کمپانی سامسونگ یکی از پیشروان جهان در صنعت نیمه هادی های پیشرفته ،امروز اعلام که که فناوری ساخت 11 نانومتر FinFET را با فناوری ساخت (11LPPیاLow Power Plus) به مجموعه فرآیندهای پیشرفته ریخته گری خود اضافه میکندو مشتریان ازین پس میتوانند طیف گسترده تری از محصولات این شرکت را با این فرآیند ساخت سفارش دهند.نمونه های اولیه فرآیند ساخت 11LPP نسبت به نمونه های 14LPP تا 15 درصد عملکرد بالاتر و 10 درصد ابعاد کوچکتر تراشه ، با همان مقدار مصرف انرژی را ارائه میدهد.علاوه بر پروسه ساخت 10nm FinFET که گل سر سبد این پروسه ومخصوص استفاده در تراشه های تلفن های همراه است ، پروسه جدید 11 نانومتری برای این کمپانی از ارزش به نسبت بالاتری در استفاده از آن برای گوشی ها میانی ورده بالای هوشمند ، برخوردار است.هر چند این فرآینددر اوایل سال 2018 آماده تولید میشود ، اما سامسونگ تایید کرده است که پروسه ساخت 7LPP با فناوری لیتوگرافی EUV(فوق العاده بنفش )در حال برنامه ریزی است و تولید آن در نیمه دوم سال 2018 آغاز میشود.
کمپانی سامسونگ از سال 2014 تاکنون موفق به تهیه و تولید 200 هزار ویفر با پروسه لیتوگرافی EUV(یا همان فوق العاده بنفش ) شده است .بر اساس این تجربیات به دست آمده تا کنون ، سامسونگ طی این فرآیند سازیها، موفق به دستیابی به عملکرد 80 درصدی به ازای هر 256 مگابیت SRAM (یا حالت استاتیک دسترسی تصادفی حافظه ) شده است.
رایان لی، معاون و رییس بازاریابی پروسه ساخت در سامسونگ الکترونیک، گفت: سامسونگ روند 11 نانومتری را به نقشه راه خود اضافه کرده است تا گزینه های پیشرفته تری برای کاربردهای مختلف ارائه شود. "از این طریق، سامسونگ، طی سه سال آینده، یک نقشه راه جامع را که ازنود 14 نانومتر تا 11 نانومتر، 10 نانومتر، 8 نانومتر و 7 نانومتر است،را به اتمام خواهد رساند."
اطلاعات مربوط به بروز رسانی اخیر نقشه راه پروسه ساخت سامسونگ، از جمله در دسترس بودن فناوری 11LPP و توسعه پروسه 7 نانومتری EUV، در انجمن طرح ریزی پایه ویفر، درکنفرانس سامسونگ در 15 سپتامبر 2017 در توکیو برگزار خواهد شد. سامسونگ این پروسه ساخت خودرا در اوایل سال جاری در ایالات متحده و کره جنوبی اجرا میکند و این کمپانی فناوری های پیشرفته خود را با مشتریان و شرکای جهانی به اشتراک می گذارد.
منبع :Techpowerup
مترجم : محمد فتحی