اوایل سال 2018 در دسترس خواهند بود. منبع : Guru3d مترجم : محمد فتحی -
کمپانی سامسونگ اعلام کرد که تولید انبوه ماژول های هشت گیگابایتی نسل دوم حافظه های HBM2 با سریعترین میزان سرعت انتقال داده ها یعنی 2.4 گیگابیت درثانیه را آغاز کرده است.از نظر سامسونگ راه حل Aquabolt با برخورداری از سرعت تبادل 2.4 گیگابیتی به ازای هر پین ، سریعترین راهکار موجود در این صنعت به شمار میرود.ماژول های هشت گیگابایتی جدید HBM2 سامسونگ ، دارای بالاترین سطح عملکردی با تراشه های DRAM هستند که میتوانند به سرعت 2.4 گیگابیت و ولتاژ 1.2 ولتی به ازای هر پین دست پیدا کنند. این موضوع بهبود پنجاه درصدی در عملکرد را نسبت به نسل اول حافظه های HBM2 با سرعت 1.6 گیگابیت و ولتاژ 1.2 ولتی و حتی نسخه 2.0 گیگابیتی در ولتاژ 1.35 ولتی را نشان میدهد. با وجود این پیشرفت ، تنها یک پکیج 8 گیگابایتی حافظه HBM2 سامسونگ ، قادر به ایجاد پهنای باندی برابر با 307 گیگابایت بر ثانیه است، که به میزان 9.6 برابر سریعتر از چیپ های GDDR5 با فرکانس 8 گیگابیت بر ثانیه است که پهنای باند 32 گیگابیتی را فراهم مکیند.با استفاده از چهار پکیج جدید حافظه های HBM2 در یک سیستم ، پهنای باند عظیم 1.2 ترابایتی فراهم میشودکه میزان پنجاه درصد بهبود کارایی نسبت به تراشه های HBM2 با فرکانس 1.6 گیگابیت را نشان میدهد. برای دست یابی به چنین عملکرد بی سابقه ای ، سامسونگ در طراحی نسل دوم حافظه های HBM2 ، از فن آوری جدیدی موسوم به TSV بهره گرفته است که براحتی میتواند کنترل حرارتی بر روی این حافظه ها داشته باشد.یک بسته تکی 8 گیگابایتی حافظه HBM2 شامل 8 قطعه سیلیکنی یک گیگابیتی حافظه HBM2 است ، که به صورت عمودی با بیش از 5000 مسیرTSV ، ارتباط برقرار میکند.این تعداد بالای مسیر ارتباطی ممکن است باعث بروز مشکلاتی از قبیل خطاهای پالس ساعت بر روی مدارات جانبی شود ، البته سامسونگ با نگاه داشتن این میزان از خطاها در حالت متوسط ، توانسته است عملکرد این حافظه ها را افزایش دهد. علاوه بر اینها سامسونگ نقاط گرمایی بین قطعه های سیلیکنی حافظه های HBM2 را افزایش داده است ، که توانسته امکان کنترل گرمایی بیشتری را در هر بسته فراهم کند.همچنین تراشه های HBM2 جدید، شامل یک لایه حفاظتی اضافی در قسمت پایین است ، که قدرت کلی فیزیکی هر بسته را افزایش میدهد. منبع : Guru3d مترجم : محمد فتحی
-
ADATA سازنده تایوانی حافظه های کامپیوتری DRAM با کارایی بالا و محصولاتی بر پایه حافظه های NAND Flash ، اعلام کرد که سری جدید حافظه های مخصوص اورکلاکینگDDR4 XPG Z1 را جهت دستیابی به نهایت کارایی طراحی کرده است و با استفاده از آنها ، اورکلاکرها ، علاقه مندان به سخت افزار ها و گیمرها را مورد هدف قرار داده است.کمپانی ADATA تدارکات لازم را برای حضور در نمایشگاه CES 2018 دیده است و اولین کیت حافظه DDR4 از سری XPG Z1 در ظرفیت 16 گیگابایتی و با فرکانس 4600 مگاهرتز با زمان تایمینگ CL 19-26-26-46 1.5V را به نمایش خواهد گذاشت. این کیت با شناسه (AX4U460038G19-DRZ) شناخته خواهند شد و با پلتفرم Z370 و X299 اینتل سازگار خواهند بود.شرکت ADATA کیت XPG Z1 DDR4 4600MHz را به همراه مادربردMSI Z370I GAMING PRO CARBON AC به نمایشگاه CES 2018 خواهد آورد.دسترسی به این کیت از کوارتر اول سال 2018 فراهم خواهد بود.قیمت تعیین شده MSRP برای نمونه 2x8 گیگابایتی برابر با 579 دلار خواهد بود. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
-
چند سالیست که ما شاهد افزایش قیمت در نیمه هادی ها و تراشه های NAND هستیم. این افزایش قیمتها بارها و بارها مورد انتقاد قرار گرفته اند به طوری که حتی مستنداتی در این باره ، جمع آوری شده است.گزارشات نشان میدهند که تقاضای بازار به شدت افزایش یافته است ، اما این موضوع ربطی به توانایی تولید شرکت ها و حتی عرضه آنها مرتبط نبوده اند.با این حال گزارشات اخیر نشان میدهد که، شرکت های تولید کننده ، در حال برنامه ریزی جهت افزایش تولید DRAM ها و تراشه های NAND هستند، که با توجه به افزایش تقاضا ، ممکن است برخی چشم های نظارتی ، این موضوع را هدف خود قرار دهند. کمیسیون نظارت بر قیمت گذاری و کمیته ملی توسعه و اصلاحات چین (NDRC) در اینباره گفت ، آنها از وضعیت کنونی آگاه هستند.آنها سخت در تلاش برای ترمیم قیمت گذاری از سوی چهار تولید کننده عمده تراشه های NAND یعنی (سامسونگ ، میکرون، اسکاهاینیکس و توشیبا )هستند. گزارش شده که حداقل کمپانی سامسونگ با مقامات چینی به توافق نزدیک شده اند، هر چند در گذشته هم بارها مشاهده شده که سامسونگ و SK Hynix در این باره به توافق نرسیده اند. با این حال شرکت های چینی سخت تحت تاثیر افزایش قیمت های تراشه های NAND و DRAM قرار گرفته اند.از آنجایی که چین دارای صنعت ساخت گوشی های هوشمند پر رونق است ، این شرکت ها از بابت این موضوع ابراز نگرانی میکنند.به دلیل ناتوانی برخی تولید کنندگان چینی در صنعت نیمه هادی ها به صورت حرفه ای ، میزان عملکرد به قیمت تراشه های 3D NAND کاهش یافته است ، و این موضوع باعث شد که برخی شرکت های تولید کننده میل به افزایش قیمت محصولات خود پیدا کنند. ولی با توجه به کسب و کار این محصولات در چین ، آنها دوست دارند که این وضعیت به ثبات برسد. یک تحلیلگر مبتکر چینی به نام Hattie He در این باره میگوید : "چین ، بزرگترین تولید کننده گوشی های هوشمند است .. بنابراین چین به دنبال توجه بیشتر از سوی تولید کنند گان تراشه ها است و نقش کلیدی را در این باره ایفا میکند. حافظه یکی از اجزای کلیدی برای گوشی های هوشمند است بنابراین حس می کند که فروشندگان چینی می خواهند قابلیت های بیشتری برای کنترل این قطعات داشته باشند." منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
-
سامسونگ تولید اولین حافظه های GDDR6 با سرعت 16 گیگابیت را آغاز کرد!
hd5870 پاسخی ارسال کرد برای یک تاپیک در مقالات و اخبار سخت افزار و نرم افزار تهیه شده توسط لیون کامپیوتر
کمپانی سامسونگ اعلام کرد، که تولید اولین حافظه های GDDR6 با سرعت 16 گیگابیت بر ثانیه را جهت استفاده در پردازش های گرافیکی پیشرفته ، کارتهای گرافیکی ، دستگاه های بازی و همچنین سیستم های خودرو ، شبکه و هوش مصنوعی ، آغاز کرده است.سامسونگ قرار است در اولین مرحله برای تولید این حافظه ها از فرآیند ساخت 10 نانومتر استفاده کند.اولین ماژول های 16 گیگابیتی از این حافظه ها نیز دارای ظرفیت 2 گیگابایت خواهند بود.این مشخصات حدود 2 برابر حافظه های GDDR5 این شرکت با سرعت 8 گیگابیت و با فرآیند 20 نانومتری هستند.همچنین راه حل جدید نشان میدهد که یک ماژول از این حافظه ها با سرعت 18 گیگابیت بر ثانیه ، توانایی ایجاد پهنای باند 72 گیگابایتی در ثانیه را دارند، که باز هم نشان از دوبرابری آن نسبت به حافظه های GDDR5 دارد.با استفاده از طراحی های نو آورانه در طراحی و بهینه سازی مصرف انرژی، ولتاژ کاری به 1.35 ولت رسیده است ، که نسبت به ولتاژ 1.55 ولتی حافظه های GDDR5 ، حدود 35 درصد کاهش ولتاژ را نشان میدهد. با توجه به پروسه ساخت 10 نانومتری حافظه های GDDR6 ،از حدود 30 درصد افزایش بهره وری در تولید ، نسبت به حافظه های 20 نانومتری GDDR5 برخوردار هستند. اولین نمونه از تولید این حافظه ها ، در نسل جدید کارت های گرافیکی و سیستم عامل ها ، نقش کلیدی را بازی خواهد کرد.با توجه به پیشرفت های انجام شده در تولید ساخت ، کارایی و بهره وری انرژی ، حافظه های GDDR6 با سرعت 16 گیگابیت ، به طور گسترده ای در زمینه های رو به رشدی مانند پردازش های ویدئویی 8K Ultra HD ، واقعیت مجازی VR ، واقعیت افزوده AR و هوش مصنوعی ، استفاده خواهند شد.با توجه به اینکه اکنون سامسونگ حافظه های GDDR6 را با سرعت 16 و یا 18 گیگابیتی معرفی کرد، این کمپانی پیشتر نیزاز ماژول های 8 گیگابایتی HBM2 را با سرعت 2.4 گیگاهرتز پرده برداری کرد.سامسونگ انتظار دارد ، با توجه به رشد سریع بازار حافظه ، نیاز این بخش از بازار را به سرعت پاسخ دهد. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی -
با توجه به برگزاری مراسم CES در شهر لاس وگاس ، کمپانی ADATA از بی نظیر ترین سیستم خنک سازی حافظه با نام پروژه JellyFish رو نمایی کرد.این سیستم مرطوب ترین سیستم خنک سازی است که تا کنون دیده ایم.در نمایشگاه امسال ، این کمپانی نمونه ای از یک ماژول حافظه بدون حرارت گیر فلزی را که ازیک پوشش پلاستیکی شفاف استفاده میکرد را نشان داد.نکته جالب توجه در مورد این سیستم خنک سازی ، وجود مایع خنک کننده در داخل پوشش پلاستیکی شفاف بود.مایع استفاده شده داخل محفظه پلاستیکی ، غیر رسانا بوده و برای سالیان درازی است که شرکت های سازنده کامپیوتر ، برای نمایش سیستم های عجیب کامپیوتری ، از آن استفاده میکنند.به گفته ADATA این اولین ماژول حافظه DRAM است که از ترکیب موادشیمیایی در آن استفاده شده است.این حق اختراع در طراحی توسط این کمپانی به ثبت رسیده است و این شرکت اعلام کرده است که فعلا و به این زودی، قصد فروش حق امتیاز پروژه JellyFish را نخواهد داشت.این شرکت اعلام کرده که این نمونه اولیه کار است و طرح نهایی به شمار نمیرود. در این زمان ما حتی مطمئن نیستیم که این محصول روانه بازار شود. ماژول های JellyFish DDR4 DIMMs ، دارای یک ردیف LED در قسمت بالای مدار حافظه هستند، که رنگ های متناوبی را در هنگام کار نشان میدهند.البته کمپانی ADATA در جریان نمایشگاه ، این حافظه ها را بر روی یک سیستم به اجرا در نیاورد، بنابراین ما ، از عملکرد واقعی این خنک کننده ، اطلاع کافی نداریم. جهت افزایش سطح مایع خنک کننده در ماژول ها، یک محفظه توسعه بر روی آن تعبیه شده است.البته در نمونه ای که در نمایشگاه مشاهده شد ، مایع خنک کننده تمام سطح برد حافظه را تحت پوشش قرار نمیدهد.البته این بسته بندی در این ماژول ها باید به گونه ای باشند که در سیستم های دسکتاپ رومیزی به خوبی عمل کنند. منبع :Tomshardware مترجم : محمد فتحی
-
کاهش 10 درصدی قیمت حافظه های DDR4 طی ماه های گذشته
hd5870 پاسخی ارسال کرد برای یک تاپیک در مقالات و اخبار سخت افزار و نرم افزار تهیه شده توسط لیون کامپیوتر
گزارش های رسیده از موسسه Dramexchange ، نشان میدهد که قیمت ماژول های حافظه DRAM DDR4 در ماه گذشته تا 10 درصد کاهش یافته است. انتظار میرود این روند همچنان تا سال 2019 نیز ادامه پیدا کند.گفته شده بخشی از این کاهش قیمت مربوط به تولید بیش از حد تراشه های DRAM بوده و امید است که تا سال 2019 هم ادامه پیدا کند. Dramexchange گزارش میدهد که به دلیل پایین آمدن قیمت قرار داد تامین کنندگان عمده برای محصولات PC DRAM در ماه اکتبر ، قیمت ها به شدت کاهش یافته اند.به طور مثال میانگین قیمتی یک ماژول 4 گیگابایتی DRAM در سه ماهه چهارم سال 2018 با 10.14 درصد کاهش از 34.5 دلار نسبت به سه ماهه سوم 2018 به 31 دلار کاهش یافته است.این روند برای ماژول های 8 گیگ نیز صادق بوده و از 68 دلار به 61 دلارشاهد کاهش قیمت بوده است.از آنجایی که این محصولات بیش از نیاز بازارتولید شده اند ، پیش بینی میشود که روند کاهش قیمت در ماه نوامبر و دسامبر هم ادامه پیدا کند. کاهش قیمت ماژول های 8 گیگ نسبت به ماژول های 4 گیگ چشمگیر تر بوده ، زیرا عرضه کنندگان DRAM تمایل بیشتری به فروش این ماژول ها دارند.بنابه تحلیل موسسه DRAMeXchange ، گفته میشود که کاهش قیمت های ماژول های DRAM در سال 2019 حتی به 20 درصد هم برسد.این کاهش پس از رسیده به اوج سودهی تامین کنندگان تا پایان سال 2018 مشخص خواهد شد.به عنوان مثال در نمودار زیر قیمت کیت حافظه 16GB 3200 MHz CL16 G.Skill Ripjaws V Black از ابتدا تا کنون را مشاهد میکنید : منبع : Guru3d مترجم : محمد فتحی -
بایوستار از NVMe SSD های سری M500 پرده برداشت
hd5870 پاسخی ارسال کرد برای یک تاپیک در مقالات و اخبار سخت افزار و نرم افزار تهیه شده توسط لیون کامپیوتر
BIOSTAR امروز سری جدیدی از SSD درایوهای خود به نام M500 را معرفی کرد. سری جدید در فاکتور M.2-2280 ساخته شده اند و از رابط PCI-Express 3.0 x2 استفاده میکنند.این درایوها با پروتکل پرسرعت NVMe 1.2 سازگارند و برای اولین بار در نمایشگاه کامپیوتکس امسال به نمایش در آمدند.تمامی نمونه های موجود در این سری از یک حافظه کش DDR3L DRAM در اندازه های 256 مگابایتی ، 512 مگابایتی تا یک گیگابایتی بهره مند شده اند. ظرفیت های کلی قابل دسترسی هم به مدل های 128 گیگ ، 256 گیگ ، 512 گیگ و یک ترابایتی ختم میشوند.با نگاهی به عملکرد کلی در این درایوها به طور میانگین سرعت خواندن به 1700 مگابایت بر ثانیه و سرعت نوشتن هم به 1100 مگابایت در ثانیه میرسد. به همراه این درایوها یک حرارت گیر فلزی یکپارچه نیز وجود دارد که اطراف آن را پوشش داده است.در انتهای این درایوها دو شاخص هشدار دیده میشود : یک چراغ LED سبز رنگ که نشان از سلامت و فعالیت درایو در پایین ترین دمای ممکن است و یک چراغ RGB که فشار کاری درایو را نشان میدهد و با بالاتر رفتن درجه حرارت به رنگ قرمز تبدیل میشود.رنگ زرد نیز حالت فعالیت نرمال درایو را نشان میدهد.بایوستار هنوز قیمت سری جدید درایوهای خود را اعلام نکرده است. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی -
ADATA دو درایو اکسترنال HD680 و HV320 را روانه بازار کرد
hd5870 پاسخی ارسال کرد برای یک تاپیک در مقالات و اخبار سخت افزار و نرم افزار تهیه شده توسط لیون کامپیوتر
ADATA جزء آن دسته از شرکت هاییست که کاربران آن را با تولید ماژول های DRAM با عملکرد بالا و محصولات فلش NAND میشناسند.این کمپانی امروز دو درایو اکسترنال جدید خود تحت نام های HD680 و HV320 را روانه بازار کرد.مدل HD680 جزء آن دسته از درایوهاییست که تمرکز ویژهای در محافظت از اطلاعات دارد و ظرفیت آن به 2 ترابایت میرسد.HV320 نیز یک درایو قابل حمل سبک و قابل اطمینان بوده که با داشتن زیبایی منحصر به فرد دارای ظرفیتی معادل 5 ترابایت است. مدل HD680 از استاندارد نظامی MIL-STD-810G 516.6 پیروی میکندو میتوان از داده های شما در برابر رطوبت ، ضربه و سرقت اطلاعات ، محافظت کند.محفظه خارجی این درایو با نوعی پوشش سیلیکنی جذب کننده شوک احاطه شده که یک ساختار مستحکم را برای محافظت از درایو ایجاد میکند و تا سقوط از ارتفاع 1.22 سانتی متری برای درایو مشکلی به وجود نمی آورد.علاوه بر اینها HD680 مجهز به یک سنسور ضربه گیر داخلی است که در هنگام وارد شدن ضربه توسط یک چراغ LED به کاربر هشدار میدهد.همچنین سیستم رمزنگاری 256 بیت AES از سرقت اطلاعات شما جلوگیری میکند. HD680 در سه رنگ سیاه و سفید ، آبی و زرد تولید شده و از درگاه ارتباطی USB با قابلیت جدا شدن بهره میبرد. در طرف دیگر درایو ADATA HV320 قرار میگیرد.در طراحی این سری از ظرافت و زیبایی خاصی استفاده شده است به طوری که مدل های یک و دو ترابایتی ضخامتی تنها به اندازه 10.7 میلیمتر دارند. این موضوع باعث میشود علاوه بر حمل و نقل آسان به راحتی در جیب شما جا شوند. HV320 از یک پوشش رنگی مات بهره مند شده که بسیار چشم نواز بوده و لمس آن لذت بخش است.کاربران میتوانندبا توجه به سلیقه شخصی خود از میان سه رنگ سیاه ، سفید و آبی ، یکی را انتخاب کنند.خوشبختانه مدل HV320 دارای حداکثر ظرفیت حجیم 5 ترابایتی است که نیاز شما را جهت ذخیره سازی محتویاتی با وضوح و حجم بالا بر طرف میکند.به مانند مدل HD680 ، این مدل نیز مجهز به سنسور شوک ، و رمز نگاری 256 بیتی AES میباشد.قیمت این درایوها هنوز اعلام نشده است. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی -
پردازنده های شش هسته ای Coffee Lake ، اساسا یک پردازنده از خانواده Kaby Lake با دو هسته اضافه به شمار میروند و هیچ تغییر فیزیکی در قسمت هایی همچون iGPU و سطح هسته ، پیدا نکرده اند.با توجه به اینکه سیلیکن جدید intel با تعداد 8 هسته فیزیکی ، نسخه رفرش شده از خانواده Coffee Lake به شمار میروند، علاوه بر افزایش تعداد هسته های ، شاهد بهبودهایی در بخش حافظه جهت یکپارچگی بهتر با پردازنده بوده اند.با این وجود حتی بهبودهایی در بخش آسیب های امنیتی نیز بر روی این پردازنده ها صورت گرفته است.کنترلر حافظه یکپارچه در این پردازنده ها اکنون میتواند حافظه های 128 بیتی دو کاناله و تا ظرفیت 128 گیگابایت را آدرس دهی کند.این در حالیست که پلتفرم رده میانی اینتل تاکنون به مانند پردازنده های Ryzen در پلتفرم AM4 شرکت AMD، تنها میتوانستند تا مقدار 64 گیگابایت حافظه را پشتیبانی کنند. پشتیبانی از حافظه های DIMM دو ظرفیتی یا به اصطلاح Double Capacity (DC) ، برای اولین بار توسط ASUS اعلام شد.سامسونگ نیز اکنون اولین ماژول 32 گیگابایتی dual-rank UDIMM خود طبق استانداردJEDEC را جهت استفاده در این پلتفرم ، معرفی کرده است.طبق گزارش های رسیده ، قیمت تمام شده یک ماژول 32 گیگابایت UDIMM تا سال 2019 از یک کیت 32 گیگابایتی متشکل از دو ماژول 16 گیگابایتی ارزانتر خواهد بود.افزایش مقدار ظرفیت حافظه ها ، نشان از جدی بودن اینتل در زمینه تولید حافظه های پایدار بر اساس حافظه های 3D Xpoint Optane به عنوان یک جایگزین مناسب برای حافظه های اصلی DRAM با ظرفیت های بالاتر و همچنین کاهش تاخیر در انتقال دیتاها در مقایسه با DRAM ها دارد. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
-
- 1
-
-
- intel
- coffee lake
- (و 7 مورد دیگر)
