از لیون کامپیوتر قســـــــــــــــــــــــــــــــــــطی خرید کنید
فروش اقساطی برای سراسر ایران
اخبار سخت افزار ، نرم افزار ، بازی و دنیای آیتی در مجله لیون کامپیوتر 
🤩
جستجو در تالارهای گفتگو
در حال نمایش نتایج برای برچسب های 'micron'.
27 نتیجه پیدا شد
-
فروش تعدادی SSD mSATA نو و آکبند زیر قیمت
TRoy پاسخی ارسال کرد برای یک تاپیک در خرید و فروش هارد دیسک HDD و SSD
با سلام و عرض درود تعدادی SSD mSATA برندهای Mushkin و Micron کاملا نو و آکبند و استفاده نشده برای فروش موجوده ssd mushkin مدل http://www.newegg.com/Product/Product.aspx?Item=N82E16820226319 http://www.poweredbymushkin.com/index.php/component/djcatalog2/item?id=676:atlas-deluxe-msata-60gb&cid=13:atlas-deluxe-msata این مدل پرفرمنس خیلی خوبی داره قیمت : 150 تومان یک مدل هم Micron موجوده مدل C400 و 64 گیگ قیمت این مدل هم 140 تومان هر 2 مدل نو و آکبنده -
سلام خدمت دوستان عزیز لیون کامپیوتر فروخته شد قصد فروش ssd از برند میکرون رو دارم با حجم 120 گیگ. این ssd از جناب آقای بهمنیان توی همین فروم دو ماه پیش خریداری شده. روی لپتاپ استفاده شده. به دلیل نیاز به حجم بالاتر، میخوام این ssd رو بفروشم. لینک تاپیکی که من ssd رو خریدم. http://forum.lioncomputer.ir/index.php?/topic/74858-فروش-دو-تا-رم-۴-گیگ-ddr3،-دو-تا-ssd-۱۲۸-گیگ-و-تعدای-هادرددیسک-ide/#comment-895965 موقعی که من این ssd رو خریدم، مدت کارکردش حدود 19 روز بود. الان مدت کارکردش شده 1 ماه و 19 روز... واقعا روی لپتاپ من خیلی سرعتش خوب بود. ولی خب حجمش کم هست و با نرم افزارهایی که روی لپتاپم دارم سریع پر میشه، سعی کردم باهاش کنار بیام ولی خب حجمش کمه..... قیمت پایه: 120 هزار تومن قیمت فوری: 140 هزار تومن گام افزایشی: 5 هزار تومن پایان مزایده : 12 ساعت بعد از بالاترین پیشنهاد. هزینه ارسال هم با خریدار محترم... عکس:
-
امروز شرکت اینتل و Micron طی همایشی از نسل جدید فلش مموری های 3D XPoint پرده برداری کردند. این اختراع، انقلابی در سرعت رد و بدل کردن اطلاعات بوجود می اورد. تا چندی قبل، حافظه های NAND که طیف وسیعی از آنها در درایوهای حالت جامد استفاده میشد، بعنوان سریعترین و ارزانترین حافظه های موجود در بازار بود، اما حالا، شرکت اینتل دست به اختراع نسل جدید فلش مموری های 3D XPoint زده که به گفته ی این شرکت، این فلش مموری ها، ارزان و سرعتی 1000 برابر بیشتر از فلش مموری ای NAND خواهند بود. همچنین میزان تراکم پذیری این فلش مموری ها 10 برابر مموری های استاندارد است و به ادعای شرکت اینتل، فلش مموری های جدید ساخته ما قادر به دسترسی به داده ها در سرعتی غیر قابل باور داشته باشند. آقای Rob Crooke، مدیر اجرایی این پروژه از اینتل، در این باره گفت: "برای چندین دهه، فعالان صنعت وسایل ذخیره سازی همواره به دنبال کاهش میزان تاخیر بین پردازنده و مکان اطلاعات برای آنالیز سریعتر بودند. حال با آمدن نسل جدید از فلش مموری های non-volatile (غیر قابل فرار؟) ، بشر را در رسیدن به این هدف کمک شایانی کرده و سرعت و کارایی مموری ها و وسایل ذخیره سازی را بسیار بالا برده است." در واقع می توان گفت، نسل جدید فلش مموری های 3D XPoint ، ترکیبی از مموری های DRAM و NAND می باشد: سرعت بالای DRAM + قیمت کم NAND . همانطور که گفتم، کارایی و سرعت حافظه های 3D XPoint حدود 1000 برابر حافظه های NAND است (حتی دارا بودن حافظه NAND به رابط PCIe NVMe نمی تواند کمی به آن کند.) حافظه های جدید 3D XPoint حتی دارای کارایی 1000 برابر بیشتر از فلش مموری های non-volatile می باشد. در حال حاظر دو شرکت Intel و Micron به راحتی می توانند شروع به ساخت معماری های جدید برای نسل جدیدی از وسایل ذخیره سازی، با سرعت خواندن و نوشتن بسیار بالا و تاخیر بسیار کم کنند. هم اکنون، یک حافظه ی 3D XPoint می تواند نهایتا 128 گیگابایت اطلاعات را در خود ذخیره کند، که البته این مقدار در آینده بیشتر خواهد شد. آقای Mark Adams، مدیر عامل شرکت Micron در این باره ابراز نظر کرد: " یکی از قابل توجه ترین موانع در فرآیند محاسبه در زمان فعلی، دسترسی کند پردازنده ها به همه ی اطلاعات دستگاه های ذخیره سازی با ظرفیت بالاست. اما با استفاده از حافظه های پرسرعت و انقلابی 3D XPoint ، این مانع به کلی برداشته می شود و قابلیت دسترسی به دنیایی از اطلاعات و اپلیکیشن ها میسر می شود. منبع: tweaktown مترجم: مجتبی حیدرزاده -
حافظه 3D XPoint نسل جدیدی از حافظه های ذخیره سازی پرسرعت است که به تازگی توسط دو شرکت Intel و Micron معرفی شده است. به گفته شرکت Intel، اولین محصولات ذخیره سازی این شرکت، Optane نام خواهند گرفت. ولی این حافظه چه ساختاری دارد که آنرا اینقدر پرسرعت کرده و نیز چه مزایای دیگری دارد؟ ساختار داخلی حافظه 3D XPoint شامل چندین لایه (که به توده، اِستَک یا Stack معروف اند) است که بصورت عمودی در کنار هم و با فاصله های معینی قرار گرفته شده اند. (خط های نقره ای/خاکستری) میان هر خط عمودی، یک انتخاب کننده (Selector) و یک سلول وجود دارند. (انتخاب کننده با خط زرد و سلول با خط سبز مشخص شده اند) با ارائه مقادیر مختلفی از ولتاز به انتخاب کننده، انتخاب کننده نیز می تواند عملیات خواندن و نوشتن را بر روی سلول انجام دهد. مزیت این روش، عدم استفاده سلول از ترانزیستور می باشد و به همین دلیل، بر سلول فشار زیادی وارد می شود که نتیجه آن، امکان ذخیره سازی اطلاعات و داده ها در حجم های بالاتر، نسبت به روش قدیمی و سنتی استفاده از ترانزیستور، بوجود می آید. یکی دیگر از مزیت های روش مذکور، سرعت بسیار بالا و تاخیر کمتر حافظه 3D XPoint نسبت به حافظه های دینامیکی DRAM و NAND امروزی می باشد، بطوری که این حافظه نسبت به NAND حدود 1000 برابر سریعتر، و تأخیر آن نیز نسبت به حافظه دینامیکی DRAM حدود 10 برابر کمتر است. همچنین تراکم پذیری آن، همانند درایو های حالت جامد NAND امروزی است، یعنی حدود 10 برابر تراکم پذیرتر نسبت به حافظه های دینامیکی DRAM. همه ی این موارد به کنار، حافظه های 3D XPoint غیر قابل فرار هستند، یعنی اینکه حتی اگر به آنها برق و ولتاز نرسد، باز هم می توانند اطلاعات و داده ها را در خود ذخیره کنند. درایوهای ذخیره سازی Optane از تکنولوژی NVMe برای برقراری ارتباط با دستگاه استفاده می کند. (تکنولوژی NVMe امکان اتصال درایو ذخیره سازی "برای مثال، SSD یا همان درایو حالت جامد" به دستگاه را به اسلات PCI-Express قراهم می کند.) اولین سری از درایو های 3D XPoint دارای دو Deck یا دسته (اگر اشتباه نکنم) می باشند و شاید به چهار تا هشت دسته نیز برسد. این بدان معنی است که این درایو ها مثل SSDهای امروزی تا چندین سال می توانند اطلاعات را بدون برق سالم نگه دارند. متأسفانه از نظر حرارت، حافظه 3D XPoint دارای محدودیت هایی است. حافظه دینامیکی DRAM نسبت به حافظه NAND حدود یک میلیون برابر پایدارتر می باشد، و این در حالی است که حافظه 3D XPoint تنها حدود 1000 برابر حافظه NAND پایداری دارد. این بدان معنی است که حافظه 3D XPoint می تواند مدت زمان بیشتری نسبت به درایو های حالت جامد NAND امروزی عمر مفید داشته باشد. اگر از بابت پایداری این حافظه های جدید نگران شدید، باید بگویم دو شرکت Intel و Micron تکنولوژی هایی در این مورد دارند تا پایداری آنها را، مانند درایو های حالت جامد، بیشتر کنند. شرکت Intel گفته این تکنولوژی ها، ساده خواهند بود. (مثل سلول های بیشتر) همچنین شرکت Intel گفته حافظه 3D XPoint نسبت به حافظه NAND مصرف برق کمتری نیز دارا می باشد. اولین درایوهای ذخیره سازی و رم های بر مبنای حافظه 3D XPoint در سال 2016 وارد بازار جهانی می شوند. در کل، حافظه 3D XPoint حدود 5 تا 7 برابر درایوهای حالت جامد NAND امروزی کارایی دارد و از تإخیری کمتری نیز برخوردار است. اولین حافظه های رم 3D XPoint با اسلات های DDR4 DIMM سازگاری دارند، اما برای استفاده از آنها، نیازمند نسل بعدی پردازنده های خانواده Xeon خواهید بود. تشکر ویژه از شما، خواننده ی گرامی دارم که وقت با ارزشتون رو صرف مقاله بنده کردید. منبع: tweaktown مترجم: مجتبی حیدرزاده
-
آن دسته از افرادی که بدنبال درایوهای حالت جامد با ظرفیت بالا هستند، اکنون باید خوشحال باشند، چرا که شرکت Micron درایوهال حالت جامد سری MX300 خود را با معرفی نسخه‌ی 2 ترابایتی آن، گسترش داد. بدین ترتیب، درایوهای حالت جامد سری MX300، بعد از درایوهای حالت جامد سری Samsung 850 EVO و 850 Pro، سومین درایوهای حالت جامدی هستند که به ظرفیت 2 ترابایت دست یافته‌اند. درایو حالت جامد جدید در اواسط ماه سپتامبر موجود خواهد شد. سرعت خواندن و نوشتن متوالی این درایو بترتیب برابر 530 و 510 مگابایت خواهد بود. علاوه بر این، سرعت خواندن و نوشتن تصادفی 4K Blocks آن بترتیب به 92K و 83K خواهد رسید. قیمت مدل جدید درایو حالت جامد سری MX300 نامعلوم است، ولی با در نظر گرفتن قیمت مدل 2 ترابایتی دو سری Samsung 850 EVO و 850 Pro، قیمت آن باید بین 600 تا 700 دلار باشد. منبع: hitechreview مترجم: مجتبی حیدرزاده
-
شرکت Micron در حال آماده سازی مموری های GDDR6 برای کارت گرافیک هاست
big VULTURE پاسخی ارسال کرد برای یک تاپیک در بحث در مورد کارت گرافیک ( VGA )
به نام خداوند بلند مرتبه و بی همتا . سلام دوستان خوب لیونی . بر اساس آخرین اخبار سایت Guru3d.com شرکت Micron برای لانچ مموری های GDDR6 به منظور بهره برداری در کارت گرافیک ها آماده می شود . همان طور که میدانید پرفورمنس مموری در پرفورمنس نهایی کارت گرافیک بسیار مهم است . بعد از چند سال از عرضه مموری های GDDR 5 به نظر میرسد که کارت گرافیک ها برای پاسخ به نیاز روزافزون بازی ها به پردازش بیشتر به مموری های قدرتمند تری نیاز دارند . گام اول این راه توسط شرکت محبوب AMD با عرضه نسل فیوری که از مموری های HBM استفاده می کردند برداشته شد . گام بعدی را انویدیا با استفاده از GDDR 5X برداشت و به نظر میرسد که شرکت AMD قصد دارد برای کارتهای رده بالای نسل وگا از مموری های بسیار قدرتمند HBM2 استفاده کند . در این بین ساخت GDDR 6 می تواند دست شرکتهای AMD و انویدیا را برای انتخاب های بیشتر باز بگذارد . مموری های GDDR 6 میتوانند از مموری های GDDR 5 و GDDR 5X سریعتر و به نسبت کم مصرف تر باشند ( تا 2 برابر سریعتر از GDDR 5 ) منبع : http://www.guru3d.com/news-story/micron-to-release-gddr6-graphics-memory-by-years-end.html .
-
کمپانی توشیبا رهبر حافظه سازی جهان ، امروز اعلام کرد اولین تراشه های فلش BiCS سه بعدی ( three-dimensional ) جهت استفاده در فلش مموری را با استفاده از تکنولوژی (TSV) یا قطعه سیلیکونی Via را به ازای 3بیت در هر سلول (سه سطح سلولی TLC) را تولید کرده است .تولید نمونه های اولیه این تراشه ها جهت اهداف توسعه یافته از ماه June آغاز خواهد شد و نمونه های تولید انبوه نیز از نیمه دوم سال 2017 روانه بازارخواهند شد.نمونه اولیه این تراشه ها در نشست پیشگامان این صنعت در Santa Clara در ایالت کالیفرنیا ،از 7 تا 10 آگوست به نمایش در خواهد آمد. کلیه دستگاه های ساخته شده با تکنولوژی TSV، مجهز به الکترودهای عمودی و vias هستند ،که عبور آنها را از طریق سطح سلیکونی ،با استفاده از اتصالات سطح die تراشه ممکن میکند.جهت درک بهتر این مسئله این طور میتوان متصور شد که کلیه ورودی ها و خروجی های داده ها در این تکنولوژی، با سرعت بسیار بالا و سطح مصرف انرژی بسیار پایین ،ممکن شده است .عملکرد این تراشه ها در دنیای واقعی قبلا نیز توسط تراشه های 2D NAND Flash توشیبا به اثبات رسیده است. ترکیب تراشه های 48 لایه 3D flash به همراه تکنولوژی TSV، به بخش حافظه توشیبا این اجازه را میدهد، تا با افزایش پهنای باند برای برنامه ها، مصرف انرژی را به طور محسوسی کاهش دهد. راندمان قدرتی تراشه های BiCS FLASH تقریبا دو برابر همین تراشه ها با تکنولوژی wire-bonding است .تکنولوژی TSVبه همراه تراشه های BiCS FLASH این امکان را میدهد که یک دستگاه با ظرفیت 1 ترابایت، با استفاده از این معماری با تعداد 16 پشته از این تراشه ها تنها در یک پکیج فراهم شود.بخش حافظه سازی توشیبا با دستیابی به تکنولوژیTSV برای تراشه های BiCS FLASH، به یک راه حل ایده آل برای شرکت های تجاری که به کمترین تاخیر و پهنای باند بسیار بالا و همچنین ورودی و خروجی های داده ها با کمترین میزان مصرف انرژی نیاز دارند، دست یافته است .این را حل جهت استفاده در SSD های تجاری سطح بالا، بسیار مفید خواهد بود. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
-
شرکت توشیبا تولید تراشه های 4 بیتی MLC ملقب به QLC (Quadruple Level Cell) یا حالت چهارگانه سطح را آغاز کرد. تراشه هایی که درحالت عمود و به صورت انباشه به تولید خواهند رسید .این تراشه ها در حالت 4 بیتی در هر سلول و به صورت چهار گانه در هر سطح (QLC) و با توان بزرگتر 768GB در مقایسه با نسل سوم 3 بیتی در هر سلول درتوان 512GB ، فناوری (TLC) تولید خواهند شد.همچنین این فناوری ،تولید یک پشته 16 تایی با ظرفیت 1.5 ترابایت را در یک پکیج ممکن ساخته است، که بزرگترین ظرفیت در این صنعت تا به اکنون است . تراشه جدید QLC BiCS FLASH شرکت توشیبا، با ساختار 64 لایه سلولی توانسته است بزرگترین ظرفیت(768Gb/96GB) را در دنیا بدست آورد.تراشه های QLC میتوانند با استفاده از یک پشته 16 تایی، یک حافظه فلش یکپارچه با ظرفیت 1.5 ترابایت را فراهم کنند.این مقیاس در مقایسه با نسل قبلی توشیبا که تراشه ای با 16 پشته در یک پکیج واحد ،میتوانست تا ظرفیت 1 ترابایت را پشتیبانی کند، بسیار بیشتر است.تکنولوژی QLC، چالشهای زیادی را بر سر راه توشیبا برای تولید این تراشه ها گذاشته است .افزایش تعداد بیت ها در هر سلول با توجه به شمار الکترون ها، به مانند تکنولوژی TLC نیاز به دقت دو برابری دارد .توشیبا با طراحی یک مدار پیشرفته و بدست آوردن تکنولوژی فرآیند ساخت حافظه فلش 3D ،بر این چالش ها پیروز و اولین تراشه حافظه QLC 3D جهان را ساخته است .توشیبا اعلام کرد که تولید تراشه های 96 لایه BiCS FLASH 3D نسل چهارم را جهت استفاده در مصارف صنعتی ،در دستور کار دارد .این تراشه های جدید 96 لایه در ظرفیت 256 gigabit یا همان (32 gigabyte) با توجه به تولید تراشه های TLC برای نیمه دوم سال 2017 برنامه ریزی شده اند و از سال 2018 تولید انبوه آنها آغاز خواهد شد. نمونه های 96 لایه 256 گیگابیتی یا 32 گیگابایتی ، در نیمه دوم 2017 مورد آزمایش قرار میگیرند و تولید انبوه این محصولات از سال 2018 آغاز خواهد شد .این محصولات با توجه به نیازهای بازار مصرفی و با توجه به برنامه ها و عملکرد آنها میباشد .این موارد شامل مصارف سازمانی ، مصرف کنندگان عادی SSD ها ، گوشی های هوشمند ،تبلت ها و حافظه های SD خواهند شد.توشیبا در آینده نزدیک، تولید تراشه های 96 لایه جدید خود را در محصولات جدیدتر و با مقیاس بزرگتر 512 گیگابیت یا 64 گیگابایت با تکنولوژی (quadruple-level cell, QLC) 4 بیتی آغاز خواهد کرد . فرآیند انبساط این تراشه های 96 لایه ، با استفاده ازترکیب تکنولوژیهای پیشرفته تولید ،باعث افزایش 40 درصدی در حجم تراشه هایی با بیش از 64 لایه شده است.تمامی اینها باعث شده هزینه تولید به ازای هر بیت کاهش یابد و در عوض قابلیت تولید ظرفیت حافظه به ازای هر ویفر سیلیکون را افزایش یافته است . تکنولوژی تراشه های 3D فلش، برای اولین بار در سال 2007 توسط توشیبا معرفی گردید واز آن زمان تاکنون توشیبا این روند را ادامه و توسعه داده است این فعالیتهاجهت پاسخگویی به تولید تراشه های BiCS FLASH در ظرفیتها بزرگتر شده است . تولید تراشه های 96 لایه BiCS FLASH در تاریخ های 2 ، 5 ، و یا 6 فوریه تابستان 2018 به صورت رسمی روانه بازار خواهند شد. منبع : Guru3d مترجم : محمد فتحی
-
صنعت ساخت تراشه های DRAM ، کمبود حاد کلاس های مختلف حافظه های گرافیکی GDDR را تجربه میکند،که این روند میتواند باعث افزایش بی رویه قیمت کارت های گرافیکی شود.قیمت های عرضه کنندگان حافظه های گرافیکی برای قطعات مختلف در ماه آگوست 30.8 درصد افزایش یافته است .این میانگین افزایش، از رشد قیمتی 6.50 دلاری در ماه جولای تا رسیدن به قیمت 8.50 دلاری آن بدست آمده است.تامین کنندگان تراشه های حافظه گرافیکی از جمله سامسونگ و Sk Hynix ، بخش بزرگی از موجودی خود را به سرورها و تلفن های همراه معطوف ساخته اند و باعث افزایش قیمت آنها شده اند.شرکت سامسونگ بزرگترین عرضه کننده تراشه های حافظه گرافیکی است که 55 درصد از سهم بازار را در اختیار دارد.و به دنباله آن شرکت SK Hynix با داشتن 35 درصد و کپمانی میکرون با داشتن 10 درصد از سهم بازار در رتبه های بعدی قرار دارند. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
-
بر طبق گزارش های منتشر شده از موسسه DRAMeXchange ،کمبود حافظه های رم تا اوآخر سال 2018 نیز ادامه خواهد داشت . این کمبود در زمان حال هم مشاهده میشود، و باعث بالا رفتن قیمت های حافظه شده است .با این حال این میزان تولید ناکافی به نظر میرسد ،البته ممکن است تقاضای بالای برای حافظه های گوشی های هوشمند دلیل اصلی این کمبود به شمار آیند. امابه نظر میرسد سه تولید کننده اصلی حافظه یعنی سامسونگ ، میکرون و SK Hynix با محدود کردن حجم تولید خود ،باعث شده اند قیمت ها به صورت کاملا مصنوعی روند صعودی داشته باشند.این شرکت ها تصمیم به گسترش ظرفیت ها و مهاجرت آهسته به تکنولوژیهای جدیدتر دارند،تا بتوانند قیمت ها را در همان مقدار سطح بالا حفظ کرده و حاشیه سود آوری خود را افزایش دهند. انتظار میرود تولید حافظه های رم تا سال 2018 به مقدار 19/6 درصد افزایش یابد ،اما همچنان از مقدار تقاضای 20.6 درصدی پایین تر است .این مقدار عرضه احتمالا نوید عرضه محدود توسط فروشندگان را میدهد که حتی با عرضه های جزئی این کمبود عرضه قابل ملاحظه ترخواهد بود.این بدان معناست که عرضه های فعلی حافظه یا با قیمت های کنونی تثبیت خواهند شد و یا اینکه از سطح قیمت فعلی بالاتر خواهند رفت.گزارش ها حاکی از آن دارند که هر سه تولید کننده حافظه ،در تلاش برای گسترش تولیدات خوددر خط تولیدشان هستند.در هر حال همه این شرکت ها درگیر مقایسه قیمت محصولاتشان هستندو تلاش میکنند با عرضه بیشتر این قیمتها را کاهش دهند. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
-
اگرشما یکی از علاقه مندان به درایو های SSD هستید و از قیمت این درایو ها شکایت دارید ، به نظر نمیرسد این درایو ها جایگزین مناسبی برای یک درایو قدیمی با ظرفیت بالا باشد.آیا میشود یک درایو SSDبا ظرفیت 2 ترابایت و قیمت 200 دلار تهیه کرد؟ چگونه میتوانم کل کتابخانه موسیقی ام را در یک درایو 512 گیگی SSD با حجم ناکافی ذخیره کنم؟این کاملا غیرممکن خواهد بود.در هر صورت ممکن است جواب این سوال در هر زمانی و یا به زودی تغییر کند(حتی با ظهور تراشه های QLC NAND که ممکن است این قضیه را تغییر دهد) در هر صورت شما میتوانید با ظهور تکنولوژی شرکت Viking به این قضیه تا حدودی امید وار باشیدبه طوری که به نظر میرسد یک محصول SSD در فرم استانداردمی تواند ظرفیت ذخیره سازی شگفت انگیزی رافراهم کند.این کمپانی جهت فروش درایو های ذخیره سازی خود با ظرفیت فوق العاده بالا (Ultra High Capacity) از تراشه های MLC NAND شرکت SK Hynix بهره خواهد برد .این درایو ها از رابط SAS با پهنای باند 6 گیگابیت بر ثانیه استفاده کرده و سرعت خواندن آن به 500 مگابایت و سرعت نوشتن به 350 مگابایت برثانیه خواهد رسید.به گفته این کمپانی سرعت خواندن تصادفی در این درایوها به 60,000 IOPS و نوشتن در حالت تصادفی به 15,000 IOPS میرسد.این ارقام ممکن است تحت شرایط با کارایی بالا نا امید کننده به نظر برسد ، اما به یاد داشته باشید که اینها محصولاتی هستندکه برای بازارهای سازمانی طراحی شده اند .شاید برای این درایو ها قیمت گذاری( هوشمندانه ای )صورت نگرفته باشد اما تمامی کاربران باید بدانند که قرار است چه مقدار برای آنها هزینه کنند.با این حال، اگر به دنبال یکSSD با ظرفیت بالا میگردید از اکنون میدانید که باید در کجا به جستجوی آن بپردازید. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
-
Crucial اولین درایو مقرون به صرفه خود با ظرفیت 960 گیگ را معرفی کرد
hd5870 پاسخی ارسال کرد برای یک تاپیک در مقالات و اخبار سخت افزار و نرم افزار تهیه شده توسط لیون کامپیوتر
پنجشنبه گذشته بود که کمپانی Crucial اولین سری از درایوهای مقرون به صرفه خود به نام BX500 SATA SSD با ظرفیت 960 گیگ را معرفی کرد.نا گفته نماند که قبلا مدل های دیگری از درایوهای سری BX500 با ظرفیت های کمتری نظیر 480 گیگ ، به بازار عرضه شده اند.مدل جدید اکنون به حافظه های 96 لایه 3D TLC NAND شرکت Micron و کنترلر SMI SM2258XT مجهز شده است اما فاقد یک کش DRAM است.از لحاظ عملکردی هم بسیار شبیه به نمونه 480 گیگ بوده به طوری که سرعت خواندن آن به 540 و سرعت نوشتن به 500 مگابایت بر ثانیه میرسد. این درایو از لحاظ ابعاد تنها 7 میلیمتر ضخامت داشته و در فاکتور 2.5 اینچی به تولید رسیده است و همچنین از رابط ساتا شش گیگابیت بهره میبرد.شما اکنون میتوانید این SSD را به قیمت 130 دلار تهیه کنید. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی -
اوآیل ماه آپریل سال گذشته بود که کمپانی intel ، خبر از عرضه یک باندل جدید به نام Core+ داد.این باندل شامل پردازنده های Core i5/i7/i9 به همراه حافظه های SSD Optane به عنوان کش سیستم می شد.با این حرکت ، اینتل شرکای خود را تشویق کرد تا مادربردهای خود را با پردازنده های و حافظه های Optane این شرکت ، بسازند.ممکن است شما کمبود این باندل را در فروشگاه ها مشاهده کرده باشید ، چرا که این فروش آن را متوقف کرده است.به تازگی طبق خبر منتشر شده از سوی وب سایت Tom's Hardware ، متوجه شد که سفارشات جدید تنها تا ماه سپتامبر 2019 قابل ثبت هستند و پس از آن دیگر سفارشات پذیرفته نخواهند شد. این به سادگی مشخص میکند که باندل Core+ فعلا با سه پردازنده Core i7+8700 ، i5+8400 و i5+8500 plus به همراه حافظه 16 گیگی Optane در دسترس هستند که به مرور ، فروش آنها نیز لغو خواهد شد.حافظه های ذخیره سازی Optane ، حدود سه سال پیش معرفی شدند که با توجه به سرعت نسبی کمتر و قیمت بالاتر ، نسبت به سایر SSD های رایج ، نتوانستند مورد توجه کاربران قرار بگیرند.به وضوح مشخص است که کمپانی Micron این حافظه ها را برای اینتل تولید کرد، اما طبق گفته های این کمپانی همکاری این دوشرکت جهت تولید حافظه های 3D XPoint از ماه جولای متوقف شده است. منبع : Guru3d مترجم : محمد فتحی
-
حافظه های گرافیکی GDDR6 حدود 70 درصد گرانتر از حافظه های GDDR5 هستند!
hd5870 پاسخی ارسال کرد برای یک تاپیک در مقالات و اخبار سخت افزار و نرم افزار تهیه شده توسط لیون کامپیوتر
آخرین استاندارد حافظه های گرافیکی یعنی GDDR6 ، در حال حاضر توسط شرکت NVIDIA بر روی سری جدید کارتهای گرافیکی RTX-20 مورد استفاده قرار گرفته و باعث عملکرد فوق العاده این سری شده است.طبق اعلام وب سایت 3DCenter.org ، آنها مدعی شده اند که توانسته اند توسط DigiKey ،یک لیست قیمتی از لوازم الکترونیکی تهیه کنند که شامل تراشه های حافظه GDDR6 با سرعت 14 گیگابیت شرکت Micron نیز میشود.در این لیست گفته شده که حافظه های 14 گیگابیتی ساخته میکرون ، حدود 70 درصد گرانتر از حافظه های 8 گیگابیتی GDDR5 ساخته همین شرکت، با تراکم یکسان است. از طرفی هم عنوان شده، احتمالا موجودی بیشتر از تقاضای بازار بر قیمت تراشه های GDDR5 تاثیرمستقیم گذاشته است. گرچه نسخه های ارزانتری از تراشه های GDDR6 با سرعت های 12 و یا 13 گیگابیت هم وجود دارند، اما NVIDIA ترجیح داده در نسل جدید از نسخه های 14 گیگابیتی این حافظها استفاده کند.شایع شده که حتی پایین ترین کارت گرافیک این خانواده یعنی کارت RTX 2060 هم از نسخه 14 گیگابیتی این حافظه ها ، استفاده میکند.اختلاف شدید قیمتی میان حافظه های GDDR5 و GDDR6 ، میتواند توضیح دهد که چرا انویدیا قصد تولید نسخه ارزانتر کارت 2060 با حافظه های GDDR5 را دارد.این موضوع نیز اهمیت دارد که تولید کنندگان کارتهای گرافیکی میتواند با استفاده از تراشه های GDDR5 به جای GDDR6 ، حدود 22 دلار در هزینه تولید خود ، صرفه جویی کنند. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی -
مارتین اَشتون از مدیران سابق اینتل به تیم AMD RADEON پیوست!
hd5870 پاسخی ارسال کرد برای یک تاپیک در مقالات و اخبار سخت افزار و نرم افزار تهیه شده توسط لیون کامپیوتر
در حالی که حدود چند ماه پیش دو نفر از افرا کلیدی کمپانی AMD به سمت شرکت intel جذب شدند، اکنون این جریان در حال معکوس شدن است و آقای Martin Ashton که قبلا در کمپانی اینتل و حتی Imagination Technologies مشغول به کار بود ،در حال پیوستن به کمپانی AMD است.وی قرار است در AMD عهده دار معاونت بخش Radeon تکنولوژی شود.آقای Ashton در حال پیوستن به تیم آقای David Wang است. اگر چه هنوز مشخص نشده که او با این پیوستن در حقیقت چه نقشی خواهد داشت ،اما کمی قبل تر مشخص شد که آقای Wang وظیفه فنی آقای Raja Koduri که اکنون به اینتل پیوسته را به عهده گرفته است.آقای وانگ در حال ساخت یک تیم جدید برای مدت زمان نیم سال باقی مانده از سال جاریست.همان طور که مدتی قبل نیز گزارش شده بود، آقای Mike Rayfield نیز که قبلا در شرکت هایی مانند Micron و یا در بخش Tegra-soc از کمپانی NVIDIA مشغول به فعالیت بود، بعد از مدتی به تیم RTG پیوست . در این رابطه AMD نیز بیانیه ای در خصوص تشکیل تیم جدید RTG منتشر کرد :" ما خوشحال هستیم که توانسته ایم افراد با استعدادی نظیر مارتین اَشتون را به نقشه کسب و کارمان اضافه کنیم .علاوه بر این به ما گفته شد که آقای دیوی وانگ توانسته است یک تیم عالی را با توجه به تبلیغات انجام شده ، با اضافه شدن مارتین به این تیم راه اندازی کند." منبع : Guru3d مترجم : محمد فتحی -
به گفته خبرگزاری Korea Times ، نه تنها شرکت آمریکایی Micron ، بلکه دو تراشه ساز مطرح کره ای یعنی Samsung و SK Hynix نیز قربانی سازندگان چینی تراشه های حافظه شده اند.به نظر میرسد که سازندگان چینی ، طرح های اولیه ساخت DRAM ها را از این شرکت ها به سرقت برده باشند.به گفته تولید کنندگان DRAM ، محصولات این شرکت ها دارای IP های اختصاصی خریداری شده ای هستند که طی چندین دهه سرمایه گذاری و تحقیق و توسعه بدست آمده است. اما بااین حال شرکت های چینی مایل نیستند تا از سازندگان DRAM ، مجوز رسمی را دریافت کنند.در صنعت نیمه هادی ها ، جهت ثبت اختراعات ، هزینه های هنگفتی صرف آنها میشود.پس بنابراین طبیعی است که شرکت هایی که وقت و هزینه های بالایی را برای این کار صرف میکنند، بخواهند از آنها محافظت کنند. بدون داشتن مالکیت معنوی یا همان حق ثبت اختصاصی ، شما نمیتوانید نقشی در این صنعت داشته باشید.شما نیاز به تکنولوژی های جدید دارید و باید توانایی تولید در مقیاس وسیع را داشته باشید.همچنین باید مشخصات و طرح های واجد شرایط را در محصولتان داشته باشید.این کار جهت پاسخگویی به درخواست های مشتریان الزامیست.یکی از مهندسین سامسونگ در این باره میگوید : مالکیت معنوی طی دهه ها تلاش و سرمایه گذاری بدست آمده است ، شرکت های چینی برای چنین کاری آمادگی ندارند، زیرا آنها بدون داشتن طرح اختصاصی دست به تولید و توسعه تراشه های DRAM زده اند که به نظر میرسد برای آنها مشکل ساز شود.از کمپانی های چینی که در ابتدا از سوی میکرون و حالا از سوی دو شرکت کره ای متهم به سرقت طرح های تراشه شده، شرکت Fujian Jin Hua IC است.میکرون این سازنده چینی را متهم کرده که آنها IP طرح های ریخته گری نیمه رسانای این شرکت را از طریق یک سازنده تایوانی به نام UMC به سرقت برده اند.با این حال دادگاه های چینی این شرکت تایوانی را تبرئه کرده و به نفع آن رای دادند. همچنین فروش تراشه های میکرون توسط این دادگاه در کشور چین نیز ، ممنوع اعلام شده است. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
-
شرکت فناوری IMFlash Technologies یا به اختصارIMFT که حاصل یک سرمایه گذاری مشترک بین intel و Micron به شمار می آید،اعلام کرد که تولید حافظه های NAND بر اساس فناوری 3D Xpoint که در محصولات مشترک هر دو شرکت اینتل و میکرون و یا حتی دیگر تولید کنندگاه SSD مورد استفاده قرار میگیرد، ظاهرا با مشکلاتی مواجه شده است.مشکلات به وجود آمده در تولید حافظه های QLC NAND ، میتواند منجر به افزایش قیمت سراسری در تولیدات درایوهای SSD شود. ظاهرا این گونه که به نظر میرسد ، سهم تولیدی حافظه های سالم 3D QLC NAND توسط این شرکت به کمتر از 50 درصد رسیده است.کاهش خروجی تولید حافظه های QLC NAND میتواند به طرز ناباورانه ای در افزایش قیمت تراشه های 3D TLC NAND به ازای هر گیگ تاثیر بگذارد.به نظر میرسد در این بین اولین قربانی ضعف عملکرد در تولید تراشه های 3D QLC NAND ، سری SSD های 660P کمپانی اینتل باشد.این سری از NVMe SSD های اینتل میتوانستند میزان یک ترابایت فضای ذخیره سازی را با قیمتی کمتر از 200 دلار در اختیار مصرف کنندگان بگذارند.آن طور که از منابع داخلی IMFT به گوش میرسد ، سهم تولید سالم تراشه های سالم 64 لایه QLC NAND به ازای هر ویفر ، تنها 48 درصد است که این یعنی حدود 52 درصد از ویفر های تولید شده قابل استفاده نیستند، این در حالیست که در طرف دیگر عملکرد تولید سالم ویفر های 64 لایه 3D TLC به 90 درصد میرسد.طبق گفته های این منابع، بدترین حالت ممکن ایسنت که این مشکلات شاید هرگز با نسل فعلی بر طرف نشوند. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
-
اینتل با همکاری میکرون ، اولین حافظه های QLC NAND را معرفی کردند
hd5870 پاسخی ارسال کرد برای یک تاپیک در مقالات و اخبار سخت افزار و نرم افزار تهیه شده توسط لیون کامپیوتر
دو کمپانی intel وMicron در یک همکاری نزدیک ، اعلام کردند که توانسته اند اولین حافظه های 4 بیتی به ازای هر سلول خود را تحت عنوان QLC NAND به تولید برسانند.حافظه های QLC از لحاظ فشردگی بسیار بیشتر از نمونه های TLC هستند و این بدان معناست که در آینده ای نزدیک ، شاهد SSD هایی حجیم تر و با سرعت و کارایی بالاتر را شاهد باشیم. آقای Scott DeBoer معاون توسعه فناوری میکرون در این باره میگوید : " با معرفی فناوری حافظه های 64 لایه NAND و 4 بیتی در هر سلول، ما توانسته ایم در مقایسه با تراشه های TLC به حدود 33 درصد حجم ذخیره سازی بیشتری دست پیدا کنیم.این برای اولین بار در تاریخ نیمه هادی ها است که ما توانسته ایم به نرخ ذخیره سازی یک ترابیت دست پیدا کنیم." کمپانی Micron اولین SSD های رده سازمانی خود رامبتنی بر QLC به نام 5120 ION را روانه بازار خواهد کرد.اولویت اول SSD های مبنی برحافظه های QLC ،حجم بالاتر نسبت به سرعت خواهد بود و نمونه های سریعتر کمی بعد تر روانه بازار خواهند شد.به گفته میکرون اولین SSD ها با ظرفیت های عظیمی از 1.92 ترابایت گرفته تا 7.68 تا اوآخر امسال در دسترس خواهند بود.هر دو شرکت اینتل و میکرون ، هیچکدام تا کنون اطلاعاتی مبنی بر سرعت خواندن و نوشتن SSD های رده سازمانی و یا حتی رده مصرف کننده با ساختارحافظه های QLC به اشتراک نگذاشته اند.در این بین صحبت هایی از SSD های رده مصرف کننده مبنی بر تراشه های QLC NAND شده است ، اما هنوز اطلاعات دقیقی در این باره ارائه نشده است. منبع : Tweaktown مترجم : محمد فتحی -
کمپانی Cadence و شرکت Micron در حال همکاری برای آزمایش و ساخت اولین ماژول از حافظه های DDR5-4400 هستند.در این همکاری Cadence هر دو کنترلر حافظه و PHY رارای نمونه اولیه ارائه داد، در حالی که در این بین میکرون نیز وظیفه تامین تراشه های 8 گیگابیتی ساخت TSMC با نود ساخت 7 نانومتر را بر عهده داشته است.اولین نمونه مورد آزمایش توانست به سرعت 4400 مگاهرتز دست پیدا کند ، که حدود 37.5 برابر سریعتر از سریعترین حافظه های DDR4 موجوددر بازاراست.با این وجود آقای Marc Greenberg از کمپانی Cadence تاکید کرد که بیشترین تمرکز حافظه های DDR5 بر روی ظرفیت حافظه است و اولیت دوم فرکانس این حافظه ها هستند. استاندارد DDR5 میتواند تولید تراشه هایی با سرعت 16 گیگابیت را تسهیل کند و باعث انعطاف پذیری بهتر آنها شود. اما با توجه به محدودیت های قوانین فیزیک ، با افزایش اندازه سطح تراشه ، عملکرد آنها کاهش پیدا میکند.شما یک تراشه 16 گیگابیتی ساخته شده از یک قطعه سیلیکنی را در نظر بگیرید، فاصله بین آنها شروع به افزایش یافتن میکند، در نتیجه پارامترهایی نظیر زمان بندی هسته در بدترین حالت ممکن قرار میگیرند.نمونه اولیه تست شده توسط Cadence یک تاخیر CAS 42 به همراه داشت . گرچه این نمونه توانست در ولتاژ 1.1 ولت فعالیت کند ، که نسبت به حافظه های DDR4 چشمگیر است. Cadence در حال حاضر بر روی استاندارد DDR5-4400 برای حافظه های DDR5 متمرکز است و کار بر روی استاندارد DDR5-6400 در آینده بر روی خط تولید این شرکت خواهد رفت.با توجه به تجزیه و تحلیل این شرکت ، ما میتوانیم به زودی و در سال 2019 ، سیستم های مبتنی بر استاندارد DDR5 را ببینیم.با این حال هدف اصلی این حافظه ها سرورها خواهند بود.فرآیند پذیرش حافظه های DDR5 از سال 2021 آغاز و از آن پس روند آن نیز تسریع خواهد شد.لازم به ذکر است که استاندارد DDR5 هنوز کامل نشده است و موسسه JEDEC هنوز مشخصات خود را برای DDR5 تا تابستان پیش رو نهایی نمیکند.Cadence با اولین بودن در تولیدIP حافظه های DDR5 مستقیم به مبارزه به حافظه های LPDDR5 وHBM میرود. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
-
-1.thumb.jpg.baea978840337a24459ffb2c880f887a.jpg)
بهترین تولیدکننده DDR4 و بهترین تولیدکننده چیپ DDR4 از نظر شما
Hossein.9 پاسخی ارسال کرد برای یک تاپیک در CPU و انواع پردازنده ها و حافظه ها ( RAM )
با سلام دوستان اگه ممکنه بهترین برند تولید کننده‌ی RAM رو از نظر خودتون رو (( اگر ممکنه با دلایل )) معرفی کنید. همچنین بهترین تولید کننده‌ی چیپ های DDR4 از نظر شما کدام شرکت است؟ SK Hynix ، Samsung یا Micron ؟
-
تاکنون اخبار زیادی راجع به پیشرفت های دو شرکت Toshiba و Micron درباره حافظه های QLC NAND منتشر شده است.هر دو شرکت با کمپانی intel همکاری نزدیکی دارند .آنها اعلام کرده اند که هر دو محصول رده مصرفی و سازمانی خود بر اساس حافظه های QLC NAND را تا آخر امسال روانه بازار خواهند کرد.محصولات اینتل نیز به دو قسمت تقسیم میشود که شامل رده مصرف کننده و سازمانی خواهد شد. البته هنوز مشخصات رسمی SSD های رده مصرف کننده بر اساس این حافظه ها ، هنوز در دسترس نیستند، اما انتظار میرود که یک درایو رده پایین به مانند Intel SSD 660p با فاکتور M.2 و اینترفیس PCI-express x2 ، به حداکثر ظرفیتی تا 2 ترابایت برسد.طبق شایعات قبلی مدل های M.2 از این SSD ها با درگاه PCIe 3.0 x2 توان اجرایی با سرعت 1800 مگابایت بر ثانیه دارند و در ظرفیت های 512 گیگ ، 1 ترا و 2 ترابایتی به تولید خواهند رسید. اینتل در تلاش است تا نمونه هایی با فاکتور 2.5 اینچی و با درگاه u.2 nvme را نیز به تولید برساند.گفته میشود این نمونه ها دارای ظرفیت عظیمی حداکثر تا 20 ترابایت خواهند داشت.حتی این محصولات برای عرضه در نیمه دوم امسال برنامه ریزی شده اند.اساس کار حافظه های QLC NAND ، به این صورت است که میتواند 4 بیت داده را در هر سلول بنویسد.اضافه شدن بیت های بیشتر در هر سلول ، بر طول عمر NAND ها تاثیر گذار خواهد بود و میتواند تعداد دفعاتی را که میشود بر روی آنها اطلاعات را نوشت کاهش دهد.به مانند حافظه های TLC (سه لایه در هر سلول ) بسیاری از فناوریها و مکانیزم های اصلاح خطا و مدیریت و افزایش طول عمر ، به این SSD ها اضافه خواهند شد.به عنوان مثال یک SSD بر مبنای حافظه های TLC میتواند تا 300 ترابایت داده را مدیریت کند، قبل از اینکه طول عمر سلول های NAND به اتمام برسند.حافظه های TLC دارای تعداد 1000 چرخه PE هستند ، این ادعا در مورد حافظه های QLC نیز صدق میکند. طبق ادعای میکرون ، این شرکت توانسته با استفاده از فناوری 64 لایه و 4بیتی NAND ، به میزان 33 درصد به تراکم بیشتری در مقایسه با حافظه های TLC ، دست پیدا کند.این برایا ولین بار است که در صنعت نیمه هادی ها ، اولین تراشه های یک ترابیتی به کار گرفته میشوند. منبع : Guru3d مترجم : محمد فتحی
-
Micron اعلام کرد که این کمپانی آمادگی لازم برای عرضه حافظه های 96 لایه با فناوری 3D NAND را به دست آورده و قرار است تا نیمه دوم سال 2018 ، اولین محموله خود را روانه بازار کند.بسیاری از SSD های کنونی از فناوری 32 لایه و در برخی موارد از فناوری تراشه های 64 لایه بهره میبرندبرای مثال درایو Crucial MX500 نمونه ای از SSD های حال حاضر با این فناوری به شمار میرود که از فناوری 64 لایه بهره میبرد.نسل سوم حافظه های 96 لایه 3D NAND باعث افزایش ظرفیت ذخیره سازی در هر تراشه میشود و اجازه میدهد تا دستگاه های قابل حمل که از این تراشه ها بهره میبرند نیز به همان نسبت کوچکتر شوند.حتی در مقایسه با تراشه های 64 لایه کنونی ، هزینه تولید این تراشه ها هم کاهش خواهد داشت.این امر میتواند به قیمت گذاری کلی درایو های SSD که از این تراشه ها بهره میبرد بسیار کمک کند. میکرون انتظار دارد که تولید DRAM های 1X nm (یا 18 نانومتر) تا قبل از پایان سال جاری ، نسبت به نسل قبل حتی بیشتر باشد.نسل بعدی DRAM های 1Y nm (15 ویا 16 نانومتر ) جهت راه اندازی در نیمه دوم سال 2018 در حال برنامه ریزی هستند.دور از ذهن نخواهد بود که تمامی محصولات مبتنی بر نسل جدید حافظه های 96 لایه 3D NAND حداکثر تا نیمه دوم امسال به صورت عمومی منتشر شوند و اولین محصولات آنها تا پایان سال جاری در دسترس کاربران قرار بگیرند. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
-
در انجمن Reddit ، عکسی مربوط به نمونه مهندسی شده از نسل بعدی کارتهای گرافیکی شرکت Nvidia روئیت شده است.با بزرگ نمایی عکس ها در قسمت مربوط به ماژول های حافظه ، متوجه میشوید که اینها حافظه های GDDR6 شرکت Micron هستند.از آنجایی که فعلا هنوز هیچ هسته گرافیکی با حافظه های GDDR6 سازگار نیست ، پس بنابراین برد به نمایش در آمده ، میبایستی مربوط به نسل بعدی کارتهای گرافیکی انویدیا باشد.از عکس ها این طور میتوان برداشت کرد که این نمونه مهندسی در حال گذراندن تست های آزمون و خطاست . هنوز چیزی در این باره مشخص نشده و ما نمیتوانیم با اطمینان بگوییم که این کارت مربوط به معماری Turing باشد.این احتمال هم وجود دارد که این کارت یک نسخه ارتقاء یافته از معماری Pascal به همراه حافظه های GDDR6 باشد.این کارت تنها یک نمونه اولیه است که تعداد 3 اتصال برق 8 پین به همراه 12 ماژول حافظه Micron GDDR6 بر روی مدار PCB آن نصب شده است.همانطور که معلوم میشود هیچ پردازنده گرافیکی بر روی این برد وجود ندارد هرچند که محل نصب آن بزرگ به نظر میرسد. منبع : Guru3d مترجم : محمد فتحی
-
در خلال برگزاری کنفرانس نوآوری های کمپانی میکرون که به صورت زنده برگزار شد ، این شرکت جزئیاتی را در مورد اولین SSD های تولیدی با استفاده از تراشه های (QLC) NAND به اشتراک گذاشت.اولین هدف این SSD ها در مورد کاربردهای سازمانی خواهد بود و در سال جاری نیز در دسترس قرار خواهند گرفت.تراشه های QLC به طور مستقیم درحالت حرکت به سوی بازار مصرف کننده است .این تراشه ها ظرفیت های بالاتر را در ازای هزینه های کمتر ارائه خواهند دادو حداقل از تراشه های NAND فعلی ارزان تر خواهند بود.تراشه های QLC NAND حداکثر 33 درصد ظرفیت بیشتر نسبت به تراشه های TLC ، بدون افت عملکرد و با هزینه بسیار پایین تر را ارائه میدهد. تراشه های QLC-NAND مبنی برسلول های 64 لایه NAND هستند و میتوانند حداکثر تا ظرفیت 768 گیگابیت را ارئه دهند و اجازه ذخیره سازی تا 1.5 ترابایت در هر پکیج را میدهد.این بدان معنا خواهد بود که SSD هایی که برمبنای این نوع تراشه ها ساخته شوند، نسبت به سایر SSD های معمول ، علاوه بر داشتن ظرفیت های بالاتر ، بسیار مقرون به صرفه تر هم هستند.اساسا این نوع حافظه های NAND ، توانایی نوشتن تا 4 بیت در هر سلول را دارند.اضافه شدن بیت های بیشتر در هر سلول ، بر طول عمر حافظه های NAND تاثیر میگذارند، و به این ترتیب تعداد دفعاتی که میتوان داده ها را بر روی آنها نوشت را کاهش میدهد.درست به مانند تراشه های TLC ، تراشه های جدید نیز به مکانیسم هایی چون تصحیح خطا و سیستم نظارت بر طول عمر SSD ها ، مجهز شده اند.به عنوان مثال یک SSD مجهز به حافظه های TLC و با ظرفیت 500 گیگابایتی، به راحتی میتواند تا 300 ترابایت داده را مدیریت کند ، قبل از اینکه سلول های تراشه های NAND شروع به خاموش شدن کنند. تراشه های TLC تقریبا دارای 1000 چرخه PE هستند و این مقدار برای تراشه های QLC نیز ادعا شده است. SSD های مبنی بر حافظه های QLC برای برنامه های کاربردی و ذخیره سازی با فشردگی بالا و در طولانی مدت ، جالب خواهند بود.کمپانی میکرون تاریخ دقیقی برای عرضه SSD های مبنی بر این تراشه ها را اعلام نکرده ، اما گفته است که در سال جاری روانه بازار خواهند شد.در این بین کمپانی هایی نظیر SK Hynix و Toshiba و سامسونگ و همچنین Western Digital قبلا اعلام کرده اند که مشغول به فعالیت در زمینه فناوری تراشه های QLC NAND هستند. منبع : Guru3d مترجم : محمد فتحی
-
AMD در حال کار بر روی کنترلر حافظه های GDDR6 است
hd5870 پاسخی ارسال کرد برای یک تاپیک در مقالات و اخبار سخت افزار و نرم افزار تهیه شده توسط لیون کامپیوتر
طی گفتگویی که با یکی از اعضای اصلی تیم فنی AMD یعنی آقای Daehyun Jun انجام شد ، وی گفت آنها در حال کار بر روی کنترلر DRAM برای حافظه های GDDR6 هستند. همه میدانیم که حافظه های HBM در هر نوع قالبی هنوز گران قیمت و برای استفاده هنوز هم دشوار هستند، این دقیقا چیزی بود که در هنگام راه اندازی سری خانواده کارت گرافیک های VEGA مشخص شد.این در حالیست که AMD به دنبال پیشرفت در تکنولوژی با هزینه های بسیار پایین است و امیدوار است با حافظه های GDDR6 به آن دست پیدا کند. به همین دلیل آنها شروع به طراحی یک کنترلر جدید ، برای بکارگیری در پردازنده های گرافیکی خود کرده اند. حافظه های GDDR6 پتانسیل دوبرابری پهنای باند حافظه نسل فعلی مانند سرعت 8Gbps حافظه های به کار رفته در کارت 1070Ti را دارند. و خبر خوب این است که ممکن است در موج بعدی کارت های گرافیکی به خدمت گرفته شوند.این حافظه ها با ولتاژ کمتر میتوانند پهنای دوبرابری را نسبت به حافظه های نسل GDDR5 ،در اختیار پردازنده گرافیکی قرار دهند.برای مثال حافظه های به کار رفته در دو کارت GTX 1070 و یا RX 480 با سرعت 7 و یا 8 گیگابیت در ثانیه فعالیت میکنند، این در حالی است که حافظه هایGDDR5X به کار رفته در کارت 1080 با سرعت 10 و یا 11 گیگابیت در ثانیه فعالیت دارند. با ورود حافظه های GDDR6 فعالیت حافظه های GDDR5X پایان میابد.سرعت حداقلی برای این حافظه ها از 14 و یا 16 گیگابیت در ثانیه شروع خواهد شد و این معنای پهنای باند دوبرابری با فرکانس بالاتر را نسبت به این نسل خواهد داد.ولتاژ حافظه های GDDR6 کمی عجیب است و مانند حافظه های GDDR5X بر روی 1.35 ولت قرار گرفته است. همچنین در تولید این حافظه ها قرار است دو شرکت SK Hynix و Micron هم وارد عرصه رقابتی شوند.به احتمال زیاد حافظه های GDDR6 از اوایل سال 2018 در دسترس خواهند بود. منبع : Guru3d مترجم : محمد فتحی
