رفتن به مطلب

جستجو در تالارهای گفتگو

در حال نمایش نتایج برای برچسب های 'nand'.

  • جستجو بر اساس برچسب

    برچسب ها را با , از یکدیگر جدا نمایید.

  • جستجو بر اساس نویسنده

نوع محتوا


انجمن‌ها

  • بخش عمومی
    • نسخه ۴ تالار گفتمان
    • قوانین فروم
    • آخرین اخبار و اطلاعیه های انجمنها و سایت
    • نظرات و پیشنهادات
    • انجمن شبکه های اجتماعی لیون کامپیوتر
    • برنامه‌های زنده‌ی لیون کامپیوتر
  • سیستمهای قدرت ( تولید , انتقال , توزیع )
  • PLC مدارات فرمان و قدرت
  • مقالات تخصصی برق
  • سخت افزار
    • مشکلات و خطاهای سیستم
    • مشاوره برای انتخاب قطعات سیستم
    • بحث در مورد مادربورد وچیپستها
    • CPU و انواع پردازنده ها و حافظه ها ( RAM )
    • قطعات و دستگاههای ذخیره سازی
    • بحث در مورد کارت گرافیک ( VGA )
    • اسپیکر و کارت صدا
    • اسکنر و پرینتر و پلاتر
    • کیس و پاور و سیستمهای خنک کننده
    • کارت کپچر و انواع کارتهای تبدیل و میکس
    • مانیتور ، کیبرد ، موس ، قلم نوری
    • تجهیزات شبکه و اینترنت
    • بحث در مورد انواع قطعات سخت افزاری
    • مقالات و اخبار سخت افزار
    • مقالات و اخبار سخت افزار و نرم افزار تهیه شده توسط لیون کامپیوتر
    • گارانتی
    • انجمن تخصصی سخت افزار
    • لپ‌تاپ ، تبلت ، All in One
    • انجمن تخصصی کالاهای دیجیتال که انجمنی ندارند
  • مدارهای آنالوگ
  • الکترونیک قدرت ( Power Electonic )
  • ابزار دقیق
  • موبایل، تبلت و انواع گجت ها
    • مشاوره برای انتخاب گوشی و تبلت مناسب
    • مقالات و اخبار موبایل، تبلت و گجت ها
    • گفتگو در خصوص انواع گجت ها و کالاهای دیجیتال
  • مباحث دانشگاهی
  • نرم افزار
    • نرم افزار
  • مدارهای دیجیتال
  • تاسیسات الکتریکی
  • کنکور
  • طراحی عناصر
  • ماشینهای الکتریکی
  • انجمن گیمینگ
    • بازی های رایانه ای
    • دستگاههای بازی و گیم و بازیهای کامپیوتری
    • اخبار دنیای بازی
    • نقد بررسی بازی
    • مشکلات در بازی و خطاهای سیستم
    • راهنمایی و ترفند گیم
    • PC گیمینگ
    • ایکس باکس
    • پلی استیشن
    • تجهیزات گیمینگ
    • بازی های موبایل
    • مقالات مرتبط با گیم
    • مولتی مدیا و گیم
    • بازی بازار
  • میکروکنترلر
  • پروژه های دانشجویی
  • کلاب
    • انجمن طرفداران
  • ارزهای رمزگذاری‌شده CryptoCurrency
    • نرم‌افزارها(ماینرها) و سخت‌افزارهای ماینینگ
    • تحلیل بازار و معرفی ارزهای رمزگذاری شده
    • بلاکچین
    • بازارچه‌ی ارزهای رمزگذاری‌شده و ماینینگ
  • موضوعات عمومی
    • گفتگوی آزاد
    • مسائل عمومی وب و اینترنت
    • مقالات و مطالب عمومی
    • انجمن مسابقات عمومی , سخت افزاری و قرعه کشی ها
    • انجمن درخواستها و اعتراضات کاربران به بازار داخلی
  • بازارچه
    • قیمت قطعات در بازار , اخبار بازار کامپیوتر و اخبار بازارچه لیون
    • واردات کالا
    • حراج قطعات ليون كامپيوتر
    • خرید و فروش قطعات کامپیوتر
    • خرید و فروش قطعات ماینینگ
    • خرید و فروش نرم افزار و گیم و بازی
    • خرید و فروش قطعات برق و الکترونیک
    • خرید و فروش کالاهای متفرقه

بلاگ‌ها

  • lioncomputer.ir
  • بلاگ دانیال (مطالب اینتل)
  • Extreme Plus Workshop
  • SSD
  • Daniel.Hz' بلاگ
  • Uranium' بلاگ
  • amin_naja(امین پناهی زاده)' بلاگ
  • Iranmedu' بلاگ
  • Iranmedu' بلاگ
  • Iranmedu' بلاگ
  • عطر دیجی بوم | فروش عطر و اسانس ادکلنی

جستجو در ...

نمایش نتایجی که شامل ...


تاریخ ایجاد

  • شروع

    پایان

آخرین بروزرسانی

  • شروع

    پایان

فیلتر بر اساس تعداد ...

تاریخ عضویت

  • شروع

    پایان

گروه

محل سکونت :

علاقمندی

پردازنده

مادربورد

رم

کارت گرافیک

ذخیره سازی

درایوهای نوری

منبع تغذیه

کیس

خنک کننده

کارت صدا

کارت های جانبی

مودم

مانیتور

کیبورد و موس

بلندگو ، هدفون

اسکنر، پرینتر

سیستم عامل

57 نتیجه پیدا شد

  1. مجتبی حیدرزاده
    بخش اول: شرکت Toshiba امروز اعلام کرد که به نسل جدیدی از BiCS FLASH دست یافته، یک نوع فلش مموری سه بعدی با ساختری از سلول های انباشته شده. این فلش مموری، از اولین فلش مموری هایی با سرعت 256 Gigabite یا 32 Gigabyte و 48 لایه ذره مقیاس پذیر (BiCS یا bit cost scalable) و به همراه تکنولوژی TCL یا سلول سطح سوم (TCL یا Triple cell level) می باشد. نمونه هایی از این مموری در ماه September به شرکت های محدودی ارسال می شود. BiCS FLASH بر پایه 48 لایه تشکیل شده و شامل دو مموری NAND می باشد که این نوع چینش، باعث افزایش سرعت خواندن، نوشتن و پاک کردن می شود. از BiCS FLASH در برنامه ها، درایو های حالت جامد (SSD) ، اسمارت فون ها، تبلت ها ، کارت های حافظه و درایو های حالت جامد مخصوص مصارف صنعتی استفاده خواهد شد. از زمان ساخت اولین نمونه BiCS FLASH توسط شرکت Toshiba حدود 8 سال می گذرد (ماه June سال 2007 میلادی) و تا الان، این شرکت به توسعه ی خود در این زمینه ادامه داده است. گفته شده این حافظه ها در نیمه ی اول سال 2016 عرضه و برای اولین بار در درایوهای حالت جامد استفاده خواهند شد. بخش دوم: شرکت Toshiba همچنین از اولین فلش مموری NAND جهان با شانزده قالب انباشته شده که در آن از سیلیکون نیز استفاده شده، (بوسیله تکنولوژی TSV) رونمایی کرد. در حال حاظر ظرفیت مموری NAND FLASH، شانزده قالب است که این مقدار نیز بوسیله شرکت Toshiba بدست آمد. اولین نمونه از این نوع مموری NAND FLASH در تاریخ 11 تا 13 ماه August و طی مراسم Flash Memory Summit 2015 به نمایش در خواهد آمد. در مموری های انباشته شده NAND نسل قبل ، فلش مموری ها بوسیله اتصال سیم به یکدیگر متصل می شدند. اما حالا به کمک تکنولوژی TSV یا Through Silicon Via ، الکترود های نازک عمودی در قالب های سیلیکونی برای برقراری اتصال فلش مموری ها قرار می گیرند که به سبب آن ، سرعت تبادل اطلاعات افزایش چشم گیری می یابند و میزان مصرف برق نیز کم می شود. تکنولوژی انحصاری TSV شرکت Toshiba می تواند سرعت تبادل وردوی/خروجی اطلاعات را تا سقف یک گیگابیت بر ثانیه برساند، سرعتی که هیچ یک از حافظه های NAND کنونی ندارند. انرژی مورد نیاز برای مدار هسته ، حدود 1.8V ، مدار ورودی/خروجی (I/O) برابر 1.2V و تقریبا 50% کاهش انرژی در عملیات نوشتاری ، عملیات خواندنی و تبادل اطلاعات ورودی/خروجی، است. این حافظه بسیار مناسب SSD ها یا همان درایوهای حالت جامد می باشد. منبع: techpowerup مترجم: مجتبی حیدرزاده
  2. مجتبی حیدرزاده
    شرکت انگلیسی Integral از درایو حالت جامد بالا رده UltimaPro X رونمایی کرد. این درایو، گیمرهای حرفه ای، طراحان دیجیتالی و تهیه کنندگان ویدئو را مورد هدف خود قرار داده است. این درایو از یک پردازنده چهار هسته ای و کنترلر هشت کاناله Phison S 10 برای رسیدن به سرعت خواندن 565MB/s و سرعت نوشتن 545MG/s استفاده کرده است . شزکت Integral درایو حالت جامد UltimaPro X را بطور خاصی بای سیستم های گیمینگ بالا رده که بازی ها را با رزولوشن 4K و کیفیت باا اجرا می کنند، ادیتورهای حرفه ای که اطلاعت زیادی را رد و بدل می کنند، انیماتورهای سه بُعدی، اجرای ویدئوهای 4K و فیلم برداری برنامه های زنده ساخته است. در حال حاظر، درایو های هارد دیسک قدیمی به هیچ وجه برای گیمیرها و کاربران حرفه ای، کافی نیستند و آنها را در تنگنای کمبود کارایی قرار می دهند. بخصوص کاربرانی با رم های با ظرفیت بالا و اورکلاک شده، پردازنده های چند هسته ای، کارت گرافیک های دو هسته ای و حتی دو یا چند کارت گرافیکی که با رابط SLI و Crossfire متصل شده اند. اما درایو UltimaPro X اینجاست تا کارایی سیستم شما را بیش از پیش بالا ببرد، مدت زمان بارگذاری بازی ها و نرم افزارها را کاهش دهد و صد البته، سرعت بوت سیستم تان را بطور قابل توجه ای افزایش دهد. درایو حالت جامد مذکور از مموری MLC NAND غیر قابل فرار استفاده کرده است تا بتواند حدود 9,200 عملیات منفرد را در هر ثانیه انجام دهد. رابط اتصال آن نیز SATA 3 با سرعت 6Gb/s می باشد. درایو حالت جامد Integral UltimaPro X در سه حجم 480GB ، 240GB و 960GB تولید خواهد شد. هنوز قیمت این درایوها معلوم نشده است. منبع: techpowerup مترجم: مجتبی حیدرزاده
  3. مجتبی حیدرزاده
    امروز شرکت اینتل و Micron طی همایشی از نسل جدید فلش مموری های 3D XPoint پرده برداری کردند. این اختراع، انقلابی در سرعت رد و بدل کردن اطلاعات بوجود می اورد. تا چندی قبل، حافظه های NAND که طیف وسیعی از آنها در درایوهای حالت جامد استفاده میشد، بعنوان سریعترین و ارزانترین حافظه های موجود در بازار بود، اما حالا، شرکت اینتل دست به اختراع نسل جدید فلش مموری های 3D XPoint زده که به گفته ی این شرکت، این فلش مموری ها، ارزان و سرعتی 1000 برابر بیشتر از فلش مموری ای NAND خواهند بود. همچنین میزان تراکم پذیری این فلش مموری ها 10 برابر مموری های استاندارد است و به ادعای شرکت اینتل، فلش مموری های جدید ساخته ما قادر به دسترسی به داده ها در سرعتی غیر قابل باور داشته باشند. آقای Rob Crooke، مدیر اجرایی این پروژه از اینتل، در این باره گفت: "برای چندین دهه، فعالان صنعت وسایل ذخیره سازی همواره به دنبال کاهش میزان تاخیر بین پردازنده و مکان اطلاعات برای آنالیز سریعتر بودند. حال با آمدن نسل جدید از فلش مموری های non-volatile (غیر قابل فرار؟) ، بشر را در رسیدن به این هدف کمک شایانی کرده و سرعت و کارایی مموری ها و وسایل ذخیره سازی را بسیار بالا برده است." در واقع می توان گفت، نسل جدید فلش مموری های 3D XPoint ، ترکیبی از مموری های DRAM و NAND می باشد: سرعت بالای DRAM + قیمت کم NAND . همانطور که گفتم، کارایی و سرعت حافظه های 3D XPoint حدود 1000 برابر حافظه های NAND است (حتی دارا بودن حافظه NAND به رابط PCIe NVMe نمی تواند کمی به آن کند.) حافظه های جدید 3D XPoint حتی دارای کارایی 1000 برابر بیشتر از فلش مموری های non-volatile می باشد. در حال حاظر دو شرکت Intel و Micron به راحتی می توانند شروع به ساخت معماری های جدید برای نسل جدیدی از وسایل ذخیره سازی، با سرعت خواندن و نوشتن بسیار بالا و تاخیر بسیار کم کنند. هم اکنون، یک حافظه ی 3D XPoint می تواند نهایتا 128 گیگابایت اطلاعات را در خود ذخیره کند، که البته این مقدار در آینده بیشتر خواهد شد. آقای Mark Adams، مدیر عامل شرکت Micron در این باره ابراز نظر کرد: " یکی از قابل توجه ترین موانع در فرآیند محاسبه در زمان فعلی، دسترسی کند پردازنده ها به همه ی اطلاعات دستگاه های ذخیره سازی با ظرفیت بالاست. اما با استفاده از حافظه های پرسرعت و انقلابی 3D XPoint ، این مانع به کلی برداشته می شود و قابلیت دسترسی به دنیایی از اطلاعات و اپلیکیشن ها میسر می شود. منبع: tweaktown مترجم: مجتبی حیدرزاده
  4. مجتبی حیدرزاده
    گویا تشنگی شرکت SanDisk در بالا بردن ظرفیت درایو های حالت جامد تمامی ندارد. در حالی که به لطف استانداردهایی نظیر M.2 و PCIe ، اندازه فیزیکی SSD ها رو به کم شدن است، شرکت بزرگ SanDisk قصد دارد بزودی و از سال آینده شروع به ساخت و معرفی SSD هایی با ظرفیت 6TB و 8TB کند. شرکت مذکور برای رسیدن به این هدف والا، می خواهد از NAND های 15 نانومتری شرکت Toshiba استفاده کند. علاوه بر این، آنها ممکن است از جدیدترین نسل NAND ها، مرسوم به 3D V-NAND نیز بهره ببرند. مدیر عامل شرکت SanDisk، آقای Sanjay Mehrotra در این باره گفت: "ما اکنون در حال توسعه نسل بعدی NAND flash های 15 نانومتری با سرعت 12Gb/s و با ظرفیت و کارایی بالاتری هستیم. ما امیدواریم محصولات جدیمان را در ساب 2016 روانه بازار کنیم، همچنی در پایان همان سال نیز میزان درآمد مان را اعلام خواهیم کرد." شرکت SanDisk در تمامی حرفه های خود، مثل MicroSD ، SSD و غیره، در زمینه ظرفیت آنها پیشرفت های باور نکردنی داشته و در حال حاظر از این شرکت بعنوان Leader یا سرپرست حافظه ساز ها شناخته می شود. منبع: tweaktown مترجم: مجتبی حیدرزاده
  5. captcha
    کمپانی SK Hynix سازنده صاحب نام چیپ های حافظه همزمان با اعلام سود سالانه مربوط به 2016 از طرح های خود برای عرضه حافظه های DRAM و NAND جدید این شرکت در سال جاری میلادی خبر داد. حافظه های ِDRAM با فناوری 21 نانومتر در اواخر سال 2015 SK Hynix شروع به ساخت حافظه DRAM با تکنولوژی 21 نانومتری کرد و به سرعت علاوه بر پیشرفت در این مسیر به یکی از غول های این صنعت تبدیل شد. در حال حاضر محصولات این شرکت با فناوری چیپ های 21 نانومتری شامل طیف گسترده ای از حافظه های ِDRAM سیستم ها و موبایل ها و سایر حافظه های تخصصی تر می شود و تایید کرده است که امسال ساخت حافظه های جدید DRAM با فرایند 10 نانومتر را کلید خواهد زد. مانند سایر کمپانی ها SK نیز درمورد ظرفیت حافظه های خود بسیار محتاطانه عمل می کند و قصد ندارد تغییر کلی در این حافظه ها بوجود آورد. همزمان این شرکت قصددر افزایش تولید خط 21 نانومتری و آغاز ساخت DRAM های 18 نانومتری در نیمه دوم سال 2017 دارد که این امر ناخواسته باعث خروجی بیت بیشتر در حافظه می شود. در واقع همان اندازه که حافظه ها کوچکتر می شوند امکان ساخت بیت های بیشتر در حافظه با یک ویفر خام 300 میلیمتری امکان پذیر می شود. در همین حال تحلیلگر سایت TrendForce معتقد است نیاز بازار به حافظه ها در سال جاری از میزان افزایش 20 درصدی (سال به سال) خود عبور خواهد کرد در حالیکه حافظه های DRAM تولید شده توسط تمام سازنده ها به میزان 19% افزایش خواهد یافت. این میزان تولید علاوه بر کمیاب تر شدن این حافظه ها قیمت نهایی را نیز بالاتر خواهد برد. به غیر از رایانه های شخصی دو عامل دیگر نیز شاهد افزایش تقاضا خواهند بود. یکی پلتفرم Xeon جدید اینتل و دیگری گوشی های هوشمند دارای سیستم عامل Android گوگل که شاهد ارتقاء حافظه ها در مدل های رده بالای آنها خواهیم بود که از میزان 8 گیگابایت حافظه LPDDR4 و LPDDR4X بهره خواهند گرفت. حافظه های NAND جدید در سال 2017 تقاضا برای حافظه های فلش NAND نیز همزمان با رشد تولید محصولات بر این پایه از قبیل گوشی های هوشمند،SSD ها و سایر سازنده ها بطور ثابتی سال به سال افزایش یافته. همچنین شاهد افزایش میزان حافظه نسبت به محصول بوده ایم. برای مثال آیفون 7 شرکت Apple علاوه بر حافظه 16 گیگابایت، حافظه 32 گیگابایتی نیاز خواهد داشت. برای پاسخگویی به این حجم بالای تقاضا سازنده ها حافظه های پر ظرفیت 3D NAND را عرضه می کنند. SK Hynix اولین بار در سال 2015 حافظه های 36 لایه 128 گیگابیتی MLC NAND را عرضه کرد که با نام 3D-V2 نیز شناخته می شوند که در حافظه های همراه بکار می رود. سپس حافظه های 48 لایه 3D NAND یا همان 3D -V3 را تولید کرد که در طیف گسترده تری از محصولات مثل کارت های حافظه، فلش درایو ها و SSD ها استفاده می شد. در نسل سوم خود نیز SK روی حافظه 256 گیگابیتی (32 گیگابایت) TLC تمرکز کرده است. این آی سی ها در ساخت پکیج های NAND 256، 512، 1024، 2048 و حتی 4096 برای عملکردهای مختلف گیگابیت بکار می رفت. امسال SK قصد دارد تا تولید حافظه های 3D NAND TLC خود (3D-V4) را آغاز کند. در ابتدا این چیپ ها دارای حافظه 256 گیگابیتی خواهند بود که در سه ماهه دوم 2017 عرضه می شوند. در ادامه و در آخرین ماههای 2017 این شرکت به عرضه چیپ های 512 گیگابیتی (64 گیگابایت) با همین تکنولوژی خواهد پرداخت که به افزایش ظرفیت های دیسک های جامد SSD منجر می شود.نکته مهم در این حافظه ها افزایش سرعت SSD ها توسط بلاک سایز جدید 13.5 مگابایتی نسبت به مقدار 9 مگابایتی ورژن 3D-V3 است. طبق اطلاعات بدست آمده، مولتی چیپ های 8گیگابیتی NAND ساخت SK Hynix در ظرفیت 1 ترابایت باعث افزایش ظرفیت های SSD ها در ابعاد کوچکتر خواهد شد. توسعه کارخانجات M14 و C2 در گزارش ها آمده است که SK Hynix قصد دارد از طبقه بالایی کارخانه M14 خود جهت ساخت حافظه های NAND جدید استفاده کند. این کمپانی این خبر را تایید کرده ولی جزئیات دیگردی ارائه نداده است. فناوری جدید SK در ساخت NAND فلش های جدید امکان عرضه SSD های ظرفیت بالا را بزودی فراهم خواهد کرد. همچنین این شرکت اقدام به توسعه کارخانه C2 در Wuxi چین جهت افزایش تولید کرده است که حدود 2 سال به طول خواهد انجامید و حدود 790 میلیون دلار هزینه برای این شرکت خواهد داشت. عملیات توسعه این کارخانه تا آوریل 2019 زمان می برد و انتظار تاثیر زود هنگام در قیمت ها نمی رود. منبع : AnandTech مترجم : Adel Riahi
  6. hd5870
    کمپانی Colorful یک درایو SSD جامد به نام SL50 با ظرفیت 480 گیگ، مجهز به درگاه ورودی SATA 6.0 گیگابیت را روانه بازار کرد.این درایو از تراشه های MLC NAND ساخت کمپانی میکرون، به همراه کنترلرSilicon Motion SM2258XT استفاده میکند.Colorful در نمونه 480 گیگی این درایو ازحافظه های ساخت اینتل 3D MLC NAND Flash استفاده کرده است. این درایو از نوع 2.5 اینچی و با ضخامت 7 میلیمتر است و جهت ارتباط از رابط SATA 6.0 گیگابیت استفاده میکند و با استفاده از کنترلرSilicon Motion SM2258XT از فناوریهای Smart ، قابلیت ارسال دستور TRIM، و قابلیت های DEVSLEEP و NCQ پشتیبانی میکند. علاوه بر اینها این درایو طول عمری برابر با 1.5 میلیون ساعت در حالت MTBF (میانگین زمان خرابی بین داده ها) دارد.درایو SL500 480G(MLC) در حالت خواندن و نوشتن میتواند به سرعتی برابر با 500 مگابایت و 480 مگابایت در ثانیه دست پیدا کند و در حالت خواندن و نوشتن تصادفی (IOPS 4KB) نیزمیتواند به ترتیب امتیازهای 75,000 IOPS و 75,000 IOPS را کسب کند. کالرفول این درایو را با یک گارانتی 3 ساله و به قیمت 142 دلار به فروش میرساند. منبع : Guru3d مترجم : محمد فتحی
  7. hd5870
    کمپانی سامسونگ الکترونیک ، از بزرگترین تولید کنندگان حافظه های فلش NAND و DRAM ، امروز اعلام کرد که آمادگی لازم جهت افزایش تولید این تراشه ها را بدست آورده است.این شرکت با گسترش دو کارخانه مهم تولید محصولات DRAM خود در شهر های Hwasung و Pyeongtaek واقع در کشور کره جنوبی ،آن را تقویت خواهد کرد.این کمپانی قرار است که قسمت خط فرمان تولید تراشه های 2D NAND خود واقع در کارخانه Hwasung را به جهت تولید تراشه های DRAM ، باز طراحی کند.این خط تولید جدید از نیمه اول سال 2018 آغاز شده و کارخانه واقع در Pyeongtaek نیز به عنوان شعبه دوم ، فعالیت های مشابهی را جهت تولید DRAM آغاز خواهد کرد. انتظار میرود ، این افزایش تولید تنها برای نیمه دوم سال 2018 میسر شود و کاربران در آن زمان است که میتوانند تاثیر قیمت حافظه های کامپیوتر را با افزایش تولید تراشه های DRAM توسط سامسونگ احساس کنند.البته صنعت رایانه ، تنها مصرف کننده DRAM نیستند و بخش عظیمی از آن توسط صنعت وسایل قابل حمل مانند تلفن های همراه هوشمند و تبلت ها مصرف میشود.موجودی تراشه های DRAM طی سه ماهه سوم سال گذشته ،تحت نوسانات و فشار شدید قرار گرفته است که باعث افزایش قیمت حافظه های PC به میزان 80 تا 100 درصد و یا حتی فراتر از آن شده است. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
  8. hd5870
    وقتی صحبت از SSD های رده مصرف کننده میشود،شرکت سامسونگ بیشترین محصول در این باره نسبت به دیگر شرکت ها ، در اختیار دارد،حتی اگر فناوری های رقابتی آنها نسبت به این شرکت برتر باشند.با توجه به قیمت گذاری این محصولات،SSD های سامسونگ معمولا قابل اعتمادترین و سریعترین گزینه ها در بازار هستند.مدل های 960 PRO و 960 EVO SSD نمونه بارزی از این محصولات هستند که به خوبی در تثبیت موقعیت بازاری این شرکت درخشیده اند و به زودی جانشینان این درایو ها از راه خواهند رسید. درایوهای نسل بعدی سامسونگ NVMe دارای نام کد PM981 هستندکه استفاده از حروف "PM" در ابتدای آن نشان دهنده استفاده از تراشه های TLC NAND (تراشه های 64 لایه 3 بیتی به ازای هر سلول V-NAND) است.عدد 9 نشانگر بالاترین فناوری مورد استفاده سامسونگ و عدد 81 به معنای جداسازی مدل ها مانند سری 960 سامسونگ است.انتظار میرود که سامسونگ مدلی با کد 970 را در دستور کار خود داشته باشد و با توجه به سری "EVO" و "PRO" ، عملکرد آنها را ترسیم کند.در حال حاضر این مدل تنها از حافظه هایی با ظرفیت 512 گیگ و 1 ترابایتی استفاده خواهند کرد.این داریوها از کنترلر اختصاصی سامسونگ Polaris V2 به همراه یک خنک کننده فلزی بهره میبرند و میتوانند سرعت خواندن متوالی 3000 مگابایت بر ثانیه برای مدل 512 گیگ و سرعت خواندن 3200 مگابایت برثانیه ای را برای مدل 1 ترابایتی فراهم کنند.همچنین مدل 512 گیگ از سرعت نوشتن 1800 مگابایتی و مدل یک ترابایت هم از سرعت نوشتن 2400 مگابایتی برخوردار هستند.این مدل ها توسط یک خرده فروشی ویتنامی ، با قیمت های 230 دلار و 430 دلاری لیست شده اند.این قیمت ها به معنای قیمت نهایی برای مصرف کننده ها نخواهد بود ، هر چند که این فناوری ها و عملکرد بالا برای درایو های NVMe SSD مناسب هستند. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
  9. hd5870
    نام Phison فقط یک برند سازنده کنترلر نیست .همانطوری که شما میدانید این سازنده ،کنترلر دو کاناله NVMe NAND با نام Phison E8 را در کارنامه خود داردوشما خواهید دید که در ماه های آینده محصولاتی با استفاده از این کنترلر به فروش خواهند رسید.همچنین این شرکت در حال بررسی عملکرد کنترلر های جدید E12 و S12 است .کنترلر جدید E12 قطعا جزء ستارگان جدید در خط تولید Phison است .فقط کافیست نگاهی به رتبه 3200 مگابایتی سرعت در هنگام خواندن و 3000 مگابایتی در حالت نوشتن و یا به امتیازفوق العاده 600K در حالت خواندن و نوشتی تصادفی IOPS نگاهی بیاندازید.به طور طبیعی این رتبه سنجش سرعت باید با استفاده از تراشه های NAND حاصل شده باشد.البته پیاده سازی ترفند هایی در فریمور آن نیز میتواند در دستیابی به استخراج چنین عملکردی و ذخیره سازی با سرعت های بالا نقش داشته باشد. بر خلاف کنترلر E8 ، کنترلر جدید E12 به صورت کامل از در گاه اینترفیس NVMe با پهنای باند PCIe x4 بهره میبرد و اجازه ثبت چنین امتیاز هایی را برای سرعت میدهد.از سوی دیگر شایعست که کنترلر S12 از درگاه SATA III بهره میبردو به معنای آنست که سرعت خواندن متوالی به 550 و سرعت نوشتن متوالی به 530 مگابایت محدود میشود.با این حال به غیر از درگاه رابط و سرعت و امتیاز IOPS ، بقیه مشخصات این کنترلر ها یکسان است . استفاده ازتراشه های 3D NAND از نوع MLC/TLC/QLC به ترتیب 8 کاناله ،پشتیبانی از پروتکل های LDPC و SmartECC و End-to-End DPP در این سری محصولات یکسان هستند. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
  10. hd5870
    طبق گزارش DigiTimes ، درایوهای SSD یک ترابایتی در سال 2019 ، به یکی از انتخاب های اصلی سیستم های سطح میانی تبدیل خواهند شد ، چرا که در اوآخر سال گذشته بود که این درایوها ، کاهش قیمتی تا 50 درصد را تجربه کردند.اکنون یک درایو 2.5 اینچی SATA SSD با ظرفیت یک ترابایت به قیمت 99 دلار به فروش میرسد، در حالی که نمونه های NVMe M.2 با همین ظرفیت ، با قیمت پایه 130 دلاری به بازار عرضه میشوند.ابتدای سال 2018 مدل های یک ترابایتی SATA SSD با قیمت پایه 160 دلاری و مدل های NVMe با قیمت پایه 200 دذلاری ، فروش خود را آغاز کردند.درایوهایی با عنوان یک ترابایت ، شامل تمام نمونه هایی با ظرفیت های 960 گیگ ، 1000 گیگ و 1024 گیگ میشوند که به تولید رسیده اند. این روند کاهش قیمت ، با ورود حافظه های ارزان قیمت تر 96 لایه QLC 3D NAND ، حتی بیشتر نیز میشودبه طوری که نسبت به حافظه های فلش قدیمی تر 64 لایه TLC NAND طی سه ماه متوالی تا 15 درصد افت قیمت را تجربه کرده اند.با توجه به کاهش قیمت این درایوها ، میزان عملکرد آنها دربخش مشتری و در طول یک سال همچنان بدون تغییر باقی مانده است.انتظار میرود با ظهور SSD های سازمانی مبتنی بر استاندارد جدید PCIe gen 4.0 ، میزان عملکرد ، تا پایان سال جاری رشد قابل توجهی پیدا کند. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
  11. hd5870
    ADATA یکی از تولید کنندگان مطرح ماژول های DRAM و حافظه های NAND درجهان ، امروز سری جدیدی SSD های 2.5 اینچی جدید خود به نام Ultimate SU750 SATA 6Gb/s را روانه بازار کرد.سری جدید از نسل بعدی حافظه های TLC 3D NAND بهره میبرند و از یک عملکرد خوب در برابر هزینه پرداختی برخوردار هستند.SSD های سری Ultimate SU750 به دلیل استفاده از حافظه های 3D NAND دارای ظرفیت های 256 ، 512 و یک ترابایتی هستند.استفاده از یک حافظه کش SLC سبب شده تا عملکرد سرعت خواندن و نوشتن به ترتیب به 550 و 520 مگابایت بر ثانیه برسد.با توجه به اینکه در ساختار این درایوها از هیچگونه اجزاء مکانیکی استفاده نشده ، نسبت به درایوهای سنتی HDD از طول عمرو مقاومت بالاتر و همچنین نویز بسیار کمتری برخوردار هستند به طوری که این درایوها میتوانند ضربات و ارتعاشاتی تا 1500G/0.5m را تحمل کنند. پشتیبانی از کد تصحیح خطای LDPC جهت شناسایی و رفع خطاها، جهت اطمینان از سلامتی داده ها وجود دارد و باعث افزایش طول عمر درایو نیز میشود.کاربران با خرید هر یک از درایوهای SU750 میتوانند به نرم افزارهای مدیریتی اختصاصی Toolbox و Migration Utility به صورت رایگان دسترسی داشته باشند و از آنها جهت مدیریت درایو خود استفاده کنند.ADATAاعلام کرد که دسترسی به درایوهای Ultimate SU750 ممکن است بسته به منطقه سکونت کاربران متفاوت باشد. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
  12. hd5870
    خبرهایی از گوشه و کنار به گوش میرسد که شرکت AMD به واسطه یک فناوری پیشرفته سخت مشغول کار بر روی ترکیب حافظه های DRAM سیستم با پردازنده در یک پکیج واحد است.این فناوری به AMD این اجازه را میدهد تا حافظه RAM از طریق کانالهای مجزا به سیلیکن اصلی متصل نماید.در دیگر بخش ها نظیر آنچه که در حافظه های HBM2 و پشته سازی عمودی تراشه های NAND 3D دیده ایم ، دیگر تولید کنندگان نیز مشغول کار بر روی فناوریهای مشابهی هستند. با این حال انجام این عمل به عنوان یک فناوری ذکر شده با یک طراحی در پکیج واحد بر روی یک پردازنده مرکزی کاملا جدیداست. این فناوری سرعت عمل حافظه را بیشتر نمیکند ، بلکه در کل عملکرد آن را بهبود می بخشد.لازم به ذکر است که کمپانی intel نیز در حال کار بر روی فناوری مشابهی با کد اسم foveros است. منبع : Guru3d مترجم : محمد فتحی
  13. hd5870
    زمانی که Samsung مجموعه بی نظیری از سری درایوهای 970 Pro M2 SSD با ظرفیت های مختلف را به بازار عرضه کرد ، گفته میشد که احتمالا مدل 2 ترابایتی از این سری نیز به بازار عرضه خواهد شد.در حال حاضر این اتفاق به وقوع پیوسته و به زودی شاهد حضورمدل 2 ترابایتی از این سری در بازار خواهیم بود.اساسا درسری های قدیمی تر 960 Pro و 970 EVO مدلی با ظرفیت 2 ترابایت وجود داشت.اما سامسونگ برای انتشار یک نمونه ظرفیت بالا در سری 970 Pro پس از عرضه مدل های اصلی حدود یک سال صبر کرده است.اکنون یک خرده فروش آسیایی و حتی یک فروشنده آلمانی این درایو را جهت فروش لیست کرده اند. مدل های قبلی بر اساس حافظه های 64 لایه NAND ساخته سامسونگ و کنترلرPhoenix بودند.اکنون نیز ما میتوانیم فرض کنیم که این مشخصات برای مدل 2 ترابایتی نیز درست باشد.مدل های Pro قطعا از طول عمر بالاتری در برابر نوشتن اطلاعات یا همان TBW برخوردارهستند و انتظار میرود این رقم برای این مدل هم به 2400TBW برسد.قیمت اعلام شده نیز ناشناخته باقی مانده چرا که در این لیست به YEN محاسبه شده ، اما احتمالا با قیمت 900 یورو در اختیار علاقه مندان قرار خواهد گرفت. منبع : Guru3d مترجم : محمد فتحی
  14. hd5870
    ماه اکتبر بود که شرکت Samsung در جریان برگزاری مراسم روز تکنولوژی ، نقشه راه جدید درایوهای SSD خود را نشان داد.یکی از نکات کلیدی در این مراسم ، رونمایی از پروژه جدید این شرکت برای راه اندازی اولین SSD های مبتنی بر حافظه های QLC بود.اکنون در این رابطه اطلاعات بیشتری منتشر شده است.تعدادی از خرده فروشی های آنلاین اروپایی واقع در کشورهایی همچون فرانسه یا ایتالیا ، واحد جدیدی از این درایوها به نام Samsung 860 QVOرا لیست کرده اند. با توجه به این موضوع تنها یک معنی وجود دارد و آن اینکه دسترسی به این درایوها به زودی امکان پذیر خواهد بود. SSD های جدید از فرمت معمولی 2.5 اینچ با رابط ساتا استفاده خواهند کرد، اما طرح نامگذاری آنها از پسوند EVO یا Pro به پسوند جدید QVO (Quality and Value Optimized SSD)تغییر یافته است.گفته میشود سرعت خواندن و نوشتن در این درایوها به ترتیب به 550 و 520 مگابایت بر ثانیه میرسد و در حالت دسترسی تصادفی نیز امتیاز 96,000 IOPS برای حالت خواندن و 89,000 IOPS هم برای نوشتن بدست آمده است.این سری در حجم های 1 ترابایتی با قیمت 117.50 یورو ، 2 ترابایتی با قیمت 225.96 یورو و مدل 4 ترابایتی با قیمت 451.93 یورو بدون احتساب مالیات به فروش خواهند رسید.این قیمت ها با احتساب 19 درصد مالیات به ترتیب به 140 ، 270 و 540 یورو افزایش می یابد.برخی از فروشگاه های آنلاین به شروع فروش این درایوها از ماه دسامبراشاره میکنند. فناوری QLC میتواند تراکم ذخیره سازی فعلی در تراشه های 3D NAND بر اساس فناوری TLC را به مقدار قابل توجهی افزایش دهد.اگر چه هزینه تولید این تراشه ها نسبت به نمونه های قبل پایین تر است ، اما پیچیدگی تکنولوژی میتواند میزان عملکرد و دوام درایوهای مبتنی بر فناوری QLC را تحت شعاع قرار دهد.درتست های انجام شده بر روی دو درایو Intel 660p و Crucial P1 با توجه به این فناوری ، مشخص شد که آنها عملکردلازم را بدون داشتن یک حافظه کش SLC در هنگام عملیات نوشتن ندارند. استفاده از این درایوها در دنیای واقعی و سنجش آنها با معیارها ی جدید جهت بدست آوردن اطمینان بیشتر، میتواند اطلاعات بلقوه بیشتری را در اینباره ارائه کند. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
  15. hd5870
    ADATA از تولید کنندگان DRAM و محصولاتی بر پایه حافظه های NAND ، امروز USB درایوهای جدید UE700 Pro را به بازار عرضه کرد. این درایوها حداکثر با ظرفیت 256 گیگ عرضه میشوند و میتواند سرعت خواندنی تا 360 مگابایت و نوشتنی با سرعت 180 مگابایت بر ثانیه را فراهم کنند.این درایوها میتواند سرعت و حجم ذخیره سازی بالایی را جهت نگهداری فیلم هایی با حجم و رزولوشن بالا و اطلاعات دیگر را به کاربران ارائه کند.این درایوها تنها 7 میلیمتر ضخامت داشته و از پوشش آلومینیومی به رنگ مات بهره میبرند که حمل و نقل آن را بسیار آسان میکند.جهت اتصال در تمامی مدل ها از درگاه پرسرعت USB 3.1 استفاده شده است. طراحی جمع و جور و بی نظیر این سری به گونه ایست که رابط اتصال USB آن توسط یک کلید فشاری در داخل قاب نگهداره پنهان میشود.این کلید تنها با فشار ساده انگشت شصت رابط اتصال USB را از جای خود خارج و آن را آماده استفاده میکند.در انتهای بدنه آلومینیومی و 7 میلیمتری این فلش مدل ها ، یک شاخص LED آبی رنگ مشاهده میشود که نحوه فعالیت درایو را مشخص میکند.در انتهای بدنه قستی جهت اتصال تسمه نگهداره در نظر گرفته شده که میتوانید آن را حتی به جا سوئیچی خود متصل کنید و به آسانی آن را حمل کنید.USB درایو ADATA UE700 Pro بسته به محل سکونت شما میتواند با قیمت های متفاوتی عرضه شود. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
  16. hd5870
    کمپانی Western Digital ، نسل جدید درایوهای پرسرعت خود از سری WD Black به نام SN750 را معرفی کرد. سری جدید دارای حداکثر ظرفیت 2 ترابایت و از نوع NVMe SSD هستند و از رابط پرسرعت PCIe 3.0 x4 بهره میبرند. در ساخت این درایوها از حافظه های 64 لایه NAND بهره گرفته شده است.وسترن دیجیتال اعلام کرد که این سری با همکاری کمپانی Sandisk ساخته شده اند.لازم به ذکر است این خانواده تنها محدود به مدل 2 تاربایتی نبوده و نمونه های دیگری با ظرفیت های 250 گیگ ، 500 گیگ و یک ترابایت نیز موجود هستند.با انتخاب هر یک از مدل ها به همراه آن یک عدد هیتسینک حرارتگیر ساخت EK نیز ارائه میشود. علاوه بر داشتن ظرفیت بالا ، سری درایوهای WD Black SN750 NVMe SSD میتوانند زمان بارگذاری برنامه ها ، بازیها ، انتقال فایل های بزرگ و ویدئوهایی با کیفیت های 4K و 8K را به طرز چشمگیری کاهش دهند.مدل های 500 گیگ و یک ترا میتوانند با حداکثر سرعت 3470 مگابایت بر ثانیه بخوانند .این در حالیست که عملکرد نوشتن اطلاعات در مدل یک ترابایتی تا 3000 مگابایت نیز میرسد.داشتن ظرفیت بالای 2 ترابایتی تنها در یک اسلات آن هم با فاکتور M.2 یک مزیت عالی برای پلتفرمهای دسکتاپ و حتی سکوهای گیمینگ پیش سفارشی است که با همراه شدن آنها با یک حرارت گیر به حفظ سرعت و کاهش درجه حرارت ، بسیارکمک میکند.هیتسینک همراه این درایوها توسط EKWB طراحی شده که نسبت به سایر درایوهای فاقد حرارت گیر ، طول عمر بالاتری را به ارمغان می آورد.زمان دسترسی و قیمت درایوهای جدید SN750 هنوز از سوی وسترن دیجیتال اعلام نشده است. منبع : Guru3d مترجم : محمد فتحی
  17. hd5870
    گزارش شده که قیمت درایوهای SSD به طور فزآینده ای در حال کاهش است.گفته میشود علت این افت قیمت ، کاهش تقاضا در بخش هایی از بازار نظیر نوت بوک ها و گوشی های هوشمند است.در مقایسه با سال گذشته این قیمت ها میتوانند در سال جاری حتی به نصف نیز کاهش پیدا کند.بر همین مبنا ، تولید کنندگان حافظه های NAND ، تصمیم گرفته اند که تولیدات خود را کاهش دهند.علاوه بر اینها انتظار میرود که سرمایه گذاری ها در این بخش حدود دو درصد کاهش پیدا کند. موسسه DRAMeXchange پیش بینی کرد که احتمالا قیمت محصولات فلش در سه ماهه اول سال 2019 ، تا 20 درصد کاهش پیدا می کند.این روند کاهشی در سه ماهه دوم سال گذشته تا 15 درصد و در طول دو ماه گذشته 10 درصد به ازای هر سهم ادامه یافته است.برای امسال نیز پیش بینی شده ، قیمت حافظه های فلش به نصف کاهش خواهد یافت.برای مثال میتوانید نمودار کاهش قیمتی درایو Crucial BX500 480GB که در تابستان 2018عرضه شده را مشاهده کنید. منبع : Guru3d مترجم : محمد فتحی
  18. hd5870
    درست زمانی که خرید و فروش حافظه های DDR4 و کارتهای گرافیکی سطح بالا ، دشوارشده ، بر خلاف آن درایوهای SSD به پایین ترین میزان قیمت خود رسیده اند.کاهش قیمت این درایوها به صورت مستمر ادامه داشته به طوری که اکنون در برخی مدل ها ،مقدار ارزش 10 سنت به ازای هر گیگابایت رسیده است.این یک نقطه عطف است چرا که چند سال قبل پیش بینی آن شده بود.برای مثال SSD دو ترابایتی Crucial MX500 اکنون به قیمت 209 دلار بفروش میرسد. این یک نقطه عطف بزرگ برای این درایو است. این ها خبرهای خوبی هستند و حتی خبرهای بهتری نیز در راه است.آن طور که گفته شده کاهش قیمت همچنان ادامه خواهد یافت.طبق گزارش برخی تحلیلگران ، ارزش حافظه های NAND در سال 2019 میتواند به مقدار 0.08 دلار به ازای هر گیگ برسد. حتی گفته شده با ورود اولین حافظه های QLC شرکت Samsung، این کاهش قیمت بیشتر نیز خواهد شد.در این بین درایوهای سنتی HDD نیز به پایین ترین میزان قیمت خود خواهند رسید به طوری که بر اساس گزارش BackBlaze در سال 2017 ، ارزش این درایوها به میزان0.02 دلار به ازای هر گیگ بوده است. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
  19. hd5870
    SAMSUNG امروز اعلام کرد که جدیدترین درایو SSD خود به نام 860 QVO را به زودی روانه بازار میکند.مدل جدید دارای حداکثر ظرفیت 4 ترابایت بوده که بر اساس معماری حافظه های 4 بیتی multi-level cell یا همان MLC NAND با تراکم بالا طراحی و ساخته شده است و هدف آن دست یابی به بالاترین ظرفیت و کمترین قیمت ممکن است.کاربران سیستم های رده میانی میتوانند با ارتقاء به این درایو ، فایل های چند رسانه ای و بسیار بزرگ خود را با بالاترین سرعت ممکن منتقل کنند و عملکرد سیستم خود را بهبود ببخشند. این درایو در اندازه 2.5 اینچی بوده و از رابط اتصال ساتا برخوردار است که با انواع لپ تاپ ها و کامپیوترها سازگاری دارد.همچنین با ترکیب ظرفیت بالا و سرعت بالا در یک درایو واحد و مقرون به صرفه ، نیاز کاربران به استفاده از ترکیب یک SSD و HHD را جهت بوت سیستم و ذخیره سازی ، از بین میبرد. به لطف استفاده از آخرین حافظه های 4 بیتی V-NAND سامسونگ و کنترلر MJX ، درایو 860 QVO اکنون میتواند به سرعت خواندن 550 مگابایت بر ثانیه و سرعت نوشتن 520 مگابایت بر ثانیه همانند یک درایو 3 بیتی MLC ، دست پیدا کند.وجود فناوری TurboWrite باعث شده که عملکرد کلی این درایو بهبود یابد و پایداری آن را برای مدت زمان بیشتری حفظ شود.جهت اطمینان بیشتر سامسونگ یک بایت کلیدی بر اساس تجزیه و تحلیل کامل الگوهای SSD های رده مصرف کننده ارائه میدهد.به طور مثال برای مدل جدید با ظرفیت 4 ترابایت ، یک ضمانت محدود 3 ساله یا 440 ترابایت در حالت نوشتن و 720 و 360 ترابایت نوشتن اطلاعات را بر روی مدل های 2 و یک ترابایتی را ضمانت میکند.فروش درایو 860 QVO از ماه دسامبر به صورت جهانی آغاز خواهد شد. قیمت تعیین شده برای مدل یک ترابایت 150 دلار است.جهت کسب اطلاعات بیشتر میتوانید به وب سایت سامسونگ مراجعه کنید. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
  20. hd5870
    کمپانی اینتل در حال تکمیل موج جدیدی از پردازنده های خانواده Xeon Scalable است که بر پایه سیلیکن جدید Cascade Lake ساخته خواهند شد.یکی از اولین بخش های این پروژه ، یک تراشه 28 هسته ای مجهز شده به شش کانال ارتباطی حافظه DDR4 است.با توجه به پشتیبانی از سه اسلات DIMM در هر کانال ، در نتیجه تعداد 18 اسلات DIMM به ازاری هر سوکت ، قابل دست یابی است.کنترلرهای یکپارچه حافظه نیز میتوانند حداکثر از مقدار 3.84 ترابایت حافظه پشتیبانی کنند.نکته جالب توجه اینست که حافظه های پشتیبانی شده ، لازم نیست از خانواده DRAM ها باشند. قرار است intel همزمان با نسل بعدی پردازنده های سازمانی خود، پشتیبانی از حافظه های Optane Persistent را نیز معرفی کند.ماژول های حافظه بر اساس فناوری 3D X-point از لحاظ عملکرد ، مابین حافظه های NAND مورد استفاده در SSD ها و DRAM ها قرار میگیرند.این در حالیت که از لحاظ نحوه کار بسیار شبیه به DRAM ها کار میکنند.این حافظه ها دارای استقامت بالایی هستند و با هر بار ریبوت مجدد و یا در هنگام قطع برق ، داده های ذخیره شده در آنها از بین نمیروند.این یکی از مزیت های خوب این حافظه به شمار میرود و میتواند برای سازمان هایی که نیاز به سرعت بالا در دست یابی مجدد به اطلاعات خود دارد ، بسیار مفید واقع شود.حافظه های Optane Persistent میتوانند به ازای هر اسلات DIMM تا ظرفیت 512 گیگ را پشتیبانی کنند.این ظرفیت 512 گیگی تنها با استفاده از فناوری 3D X-point حاصل شده که به یک کنترلر اسلات DIMM متصل شده است و میتواند مانند یک رابط کاربری استاندارد DDR4 در اختیار شما باشد. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
  21. hd5870
    کمپانی intel امروز اعلام کرد که تولید اولین SSD های PCIe برای دیتاسنترها با استفاده از آخرین نسل از حافظه های 3D QLC NAND را آغاز کرده است.حافظه های QLC با توجه به توانایی ذخیره سازی 4 بیت داده در هر سلول ، باعث افزایش 33 درصدی در تراکم ذخیره سازی نسبت به حافظه های TLC NAND شده اند.این درایوها تنها 15 میلیمتر ضخامت داشته و در فاکتور 2.5 اینچی و با استفاده از رابط U.2 ساخته خواهند شد.چنین درایوهایی در برابر حجم دیتایهای سنگین یا به اصطلاح hot data ها نسبت به درایوهای MLC کندتر هستند ، و حتی میتوانند در حد و اندازه حافظه های SLC NAND ظاهر شوند. با این حال باز هم نسبت به درایوهای سنتی HDD از سرعت به مراتب بالاتری برخوردار هستند.اولین درایو SSD مبتنی بر حافظه های 3D QLC NAND که بسیار مشابه با درایو Micron 5210 ION است ، در ماه مه راه اندازی شد. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
  22. hd5870
    شرکت فناوری IMFlash Technologies یا به اختصارIMFT که حاصل یک سرمایه گذاری مشترک بین intel و Micron به شمار می آید،اعلام کرد که تولید حافظه های NAND بر اساس فناوری 3D Xpoint که در محصولات مشترک هر دو شرکت اینتل و میکرون و یا حتی دیگر تولید کنندگاه SSD مورد استفاده قرار میگیرد، ظاهرا با مشکلاتی مواجه شده است.مشکلات به وجود آمده در تولید حافظه های QLC NAND ، میتواند منجر به افزایش قیمت سراسری در تولیدات درایوهای SSD شود. ظاهرا این گونه که به نظر میرسد ، سهم تولیدی حافظه های سالم 3D QLC NAND توسط این شرکت به کمتر از 50 درصد رسیده است.کاهش خروجی تولید حافظه های QLC NAND میتواند به طرز ناباورانه ای در افزایش قیمت تراشه های 3D TLC NAND به ازای هر گیگ تاثیر بگذارد.به نظر میرسد در این بین اولین قربانی ضعف عملکرد در تولید تراشه های 3D QLC NAND ، سری SSD های 660P کمپانی اینتل باشد.این سری از NVMe SSD های اینتل میتوانستند میزان یک ترابایت فضای ذخیره سازی را با قیمتی کمتر از 200 دلار در اختیار مصرف کنندگان بگذارند.آن طور که از منابع داخلی IMFT به گوش میرسد ، سهم تولید سالم تراشه های سالم 64 لایه QLC NAND به ازای هر ویفر ، تنها 48 درصد است که این یعنی حدود 52 درصد از ویفر های تولید شده قابل استفاده نیستند، این در حالیست که در طرف دیگر عملکرد تولید سالم ویفر های 64 لایه 3D TLC به 90 درصد میرسد.طبق گفته های این منابع، بدترین حالت ممکن ایسنت که این مشکلات شاید هرگز با نسل فعلی بر طرف نشوند. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
  23. hd5870
    جدیدترین نقشه راه لو رفته از سوی intel ، مشخص کرد که این کمپانی در حال کار بر روی SSD های سازمانی سری Pro 7000P است.نکته جالب توجه در مورد این درایوها اینست که قرار است اینتل در ساخت آنها از فاکتور جمع و جور BGA بهره بگیرد.این درایوها با استفاده از فاکتور BGA ، بسیار جمع و جورتر از درایوهای M.2 کنونی خواهند بود ، به طوری که از لحاظ ابعاد میتوانند تا حدود 5 برابر کوچکتر باشند.مزیت اصلی درایوهای های جدید با فاکتور BGA اینست که تمامی ویژگیهای SSD های معمول نظیر کنترلر ، کش DRAM ، حافظه های NAND را یک جا درون خود دارند.درایو جدید Pro 7000P از درگاه ارتباطی PCIe بهره میبرد که در این حالت میتواند به سرعت خواندن 1800 مگابایت و سرعت نوشتن 1200 مگابایت بر ثانیه دست پیدا کند.با توجه به استفاده از حافظه های 64 لایه TLC-nand در ساخت این SSD ها ، عملکرد دسترسی تصادفی 4K در این درایو در حالت خواندن و نوشتن به 150,000 IOPS رسیده است. همچنین نقشه راه لو رفته نشان میدهد که هر دو درایو Pro 7000P و 700P تا پایان سه ماهه چهارم سال جاری در دسترس خواهند بود.هر دو مدل در ظرفیت های 128 گیگ ، 256 گیگ و 512 گیگی قابل سفارش خواهند بود. منبع : Guru3d مترجم : محمد فتحی
  24. hd5870
    همه ما میدانیم با اینکه مدت زمان زیادی از معرفی درایوهای M.2 میگذرد، هنوز آن طور که باید از تمامی پتانسیل آنها استفاده نمیشود. با این حال کمپانی ADATA قرار است در یک کنفرانس مطبوعاتی به نام Summit 2018 درباره آینده حافظه های فلش و همچنین نسل بعدی درایوهای SSD با فاکتور کوچک M.3 صحبت کند.البته این اولین بار نیست که صحبت هایی درباره درایوهایی با فاکتور M.3 به گوش میرسد.سامسونگ جزء شرکت هایی بود که قبلا طرح هایی راجع به این فاکتور جدید ، ارائه داده بود. با توجه به نیاز اکثر سازمان ها به ظرفیت های بالاتر و سرعت بیشتر، دیگر فاکتور M.2 نمیتواند پاسخگوی این بخش از بازار باشد.با آمدن فاکتور M.3 این ظرفیت ها بزرگتر و گسترده تر خواهد شد.با آمدن این فاکتور ،اندازه درایوها از 22 میلیمتر به 30.5 میلیمتر افزایش خواهد یافت و سازندگان را مجبور به ارائه قطعات اضافه تر در سطح تولیداتشان خواهد کرد.سازندگان وسایل ذخیره سازی میتوانند با توجه به فاکتور M.3 و حافظه های NAND درایوهایی با ظرفیت های بیشتربسازند.فاکتور M.3 میتواند از پروتکل NVMe 1.3 و همچنین رابط اتصال PCIe 3.0 با پهنای باند X4 ، X8 و حتی X16 پشتیبانی کند. در همین رابطه قرار است ADATA اولین درایو SSD رده سازمانی خود به نام M.3 NGSFF با درجه صنعتی IM3P33EC را در کنفرانس مطبوعاتی ذکر شده رونمایی کند.طبق گفته ها این درایو با برخورداری از پروتکل NVMe 1.3 و همچنین رابط اتصال PCIe Gen3x8 ، قادر به سرعت خواندن و نوشتن حداقلی 3200 و 1700 مگابایت بر ثانیه خواهد بود.این درایو از ویژگی hot-plug پشتیبانی کرده و به سیستم های امنیتی قطع ناگهانی برق ، سیستم رمز نگاری AES 256-bit وسیستم محافظت از داده ها مجهز شده است.این پروتکشن های امنیتی جزء موارد بسیار حیاتی برای دیتاسنترها ، سرورها و مراکز تجزیه و تحلیل داده های بزرگ و مراکز هوش مصنوعی AI به شمار میرود. منبع : Guru3d مترجم : محمد فتحی
  25. hd5870
    در حال حاضر آخرین فناوری به کار رفته در صنعت ساخت تراشه های حافظه ، امکان ساخت یک تراشه 64 لایه را برای حافظه های NAND میسر ساخته است.اکنون یک دستاورد بزرگ در حال شکل گیری است و تا سال 2021 ، تعداد این لایه ها به رقم خیره کننده 140 لایه و حتی فراترخواهد رسید.این عمل به نوبه خود باعث خواهد شد تا علاوه بر افزایش ظرفیت از تعداد پشته های تراشه ها کاسته شده و کاهش قیمت را در پی داشته باشد .اخیرا یک نقشه راه توسط یک شرکت فعال در حوزه صنعت نیمه هادی ها منتشر شده است . در این نقشه مشخص شده که تنها هدف، کاستن از لایه های تراشه ها نیست ، بلکه کوچکتر شدن این لایه ها نیز جز اهداف ساخت به شمار میرود.البته هدف اصلی اینست که ظرفیت ذخیره سازی بیشتری در هر تراشه ایجاد شود و این روند سالها نیز ادامه پیدا کند. اما اکنون لایه بندی تراشه های NAND با استفاده از فرآیند 55 نانومتر انجام میشود که امید است تا سال 2021 ، این فرآیند به 45 نانومتر برسد.Toshiba و Western Digital در حال حاضر مشغول کار بر روی تراشه های 96 لایه BiCS 3D NAND هستند که انتظار میرود ظرفیت 12 ماه آینده اولین نمونه های آنها به تولید برسند.کمپانی سامسونگ نیز امسال بر روی توسعه نسل پنجم تراشه های 96 لایه 3D NAND خود کار خواهد کرد.برای سال 2020 شما میتوانید انتظار تراشه های 120 لایه را داشته باشید . این رقم تا سال 2021 به 140 لایه افزایش خواهد یافت. نقشه راه فعلی هیچ توضیحی را در مورد افزایش ظرفیت واقعی با توجه به بهبود فناوریها ، ارائه نمیدهد.با این حال سامسونگ اعلام کرده که تراشه هایی با ظرفیت یک ترابیت را هدف خود قرار داده است.با توجه به بکارگیری 4 بیت به ازای هر سلول QLC در تراشه های 96 لایه ، میتوان انتظار افزایش تراکم داده ها را داشت.در حال حاضر تراشه های 64 لایه توانسته است تراشه هایی با ظرفیت نهایی 512 گیگابیت را ارئه دهد.اسلاید های منتشر شده توسط یک کمپانی آمریکایی به نام Applied Materials انجام شده که وظیفه تامین تجهیزات و خدمات در صنعت نیمه هادی ها را بر عهده دارد. منبع : Guru3d مترجم : محمد فتحی
×
×
  • اضافه کردن...