از لیون کامپیوتر قســـــــــــــــــــــــــــــــــــطی خرید کنید
فروش اقساطی برای سراسر ایران
اخبار سخت افزار ، نرم افزار ، بازی و دنیای آیتی در مجله لیون کامپیوتر 
🤩
جستجو در تالارهای گفتگو
در حال نمایش نتایج برای برچسب های 'sk hynix'.
25 نتیجه پیدا شد
-
وقتی که اولین نسل از حافظه‌ی HBM عرضه شد، ما از میزان پهنای باند آن حیرت زده شدیم (512 گیگابایت بر ثانیه)، اما اندازه‌ی کوچک این حافظه باعث شد تا کارت‌گرافیک‌های قدرتمندی همچون R9 Nano از شرکت AMD در ابعاد کوچک ساخته شوند. هم‌اکنون هم HBM2 ایجاست و توسط شرکت انویدیا در کارت‌گرافیک Tesla P100 مورد استفاده قرار گرفته است. اما این حافظه قابل دسترس خریداران معمولی نیست. البته هنوز اینگونه نشده است. دو شرکت SK Hynix و سامسونگ در حال حاضر بر روی فناوریهای جدید حافظه HBM کار میکنند، که نسل سوم حافظه HBM در صدر کار آنها قرار دارد. حافظه HBM3 دو برابر پهنای باند نسل قبل خود را خواهد داشت، اما قیمت آن نیز کمتر خواهد بود. هم‌اکنون، حافظه HBM3 با نام‌های مختلفی شناخته و نام برده می‌گردد. شرکت SK Hynix ترجیح میدهد تا آنرا HBM3 یا HBMx صدا بزند. این در حالی است که شرکت سامسونگ آنرا xHBM یا Extreme HBM می‌خواند. در هر حال، قرار است تا نسل بعدی فناوری HBM بهبودهایی را نسبت به پدر و پدربزرگ خود، HBM2 و HBM1 داشته باشد. در هر لایه از حافظه دسترسی تصادفی پویا (DRAM)، حافظه HBM2 پهنای باند 256 گیگابایت بر ثانیه را ارائه میدهد (در کل 1024 گیگابایت بر ثانیه)، این در حالی است که حافظه HBM3 دو برابر این مقدار، یعنی پهنای باند 512 گیگابایت بر ثانیه (در کل 2048 گیگابایت در ثانیه) را خواهد داشت. علاوه بر این، این حافظه میتواند سرآغاز معرفی کارت‌گرافیک‌هایی با میزان حافظه 64 گیگابایت باشد که وصف نشدنی خواهد بود. احتمالاََ ما نتوانیم به این زودی کارت‌گرافیک‌های معمولی با حافظه HBM3 را ببینیم، اما نوعی دیگر از فناوری HBM با قیمت کمتر که قرار است جایگزین حافظه GDDR5 یا GDDR5X شود، این کار را برای کارت‌گرافیک‌ها خواهد کرد. منبع: tweaktown مترجم: مجتبی حیدرزاده -
دلیل افزایش قیمت SSDها چیست؟
THE-BLACK-CAPTAIN پاسخی ارسال کرد برای یک تاپیک در مقالات و اخبار سخت افزار و نرم افزار تهیه شده توسط لیون کامپیوتر
عرضه 2D NAND ها که به عنوان حافظه در SSD های میان رده استفاده می شوند با کاهش روبرو است و دلیل این امر نیز تولیدکنندگان این محصول مانند SK-Hynix , Toshiba , micron و اینتل هستند که آماده اند به حافظه قدرتمنتر 3D NAND مهاجرت کنند اما هنوز تقاضا برای 2D NAND ها زیاد است و همین باعث شده که قیمت این SSDها در بازه سه ماه چهارم 2016 و سه ماه اول 2017 افزایش یابد. تحلیلگر سایت DRAMeXCHange آلن چن معتقد است البته قیمت SSD ها افزایش چشمگیری نخواهد داشت و انتظار می رود این افزایش 6-10 درصدی بعد از سه ماه اول 2017 متوقف شود و روند عادی به خود بگیرد. تنها شرکتی که مشکلی از لحاظ تولید 3D NAND نداشته سامسونگ است که توانست با تکنولوژی V NAND مرزهای تکنولوژی تولید SSD را جابجا کند. شان یانگ مدیر تحقیقات سایت DRAMexCHange نیز معتقد است همچنین طبق بررسی های آقای چن بازار نوت بوک ها نیز در افزایش تقاضا نقش زیادی داشته است تا آنجایی که آقای چن معتقد است در دوسال آینده تقاضا بازار نوت بوک برای SSD دویست درصدافزایش خواهد داشت البته تاثیر دیگر وسایل قابل حمل نظیر تلفن های هوشمند نیز نباید از یاد برد. منبع: TweakTown مترجم: سامان یزدان نیک -
اولین نگاه به حافظه های GDDR6 با پهنای باند دو برابری نسبت به GDDR5
Trickster پاسخی ارسال کرد برای یک تاپیک در مقالات و اخبار سخت افزار و نرم افزار تهیه شده توسط لیون کامپیوتر
تقریباً دو هفته قبل SK Hynix حافظه های ویدئویی جدید GDDR6 را معرفی کرد تا بحث برتری این حافظه های پرکاربرد در مقابل حافظه های قدرتمند (2)HBM همچنان ادامه یابد. اکنون این کمپانی کُره ای در نمایشگاه GDC با نمایش ویفری از این حافظه ها، مشخصات بیشتری از آنها را فاش کرد که نشان می دهد GDDR6 دو برابر سریع تر از GDDR5 خواهد بود. حال که خبر را با پیش کشیدن بحث HBM شروع کردیم، اجازه بدهید بیشتر این دو را مقایسه کنیم. حافظه های HBM در عین حالیکه پهنای باند حافظه بهتر و زمان تأخیر و ولتاژ کمتری دارند، از لحاظ ساخت و پیاده سازی سخت تر و احتمالاً گرانتر و پیچیده تر از چیزی که انتظار می رود نیز هستند. به عنوان مثال، همین تأخیر وحشتناک کارت گرافیک های Radeon RX Vega را در نظر بگیرید که ظاهراً کمبود حافظه های HBM2 یکی از عوامل مهم و تأثیرگذار این تعلل طولانی مدت بوده است. در مقابل، انویدیا از همان حافظه های GDDR5X در محصولات قدرتمند رده بالای خود استفاده کرد و اکنون هم از نتیجه حاصله بسیار راضی است. برای امسال هنوز جایگاه GDDR5X محکم و مطمئن است اما نسل بعدی برای سال 2018 حافظه های HBM2 و GDDR6 خواهند بود. این نوع جدید حافظه پهنای باندی معادل 2 گیگابیت بر هر هسته دستوری (IC) دارد که حتی با امکانات فعلی هم هشت IC پهنای باندی تا 16 گیگابیت فراهم می کنند. حداکثر توان حافظه های GDDR5 پهنای باندی تا 8 گیگابیت بر ثانیه است و اگر به حافظه های جدیدتر GDDR5X نگاه کنید، میبینید آنها توانایی فراهم کردن 11 تا 12 گیگابیت پهنای باند را دارند اما حافظه های GDDR6 می توانند سرعتی تا 16 گیگابیت بر ثانیه یا 16 گیگاهرتز نرخ موثر تبادل اطلاعات در اختیار کاربران بگذارند. البته لازم به ذکر است که این ICهای اشاره شده لزوماً با همان سرعت فعالیت نمی کنند با اینحال در حالت واقعی، برای یک کارت گرافیکی مانند GTX 1070 می توانند با افزایش دو برابری این مقدار، پهنای باند را از 256 تا حد 512 گیگابایت بر ثانیه افزایش دهند. اکنون به نظر واضح می رسد که نسبت مصرف انرژی به کارایی این حافظه های جدید GDDR در مقابل حافظه های HBM بسیار بهتر است، با این حال به موازات رشد روز افزون این نوع حافظه ها در بازار باید تا هنگام پیاده سازی کامل آنها در محصولات صبر کرد. منبع: Guru3D مترجم: مجید بکائیان
-
Team Group یکی از سازندگان حافظه های کامپیوتری، از سری جدید حافظه های خود با نام T-Force Delta RGB مجهز به نور پردازی LED (همانند سری Nighthawk RGB ) با قابلیت سیستم مدیریتی (SMbus) به صورت بی سیم رو نمایی کرد. حافظه های T-Force Delta RGB DDR4 مجهز به حرارت گیر های سیاه رنگ و سفید رنگ هستند که توانایی هماهنگ سازی با سیستم اختصاصی ASUS Aura Sync را دارند. محدوده ولتاژ کاری برای حافظه های T-Force Delta RGB DDR4 بین 1.2 تا 1.4 ولت و سرعت پایه نیز به مقدار 2400 مگاهرتزدر نظر گرفته شده که تا 3000 مگاهرتز افزایش پیدا میکند. ( این حداقل سرعت قابل پشتیبانی برای پلتفرم سری 200 اینتل میباشد). این ماژول ها در حالت استفاده با ولتاژکاری 1.2 ولت با زمان تاخیر و تایمینگ CL15-17-17-35 با نسخه های دارای سرعت 3000 مگاهرتزفعالیت میکنندو هنگام استفاده در ولتاژ 1.35 ولت، میزان تایمینگ و زمان تاخیر به CL16-18-18-38 افزایش پیدا میکند.در این میان شما میتوانید یک ماژول با ظرفیت 4 گیگ و یا یک جفت ماژول با ظرفیت 8 گیگ را انتخاب کنید. این ماژول ها در حال حاضر با پلتفرم AMD RYZEN هم سازگاری کامل دارند. منبع : Guru3d مترجم : محمد فتحی
-
شرکت SK Hynix، پس از شروع تولید تراشه های 3D NAND در ماه آپریل ،امروز اعلام کرد که تولید انبوه این تراشه ها با تراکم بالا، به مرحله اجرایی رسیده و آغاز شده است .ظاهرا این تراشه ها با داشتن یک عملکرد طلایی، رضایت مهندسان SK Hynix را بدست آورده اند و به دلیل اینکه تولید این تراشه ها در مقیاس انبوه و در چنین سطحی با سود همراه است، در نتیجه این تراشه ها به مرحله تولید انبوه وارد شده اند.ظاهرا رهبران SK Hynix's از بیم عدم دستیابی به عملکرد طلایی این تراشه ها،پس از دست یابی به این تکنولوژی در مدت زمانی 3 ماه گذشته ، تلاش شبانه روزی تیم مهندسی این شرکت اکنون به بار نشسته و نمودار عملکردی این تراشه ها را به صورت عمودی بالا برده اند و عملکرد آنها را به تراشه های سامسونگ الکترونیک بسیار نزدیک ساخته اند.ظاهرا شرکت سامسونگ از پیش تر موفق به دست یابی به تکنولوژی NAND به عنوان یک استاندارد طلایی شده است.با توجه به برخی منابع در این صنعت، SK Hynix در حال حاضر تولید درایو های SSD با کنترلرو سیستم عامل مخصوص به خود را آغاز نموده و قصد به کار گیری تراشه های جدید 72 لایه NANDدر ظرفیت 256Gb را دارد.این تغییرات برای شرکت خوشایند هستند، زیرا باعث افزایش درآمد برای آن میشوند.این اولین بار است که طراحی وتولید تمامی کنترلر ها، در خود این شرکت انجام میشود .همچنین گفته میشود این شرکت تولید حافظه های eMMC یا (embedded Multimedia Card) به همراه این تکنولوژی را برای استفاده در تلفن های همراه به تقاضای مشتریان خود، عرضه میکند. منبع : Techpoweup مترجم : محمد فتحی
-
کمپانی SK Hynix به تازگی اطلاعات بیشتری از رم های جدید GDDR6 منتشر کرده است و با ادعای دستیابی به نرخ انتقال اطلاعات 16 گیگابیت بر ثانیه در این نسل بار دیگر خبرساز شد. به این ترتیب، میزان افزایش پهنای باند در نسل رم های GDDR6 نسبت به قویترین حافظه های ویدئویی فعلی یعنی نسل GDDR5X با نرخ انتقال اطلاعات 11 گیگابیت بر ثانیه که انویدیا در حال حاضر در کارت گرافیک جدید GTX 1080 TI و همچنین مدل بازسازی شده GTX 1080 استفاده می کند، بسیار خیره کننده خواهد بود. این کمپانی کُره ای در یک نشست خبری در اینباره عنوان کرد: "امروز SK Hynix مفتخر است چیپ های حافظه فوق سریع 2Z نانومتری 8 گیگابیتی GDDR6 را معرفی کند. این محصولات دارای نرخ تبادل اطلاعات I/O معادل 16Gbps بر هر پین هستند که از این لحاظ بی همتا می باشند. کارت گرافیک های قدرتمند 384 بیتی که در آینده با این حافظه ها عرضه شوند می توانند تا حداکثر 768 گیگابایت بر ثانیه اطلاعات گرافیکی را پردازش کنند و SK Hynix قصد دارد با تولید انبوه این محصولات برای شرکای تجاری خود، به عرضه کارت گرافیک هایی قدرتمند و مجهز به رم های GDDR6 در اوایل سال 2018 جامه عمل بپوشاند." حافظه های GDDR6 جایگزین حافظه های GDDR5X و GDDR5 خواهند شد و همکاری نزدیک SK Hynix با "کمپانی های ساخت چیپ های گرافیکی" به تحویل به موقع این نسل از حافظه های گرافیکی برای رفع نیازهای روزافزون بازار کمک شایانی خواهد نمود. احتمال اینکه انویدیا همان کمپانی اشاره شده باشد بسیار بالاست زیرا همین اواخر شایعاتی از عرضه زودهنگام کارت گرافیک های سری GTX 20 با پرچمداری GTX 2080 به گوش رسیده بود. اکنون SK Hynix "سریع ترین حافظه های GDDR6 با چیپ های 2Z نانومتری 8 گیگابیتی" را در اختیار دارد و با توجه به چارت بالا می توانید دریابید چه راه طولانی ای در مدت یک دهه اخیر پیموده شده است. احتمال اینکه انویدیا نسل بعدی کارت گرافیک های خود را با نام سری 11 عرضه کند نیز وجود دارد اما با توجه افزایش کارایی چشمگیری که قرار است در این سری شاهد باشیم، جایگزین کردن عدد "1" از سری GTX 10 با اعداد "2" و "3" و... به نظر منطقی تر می آید. این امر می تواند منجر به عرضه کارت گرافیک های مبتنی بر معماری Volta با حافظه های HBM2 و GDDR6 با نام سری 20 و... شود. البته مشخصاً هنوز هیچ چیز رسماً تأیید نشده است. به نظر شما انویدیا چه برنامه هایی برای نسل بعدی کارت گرافیک هایش در سر دارد؟ منبع: TweakTown مترجم: مجید بکائیان
-
شرکت توشیبا تولید تراشه های 4 بیتی MLC ملقب به QLC (Quadruple Level Cell) یا حالت چهارگانه سطح را آغاز کرد. تراشه هایی که درحالت عمود و به صورت انباشه به تولید خواهند رسید .این تراشه ها در حالت 4 بیتی در هر سلول و به صورت چهار گانه در هر سطح (QLC) و با توان بزرگتر 768GB در مقایسه با نسل سوم 3 بیتی در هر سلول درتوان 512GB ، فناوری (TLC) تولید خواهند شد.همچنین این فناوری ،تولید یک پشته 16 تایی با ظرفیت 1.5 ترابایت را در یک پکیج ممکن ساخته است، که بزرگترین ظرفیت در این صنعت تا به اکنون است . تراشه جدید QLC BiCS FLASH شرکت توشیبا، با ساختار 64 لایه سلولی توانسته است بزرگترین ظرفیت(768Gb/96GB) را در دنیا بدست آورد.تراشه های QLC میتوانند با استفاده از یک پشته 16 تایی، یک حافظه فلش یکپارچه با ظرفیت 1.5 ترابایت را فراهم کنند.این مقیاس در مقایسه با نسل قبلی توشیبا که تراشه ای با 16 پشته در یک پکیج واحد ،میتوانست تا ظرفیت 1 ترابایت را پشتیبانی کند، بسیار بیشتر است.تکنولوژی QLC، چالشهای زیادی را بر سر راه توشیبا برای تولید این تراشه ها گذاشته است .افزایش تعداد بیت ها در هر سلول با توجه به شمار الکترون ها، به مانند تکنولوژی TLC نیاز به دقت دو برابری دارد .توشیبا با طراحی یک مدار پیشرفته و بدست آوردن تکنولوژی فرآیند ساخت حافظه فلش 3D ،بر این چالش ها پیروز و اولین تراشه حافظه QLC 3D جهان را ساخته است .توشیبا اعلام کرد که تولید تراشه های 96 لایه BiCS FLASH 3D نسل چهارم را جهت استفاده در مصارف صنعتی ،در دستور کار دارد .این تراشه های جدید 96 لایه در ظرفیت 256 gigabit یا همان (32 gigabyte) با توجه به تولید تراشه های TLC برای نیمه دوم سال 2017 برنامه ریزی شده اند و از سال 2018 تولید انبوه آنها آغاز خواهد شد. نمونه های 96 لایه 256 گیگابیتی یا 32 گیگابایتی ، در نیمه دوم 2017 مورد آزمایش قرار میگیرند و تولید انبوه این محصولات از سال 2018 آغاز خواهد شد .این محصولات با توجه به نیازهای بازار مصرفی و با توجه به برنامه ها و عملکرد آنها میباشد .این موارد شامل مصارف سازمانی ، مصرف کنندگان عادی SSD ها ، گوشی های هوشمند ،تبلت ها و حافظه های SD خواهند شد.توشیبا در آینده نزدیک، تولید تراشه های 96 لایه جدید خود را در محصولات جدیدتر و با مقیاس بزرگتر 512 گیگابیت یا 64 گیگابایت با تکنولوژی (quadruple-level cell, QLC) 4 بیتی آغاز خواهد کرد . فرآیند انبساط این تراشه های 96 لایه ، با استفاده ازترکیب تکنولوژیهای پیشرفته تولید ،باعث افزایش 40 درصدی در حجم تراشه هایی با بیش از 64 لایه شده است.تمامی اینها باعث شده هزینه تولید به ازای هر بیت کاهش یابد و در عوض قابلیت تولید ظرفیت حافظه به ازای هر ویفر سیلیکون را افزایش یافته است . تکنولوژی تراشه های 3D فلش، برای اولین بار در سال 2007 توسط توشیبا معرفی گردید واز آن زمان تاکنون توشیبا این روند را ادامه و توسعه داده است این فعالیتهاجهت پاسخگویی به تولید تراشه های BiCS FLASH در ظرفیتها بزرگتر شده است . تولید تراشه های 96 لایه BiCS FLASH در تاریخ های 2 ، 5 ، و یا 6 فوریه تابستان 2018 به صورت رسمی روانه بازار خواهند شد. منبع : Guru3d مترجم : محمد فتحی
-
SK Hynix اولین تولید کننده حافظه های پویا بود که از سال 2015 تولید حافظه های HBM نسل اول را در مقیاس گسترده آغاز کرد. با این حال، این کمپانی تقریباً در تولید نسل دوم حافظه های HBM از رقیب خود، سامسونگ عقب افتاد. در حال حاضر SK Hynix در حال مهیا کردن مقدمات جهت تولید انبوه حافظه های HBM2 می باشد و فعلاً قرار است تنها چیپ های تجاری خود را در نیمه دوم این سال عرضه کند. به همین منظور، یکی از مسئولین اجرایی کمپانی SK Hynix طی یک کنفرانس به نکته جالبی اشاره کرد: "مشتریان کمپانی ما حاضرند در مقایسه با حافظه های HBM نسل اول، 2.5 برابر بیشتر برای حافظه های HBM2 هزینه کنند!" جهت اطلاع از پیشینه این مسئله باید بدانید که شرکت SK Hynix در اواخر ماه آوریل از قصد خود برای تولید حافظه های GDDR6 گفت و پس از آن نیز چیپ های 8 گیگابیتی با نرخ انتقال اطلاعات 12 تا 14 گیگابیت بر ثانیه با مصرف 1.35 ولت را به کتابخانه اطلاعاتی خود اضافه کرد. در همان زمان، مدتی بود که پشته های چهار تایی از چیپ های HBM2 با حجم 4 گیگابایت در کاتالوگ محصولات SK Hynix موجود بودند اما به اخیراً این کمپانی نرخ انتقال اطلاعات آنها را به 1.6 گیگابیت بر ثانیه کاهش داد. در حال حاضر SK Hynix با شرکای زیادی همکاری می کند تا حافظه های HBM2 و GDDR6 خود را وارد بازار کند. با اینکه SK Hynix از مشخص کردن نام شرکای تجاریش خودداری می کند اما منطقاً می توان دو تولید کننده بزرگ پردازنده های گرافیکی را در میان آنها تصور کرد زیرا در حال حاضر آنها بزرگ ترین مشتریان هر دو نوع حافظه هستند. از طرفی، این کمپانی عنوان می کنند هر دو حافظه های GDDR6 و HBM2 گران تر از حافظه های GDDR5 خواهند بود که البته نباید باعث تعجب هم باشد زیرا این حافظه ها مدت زیادی است که در بازار حضور دارند که به معنای قیمت پایین تر آنها نسبت به دیگر انواع حافظه های جدیدتر است. در عوض این امر می تواند موجب تأثیر آن بر روی قیمت کارت گرافیک ها نیز باشد و با وجود اینکه هر دو شرکت AMD و انویدیا در نسل فعلی محصولات خود به ترتیب از حافظه های HBM2 و GDDR5X استفاده می کنند اما در عین حال بر قیمت بالای تکنولوژی های حافظه های قدرتمند نیز مشرف هستند. برگردیم به موضوع اصلی، حافظه های HBM2 تولید شده توسط SK Hynix نه تنها از لحاظ کارایی، که از لحاظ حجم هر چیپ هم اساساً با حافظه های HBM نسل اول متفاوت خواهند بود که منجر به سخت تر شدن ساخت و همچنین افزایش قیمت آنها می شود. در نتیجه، این کمپانی دلیل خوبی برای درخواست قیمت بیشتر برای این چیپ های DRAM تعبیه شونده بر روی بُرد دارد. طبق نظر همان مسئول اجرایی SK Hynix، مشتریان آنها حاضرند حداقل 2 تا 2.5 برابر بیشتر برای حافظه های HBM2 در مقایسه با حافظه های HBM نسل اول بپردازند. با توجه به اینکه حافظه های HBM2 برای کارت های محاسباتی قدرتمندی همچون Tesla P100 و Tesla V100 انویدیا و چندین مدل کارت های AMD مبتنی بر معماری Vega استفاده می شود جای تعجبی هم نیست که این مشتریان حاضر باشند بهای بیشتری برای حافظه های به کار گرفته شده در محصولات رده بالا و همچنین قیمت بالای خود بپردازند. به غیر از انتظار قیمت بالا برای حافظه های GDDR6 و HBM2 از طرف SK Hynix، یکی دیگر از نکات قابل توجه این مطلب این حقیقت است که SK Hynix هنوز تولید انبوه حافظه های HBM2 را به طور کامل شروع نکرده است. فعلاً می توان سامسونگ را تنها کمپانی در مرحله تولید انبوه دانست که به معنای انتظار دیدن حافظه های چهار پشته ای HBM2 این کمپانی در کارت گرافیک های آینده AMD مبتنی بر معماری Vega است. منبع: AnandTech مترجم: مجید بکائیان
-
صنعت ساخت تراشه های DRAM ، کمبود حاد کلاس های مختلف حافظه های گرافیکی GDDR را تجربه میکند،که این روند میتواند باعث افزایش بی رویه قیمت کارت های گرافیکی شود.قیمت های عرضه کنندگان حافظه های گرافیکی برای قطعات مختلف در ماه آگوست 30.8 درصد افزایش یافته است .این میانگین افزایش، از رشد قیمتی 6.50 دلاری در ماه جولای تا رسیدن به قیمت 8.50 دلاری آن بدست آمده است.تامین کنندگان تراشه های حافظه گرافیکی از جمله سامسونگ و Sk Hynix ، بخش بزرگی از موجودی خود را به سرورها و تلفن های همراه معطوف ساخته اند و باعث افزایش قیمت آنها شده اند.شرکت سامسونگ بزرگترین عرضه کننده تراشه های حافظه گرافیکی است که 55 درصد از سهم بازار را در اختیار دارد.و به دنباله آن شرکت SK Hynix با داشتن 35 درصد و کپمانی میکرون با داشتن 10 درصد از سهم بازار در رتبه های بعدی قرار دارند. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
-
شرکت تایوانی TSMC اعلام کرد برای اولین باردر این شرکت موفق به دست یابی به فاب نود 3 نانومتری شده است .این موفقیت برای اولین بار درقسمت پارک علمی تازه تاسیس این شرکت، به نام Tainan واقع در جنوب این کشور بدست آمده است.با توجه به دلایل سی یا سی ،شایعاتی در موردساخت این کارخانه جدید،در ایالات متحده بوده است.ولی با این حال TSMC تصمیم گرفت که توانایی های تولید خود را در پارک علمی Tainan ذخیره کند، جایی که آنها توانایی استفاده از دارایی ها و زنجیره تامین ، برای تولید و حمایت از کارخانه نیمه هادی 3 نانومتری جهان دارند. البته این تصمیم قطعا به دولت تایوان جهت تأمین حمایت از زمین، آب، برق و حفاظت از محیط زیست مربوط می شد، تا آخرین طرح تولیدی TSMC را تسهیل کند.احتمال میرود حداقل بخشی از ماشین آلات مورد نیاز برای این شرکت،توسط شرکت هلندی ASML تامین شود،این شرکت هلندی در سال جاری حدود 25 درصد رشد درآمد داشته است. با این حال شرکت TSMC ،هیچ جدول زمانی را برای تولید فاب 3 نانومتر اعلام نکرده است ، که احتمالا این بدان معنا خواهد بود که این شرکت هنوز هم انتظار دارد، تا تولید ناخالصی برای فاب 3 نانومتر، از سال 2022 آغاز شود. نکته ای جالب که در این میان به چشم میخورد،اعلام برنامه ریزی از پیش تعیین شده TSMC ،برای نود 7 نانومتر است که انتظار میرود توسط یک ramp سریع برای سال 2018 آغاز شود.جالبتر اینکه این کمپانی اعلام کرده قصد دارد که چندین لایه فرابنفش (EUV) را به نود 7 نانومتروارد کند،این در حالیست که نقشه راه این شرکت، خبر از نود ساخت 5 نانومتر برای سه ماهه اول سال 2019 را میدهد. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
-
بر طبق گزارش های منتشر شده از موسسه DRAMeXchange ،کمبود حافظه های رم تا اوآخر سال 2018 نیز ادامه خواهد داشت . این کمبود در زمان حال هم مشاهده میشود، و باعث بالا رفتن قیمت های حافظه شده است .با این حال این میزان تولید ناکافی به نظر میرسد ،البته ممکن است تقاضای بالای برای حافظه های گوشی های هوشمند دلیل اصلی این کمبود به شمار آیند. امابه نظر میرسد سه تولید کننده اصلی حافظه یعنی سامسونگ ، میکرون و SK Hynix با محدود کردن حجم تولید خود ،باعث شده اند قیمت ها به صورت کاملا مصنوعی روند صعودی داشته باشند.این شرکت ها تصمیم به گسترش ظرفیت ها و مهاجرت آهسته به تکنولوژیهای جدیدتر دارند،تا بتوانند قیمت ها را در همان مقدار سطح بالا حفظ کرده و حاشیه سود آوری خود را افزایش دهند. انتظار میرود تولید حافظه های رم تا سال 2018 به مقدار 19/6 درصد افزایش یابد ،اما همچنان از مقدار تقاضای 20.6 درصدی پایین تر است .این مقدار عرضه احتمالا نوید عرضه محدود توسط فروشندگان را میدهد که حتی با عرضه های جزئی این کمبود عرضه قابل ملاحظه ترخواهد بود.این بدان معناست که عرضه های فعلی حافظه یا با قیمت های کنونی تثبیت خواهند شد و یا اینکه از سطح قیمت فعلی بالاتر خواهند رفت.گزارش ها حاکی از آن دارند که هر سه تولید کننده حافظه ،در تلاش برای گسترش تولیدات خوددر خط تولیدشان هستند.در هر حال همه این شرکت ها درگیر مقایسه قیمت محصولاتشان هستندو تلاش میکنند با عرضه بیشتر این قیمتها را کاهش دهند. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
-
سامسونگ تولید انبوه تراشه های HBM2 را آغاز میکند
hd5870 پاسخی ارسال کرد برای یک تاپیک در مقالات و اخبار سخت افزار و نرم افزار تهیه شده توسط لیون کامپیوتر
شرکت سامسونگ الکترونیک،یکی از پیشروان صنعت پیشرفته حافظه سازی،امروز اعلام کرد که حجم تولید تراشه های HBM2 (حافظه با پهنای باند بالا ) جهت برآورده کردن نیاز سازمانهای در حال رشد و طیف گسترده ای ازبرنامه های کاربردی از جمله هوش مصنوعی ،HPC ها (سیستمهای محاسباتی با کارایی بسیار بالا)،گرافیک های پیشرفته و سیستم های شبکه و سرورهای سازمانی ، افزایش میدهد.مدیر عامل سامسونگ آقای said Jaesoo Han در این باره میگوید"با افزایش حجم تولید این محصول اکنون تراشه های HBM2 در ظرفیت 8 گیگ در دسترس است ،ما قصد داریم اطمینان حاصل کنیم که تولید کنندگان در حوزه IT ،به هنگام عرضه محصولات جدید و پیشرفته خودبه مقدار کافی از این تراشه ها در اختیار داشته باشند" . وی همچنین در ادامه اضافه کرد"ما همچنان به ارائه و تولید پیشرفته ترین مدل های تراشه های HBM2 ادامه خواهیم داد.این درحالیست که این کار با همکاری نزدیک مشتریان ما در حوزه IT تحقق خواهد یافت "نمونه با ظرفیت 8 گیگابایتی تراشه HBM2 تولید سامسونگ،درمورد مصرف انرژی و کارایی بالا، مورد اطمینان ترین تراشه در حال حاضر است، که این نشان دهنده تعهد این کمپانی به صنعت DRAM است .از جمله فناورهای پشتیبانی شده در تراشه های HBM2 وجود تکنولوژی TSV یا (نحوه استفاده از سیلیکون VIA ) که از جمله آخرین دستاوردهای صنعت DRAM می باشد.این فناوری یکی از 850 مورد ثبت حق اختراعات در این زمینه است . یک ماژول 8 گیگ HBM2 شامل 8 پشته هشت گیگابیت، به همراه یک بافر در پایین این پشته ها میشود،که تمامی این پشته ها به صورت عمودی و با فناوری های TSV وmicrobumps با یکدیگر در ارتباط هستند.هر سطح die در این تراشه ها شامل 5000 مسیرارتباطی از طریق TSV هستند،که یک پکیج 8 گیگ از تراشه های HBM2 سامسونگ دارای بیش از 40000 مسیر TVS است .در این تراشه ها زمانی که انتقال داده ها با تاخیری صورت بگیرد، با سویچ به فناوری TSV کارایی آن به صورت قابل توجهی افزایش پیدامی کند.طراحی تراشه های HBM2 به گونه ایست، که در هنگام مواجه شدن با مشکلاتی از قبیل overheating یا افت کارایی با گرمای زیاد،کاملا تضمین شده هستند.اولین تراشه HBM2 در ماه ژوئن 2016 با پهنای باند 256GB/s معرفی شد.این مقدار بیش از هشت برابر تراشه GDDR5 با پهنای باند 32GB/s است. افزایش دو برابری یک تراشه 4 گیگ HBM2 و یا یک تراشه 8 گیگ ، تا حد بسیار زیادی به بهبود عملکردی و بهروه وری انرژی سیستم ، میتواند کمک کند.استفاده از این تراشه ها در برنامه های کاربردی محاسباتی ،ماشین های یادگیری عمیق ،پردازش های موازی و یا کارهای رندرینگ گرافیکی ،با استفاده از ایده های پیشرفته بسیار مفید واقع میشوند. سامسونگ پیش بینی میکند ،افزایش حجم تولید تراشه های HBM2 ، بیش از 50 درصد از محصولات مبنی بر این تراشه ها را به خود اختصاص خواهند داد که این محصولات در نیمه اول سال آینده تحت پوشش قرار خواهند گرفت. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
-
کمپانی SK Hynix به تازگی اعلام کرد که موفق به توسعه اولین ماژول حافظه های Double Data Rate 4 یا همان DDR4 با فناوری 1Ynm با سرعت 8 گیگابیت شده است.به گفته این کمپانی بهره وری این محصول تا حدود 20 درصد افزایش داشته و میزان مصرف انرژی نیز در قیاس با نسل قبلی 1Xnm DRAM حدود 15 درصد کاهش یافته است.همچنین حافظه های جدید اکنون به سرعت انتقال داده تا 3200 مگابیت در ثانیه رسیده اند که سریعترین سرعت پردازش داده ها در رابط DDR4 به شمار میرود.این شرکت به تازگی یک طرح ابداعی به نام 4-Phase Clocking را به تصویب رسانده که با توجه به آن کلاک سیگنال به دو برابر افزایش پیدا میکند و سرعت و ثبات در انتقال داده ها را افزایش میدهد. SK Hynix همچنین فناوری دیگری تحت نام Sense Amp. Control را معرفی میکند که جهت کنترل مصرف انرژی و تشخیص خطا در داده ها به کار گرفته میشود.این شرکت در حال بهبود ساختار ترانزیستورها است تا احتمال هر گونه خطا در داده ها را کاهش دهد، چالشی که همواره با کوچکترشدن گره ساخت ، پیش روی سازندگان قرار دارد.این شرکت حتی یک منبع تغذیه با میزان تواندهی پایین را به مدار این حافظه ها اضافه کرده تا از هدر رفت غیر ضروری مصرف انرژی جلوگیری کند. SK Hynix قصد دارد تا در آینده ، فناوری 1Ynm را به بخش سرورها و PC ها و کمی بعدتر به سایر دستگاه ها و برنامه های کاربردی نظیر تلفن های هوشمند ، گسترش دهد. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
-
SK Hynix اولین ماژول DDR5 DRAM با سرعت 16 گیگابیت را معرفی کرد
hd5870 پاسخی ارسال کرد برای یک تاپیک در مقالات و اخبار سخت افزار و نرم افزار تهیه شده توسط لیون کامپیوتر
کمپانی SK Hynix اعلام کرد که آنها موفق به توسعه اولین ماژول حافظه DDR5 DRAM با سرعت 16 گیگابیت شده اند.این ماژول اولین ماژول DDR5 است که توانسته استاندارد JEDEC را دریافت کند.این حافظه ها از فناوری پردازش 1Ynm که اخیرا در حافظه های DDR4 DRAM با سرعت 8 گیگابیت اعمال شده ، استفاده میکنند.DDR5 نسل بعدی حافظه های DRAM به شمار میرود که دارای سرعت و تراکم فوق العاده بالا و مصرف انرژی پایین تر نسبت به حافظه های DDR4 هستند و قرار است در کاربردهایی نظیر پردازش داده های بزرگ ، هوش مصنوعی و ماشین های یادگیری ، مورد استفاده قرار بگیرند. یکی از موفقیت های حاصل شده توسط SK Hynix در مورد نسل جدید DDR5 ، کاهش ولتاژ کاری از 1.2 ولت به 1.1 ولت است که باعث شده نسبت به حافظه های DDR4 DRAM به میزان 30 درصد از مصرف انرژی کاسته شود.یک ماژول 16 گیگابیتی DDR5 DRAM ، میتواند از سرعت انتقال داده تا 5200 Mbps پشتیبانی کند که حدود 60 درصد سریعتر از سرعت 3200 Mbps نسل DDR4 است.این یعنی اکنون میتواند تعداد 11 فایل ویدئویی فول HD با ظرفیت 41.6 گیگابایت را با سرعت 3.7 گیگابایت بر ثانیه ، پردازش کند. SK Hynix همچنین ماژور چیپست های RDIMM و UDIMM را برای پلتفرم های سرور و PC ارائه خواهد داد که طبق استاندارد JEDEC DDR5 ، تعداد بانک حافظه را از 16 به 32 افزایش میدهد.بر اساس گزارش منتشر شده از موسسه تحقیقاتی IDC ، انتظار میرود که تقاضای بازار برای حافظه های DDR5 از سال 2020 افزایش پیدا کند.طبق پیش بینی این موسسه DDR5 ها تا سال 2021 حدود 25 درصد و تا سال 2022 حدود 44 درصد افزایش تقاضا را تجربه خواهند کرد. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی -
به گفته خبرگزاری Korea Times ، نه تنها شرکت آمریکایی Micron ، بلکه دو تراشه ساز مطرح کره ای یعنی Samsung و SK Hynix نیز قربانی سازندگان چینی تراشه های حافظه شده اند.به نظر میرسد که سازندگان چینی ، طرح های اولیه ساخت DRAM ها را از این شرکت ها به سرقت برده باشند.به گفته تولید کنندگان DRAM ، محصولات این شرکت ها دارای IP های اختصاصی خریداری شده ای هستند که طی چندین دهه سرمایه گذاری و تحقیق و توسعه بدست آمده است. اما بااین حال شرکت های چینی مایل نیستند تا از سازندگان DRAM ، مجوز رسمی را دریافت کنند.در صنعت نیمه هادی ها ، جهت ثبت اختراعات ، هزینه های هنگفتی صرف آنها میشود.پس بنابراین طبیعی است که شرکت هایی که وقت و هزینه های بالایی را برای این کار صرف میکنند، بخواهند از آنها محافظت کنند. بدون داشتن مالکیت معنوی یا همان حق ثبت اختصاصی ، شما نمیتوانید نقشی در این صنعت داشته باشید.شما نیاز به تکنولوژی های جدید دارید و باید توانایی تولید در مقیاس وسیع را داشته باشید.همچنین باید مشخصات و طرح های واجد شرایط را در محصولتان داشته باشید.این کار جهت پاسخگویی به درخواست های مشتریان الزامیست.یکی از مهندسین سامسونگ در این باره میگوید : مالکیت معنوی طی دهه ها تلاش و سرمایه گذاری بدست آمده است ، شرکت های چینی برای چنین کاری آمادگی ندارند، زیرا آنها بدون داشتن طرح اختصاصی دست به تولید و توسعه تراشه های DRAM زده اند که به نظر میرسد برای آنها مشکل ساز شود.از کمپانی های چینی که در ابتدا از سوی میکرون و حالا از سوی دو شرکت کره ای متهم به سرقت طرح های تراشه شده، شرکت Fujian Jin Hua IC است.میکرون این سازنده چینی را متهم کرده که آنها IP طرح های ریخته گری نیمه رسانای این شرکت را از طریق یک سازنده تایوانی به نام UMC به سرقت برده اند.با این حال دادگاه های چینی این شرکت تایوانی را تبرئه کرده و به نفع آن رای دادند. همچنین فروش تراشه های میکرون توسط این دادگاه در کشور چین نیز ، ممنوع اعلام شده است. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
-
طبق گفته NVIDIA درنسل بعدی سری کارت های گرافیکی GeForce GTX بر اساس ریزمعماری Volta ، از حافظه های GDDR6 استفاده خواهد شد.با توجه به قرار داد منعقد شده بین کمپانی NVIDIA با شرکت SK Hynix ، سهام این شرکت حافظه ساز کره ای به میزان 6 درصد افزایش یافت.هنوز مشخص نیست که حافظه های GDDR6 در تمامی SKU ها مورد استفاده قرا بگیرد و ممکن است به مانند حافظه های GDDR5X فقط مختص به SKU های رده بالا و پرچمدار باشد.بر اساس آخرین کاتالوگ حافظه از SK Hynix ، یک ماژول یک گیگابایتی GDDR6 با سرعت 8 گیگابیت ، میتواند با ولتاژ 1.35 ولت به نهایت سرعت 14 گیگابیت بر ثانیه دست پیدا کند. همین ماژول با ولتاژ 1.25 ولت میتواند تا سرعت 12 گیگابیت برثانیه نیز افزایش پیدا کند. باتوجه به اینکه قبلا انویدیا حافظه های GDDR5X را با سرعت 11 گیگابیت به خدمت گرفته ،این بار نیز میتواند گزینه های سریعتر را انتخاب کند.استفاده از حافظه های جدید همیشه نگرانیهایی را برای سازندگان در پی دارد.اگر حافظه ای با سرعت 8 گیگابیت برای تراشه GV104 (جانشین GP104 ) مورد استفاده قرار بگیرد و این تراشه نیز از عرض باس 256 بیتی برخوردار باشد، نهایتا تا مقدار حجم 8 گیگابایت حافظه را در اختیار شما قرار میدهد.این موضوع نیز بعید به نظر میرسد که برای افزایش مقدار حافظه به 16 گیگ تغییراتی در تراشه حاصل شود. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
-
-1.thumb.jpg.baea978840337a24459ffb2c880f887a.jpg)
بهترین تولیدکننده DDR4 و بهترین تولیدکننده چیپ DDR4 از نظر شما
Hossein.9 پاسخی ارسال کرد برای یک تاپیک در CPU و انواع پردازنده ها و حافظه ها ( RAM )
با سلام دوستان اگه ممکنه بهترین برند تولید کننده‌ی RAM رو از نظر خودتون رو (( اگر ممکنه با دلایل )) معرفی کنید. همچنین بهترین تولید کننده‌ی چیپ های DDR4 از نظر شما کدام شرکت است؟ SK Hynix ، Samsung یا Micron ؟
-
تلاشها برای جبران کمبود حافظه های 3D NAND در بازار همچنان ادامه دارد. اینتل جزء آن دسته از کمپانی هایی است که سخت در تلاش برای یافتن راه حل هایی جهت تولید انبوه تراشه های 3D NAND است. این کمپانی اکنون دست به کار شده و در حال مذاکره با یک کمپانی تراشه سازی چینی به نام Tsinghua Unigroup است تا بتواند مجوزهای لازم برای تولید حافظه های 64 لایه 3D NAND فلش ، و بر اساس طرح فناوری IMFlash را دریافت کند.در حقیقت IMFlash یک توافقنامه سرمایه گذاری مشترک ، بین کمپانی اینتل و میکرون است.امضای قرار داد با Tsinghua Unigroup بزرگترین سرمایه گذار چینی با حمایت دولت چین ، میتواند یک سرمایه عظیم یک تریلیون یورویی (158 میلیادر دلاری ) را در طی 5 سال آیننده و حداقل تا سال 2025 تامین کند و خودکفایی نیمه هادیهای تولید چین را تا 70 درصد افزایش دهد. این حرکت با عت افزایش قابل توجه در تولید حافظه های NAND خواهد شد . اما در طرفی یک تهدید بزرگ برای غول های صنعت NAND یعنی سامسونگ ، SK Hynix و شرکت توشیبا خواهد بود.با توجه به فناوری IMFlash برای اولین بار در سال 2017 اولیت حافظه های 64 لایه 3D NAND روانه بازار شدند.با وجود این فناوری اکنون تمرکز اصلی بر روی توسعه حافظه های 96 لایه 3D NAND معطوف شده است که با توجه به بکار گیری فرآیند ساخت 10 نانومتری دور از انتظار نخواهد بود که تراکم این چیپ ها به بیش از 64 لایه برسد. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
-
به تازگی کمپانی SK Hynix اعلام کرده است که این شرکت در حال توسعه درایو های SSD سازمانی یا eSSD هستند، که با نسل بعدی تراشه های 72 لایه 3D NAND با تراکم 512 گیگابیت ساخته خواهند شد.SK Hynix برای اولین بار توانسته است که اولین تراشه های 72 لایه 512 گیگابیتی 3D NAND را به همراه یک فریمور سفارشی داخلی و یک کنترلرجدید تا حداکثر ظرفیت 4 ترابایت ترکیب کند.تراشه 72 لایه 512 گیگابیتی SK Hynix اولین تراشه ساخت این کمپانی است که دوبرابر تراکم حجم SSD را در همان اندازه نسل قبلی با ظرفیت 256 گیگابیت ، ارائه داده است.یک SSD با ظرفیت 4 ترابایتی میتواند 200 فیلم Ultra-HD با حجم تقریبی 20 گیگابایتی را در خود جای دهد.eSSD جدید میتواند سرعت پیوسته خواندن و نوشتن 560 و 515 مگابایت بر ثانیه ای داشته باشدو در حالت دسترسی تصادفی4K هم به 98,000IOPS در حالت خواندن و32,000IOPS در حالت نوشتن ، دست پیدا کند. SK Hynix در این درایوها توانسته است میزان تاخیر را به طرز قابل توجهی بهبود ببخشد، که در عملکرد eSSD بسیار تاثیر گذار است.این شرکت به تازگی نمونه هایی را برای سرورها و مشتریان مراکز داده در ایالات متحده ارسال کرده است. همچنین این شرکت توانسته نمونه هایی از این SSD ها با اینترفیس PCIe را به مشتریان مراکز داده و سرورها ، تحویل دهد.SK Hynix از سال گذشته توانست برای اولین بار، SSD های رده مصرف کننده خود را با استفاده از تراشه های 3D NAND و فریمور و کنترلر اختصاصی ، گسترش دهد.آقای Jin Kang از مدیران SK Hynix دراینباره میگوید : "در حال حاضر ما مجموعه های کسب و کار خود را با استفاده از eSSD ها گسترش داده ایم. ما میخواهیم تا به طور فعالی با خواسته های بازار در حال رشد eSSD روبرو شویم، تا به افزایش سودآوری شرکت خودمان در راستای تولید تراشه های NAND Flash در حوزه سازمانی ، کمک کنیم." منبع :Guru3d مترجم : محمد فتحی
-
AMD در حال کار بر روی کنترلر حافظه های GDDR6 است
hd5870 پاسخی ارسال کرد برای یک تاپیک در مقالات و اخبار سخت افزار و نرم افزار تهیه شده توسط لیون کامپیوتر
طی گفتگویی که با یکی از اعضای اصلی تیم فنی AMD یعنی آقای Daehyun Jun انجام شد ، وی گفت آنها در حال کار بر روی کنترلر DRAM برای حافظه های GDDR6 هستند. همه میدانیم که حافظه های HBM در هر نوع قالبی هنوز گران قیمت و برای استفاده هنوز هم دشوار هستند، این دقیقا چیزی بود که در هنگام راه اندازی سری خانواده کارت گرافیک های VEGA مشخص شد.این در حالیست که AMD به دنبال پیشرفت در تکنولوژی با هزینه های بسیار پایین است و امیدوار است با حافظه های GDDR6 به آن دست پیدا کند. به همین دلیل آنها شروع به طراحی یک کنترلر جدید ، برای بکارگیری در پردازنده های گرافیکی خود کرده اند. حافظه های GDDR6 پتانسیل دوبرابری پهنای باند حافظه نسل فعلی مانند سرعت 8Gbps حافظه های به کار رفته در کارت 1070Ti را دارند. و خبر خوب این است که ممکن است در موج بعدی کارت های گرافیکی به خدمت گرفته شوند.این حافظه ها با ولتاژ کمتر میتوانند پهنای دوبرابری را نسبت به حافظه های نسل GDDR5 ،در اختیار پردازنده گرافیکی قرار دهند.برای مثال حافظه های به کار رفته در دو کارت GTX 1070 و یا RX 480 با سرعت 7 و یا 8 گیگابیت در ثانیه فعالیت میکنند، این در حالی است که حافظه هایGDDR5X به کار رفته در کارت 1080 با سرعت 10 و یا 11 گیگابیت در ثانیه فعالیت دارند. با ورود حافظه های GDDR6 فعالیت حافظه های GDDR5X پایان میابد.سرعت حداقلی برای این حافظه ها از 14 و یا 16 گیگابیت در ثانیه شروع خواهد شد و این معنای پهنای باند دوبرابری با فرکانس بالاتر را نسبت به این نسل خواهد داد.ولتاژ حافظه های GDDR6 کمی عجیب است و مانند حافظه های GDDR5X بر روی 1.35 ولت قرار گرفته است. همچنین در تولید این حافظه ها قرار است دو شرکت SK Hynix و Micron هم وارد عرصه رقابتی شوند.به احتمال زیاد حافظه های GDDR6 از اوایل سال 2018 در دسترس خواهند بود. منبع : Guru3d مترجم : محمد فتحی -
SK Hynix تولید تراشه های حافظه GDDR6 را آغاز کرد
hd5870 پاسخی ارسال کرد برای یک تاپیک در مقالات و اخبار سخت افزار و نرم افزار تهیه شده توسط لیون کامپیوتر
پس از آنکه کمپانی سامسونگ خبر از آغاز تولید حافظه های GDDR6 داد، کمپانی SK Hynix هم اعلام کرد که تولید حافظه های GDDR6 را آغاز کرده است.این شرکت با بروز رسانی وب سایت خود ، خبر از تولید این حافظه ها با سرعت های 10 و 12 و 14 گیگابیت داد.محصولات جدید بر اساس دو کد تولید خواهند شد .مدل اول با کد H56C8H24MJR-S2C خواهد بود که حافظه هایی با سرعت 12 تا 14 گیگابیت را تشکیل خواهند داد.مدل دوم هم با کد H56C8H24MJR-S0C شناسایی خواهند شد ، که حافظه هایی با سرعت 10 تا 12 گیگابیت را در بر خواهند گرفت. از طرفی وجود پسوند S2C در نمونه های 12 تا 14 گیگابیتی ، نشان از مصرف پایین تر و بهینه تر آنها دارد. هر دو نمونه با سرعت 12 گیگابیتی و 14 گیگابیتی ، با ولتاژ 1.35 ولت فعالیت میکنند. این در حالیست که نمونه های 12 گیگابیتی و 10 گیگابیتی با پسوند S0C ، با ولتاژ 1.25 ولت ، کار میکنند.با اینکه حافظه های GDDR6 اکنون در دسترس قرار گرفته اند ، اما به نظر نمیرسد که به این زودی ، محصولاتی را بر اساس این حافظه ها ببینیم.با توجه به وضعیت فعلی کارتهای گرافیکی هر دو شرکت AMD و انویدیا و با توجه به استفاده آخرین محصولات این دو شرکت یعنی تراشه های VEGA و ولتا از حافظه های HBM2 ، ممکن است در محصولات آتی این دو شرکت که قرار است در سال های 2018 و 2019 روانه بازار شوند، شاهد استفاده از این حافظه ها باشیم. منبع : Guru3d مترجم : محمد فتحی -
چند سالیست که ما شاهد افزایش قیمت در نیمه هادی ها و تراشه های NAND هستیم. این افزایش قیمتها بارها و بارها مورد انتقاد قرار گرفته اند به طوری که حتی مستنداتی در این باره ، جمع آوری شده است.گزارشات نشان میدهند که تقاضای بازار به شدت افزایش یافته است ، اما این موضوع ربطی به توانایی تولید شرکت ها و حتی عرضه آنها مرتبط نبوده اند.با این حال گزارشات اخیر نشان میدهد که، شرکت های تولید کننده ، در حال برنامه ریزی جهت افزایش تولید DRAM ها و تراشه های NAND هستند، که با توجه به افزایش تقاضا ، ممکن است برخی چشم های نظارتی ، این موضوع را هدف خود قرار دهند. کمیسیون نظارت بر قیمت گذاری و کمیته ملی توسعه و اصلاحات چین (NDRC) در اینباره گفت ، آنها از وضعیت کنونی آگاه هستند.آنها سخت در تلاش برای ترمیم قیمت گذاری از سوی چهار تولید کننده عمده تراشه های NAND یعنی (سامسونگ ، میکرون، اسکاهاینیکس و توشیبا )هستند. گزارش شده که حداقل کمپانی سامسونگ با مقامات چینی به توافق نزدیک شده اند، هر چند در گذشته هم بارها مشاهده شده که سامسونگ و SK Hynix در این باره به توافق نرسیده اند. با این حال شرکت های چینی سخت تحت تاثیر افزایش قیمت های تراشه های NAND و DRAM قرار گرفته اند.از آنجایی که چین دارای صنعت ساخت گوشی های هوشمند پر رونق است ، این شرکت ها از بابت این موضوع ابراز نگرانی میکنند.به دلیل ناتوانی برخی تولید کنندگان چینی در صنعت نیمه هادی ها به صورت حرفه ای ، میزان عملکرد به قیمت تراشه های 3D NAND کاهش یافته است ، و این موضوع باعث شد که برخی شرکت های تولید کننده میل به افزایش قیمت محصولات خود پیدا کنند. ولی با توجه به کسب و کار این محصولات در چین ، آنها دوست دارند که این وضعیت به ثبات برسد. یک تحلیلگر مبتکر چینی به نام Hattie He در این باره میگوید : "چین ، بزرگترین تولید کننده گوشی های هوشمند است .. بنابراین چین به دنبال توجه بیشتر از سوی تولید کنند گان تراشه ها است و نقش کلیدی را در این باره ایفا میکند. حافظه یکی از اجزای کلیدی برای گوشی های هوشمند است بنابراین حس می کند که فروشندگان چینی می خواهند قابلیت های بیشتری برای کنترل این قطعات داشته باشند." منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
-
شرکت SK Hynix امروز اعلام کرد که به زودی اولین تراشه های 96 لایه 512 گیگابیتی Charge Trap Flash با به اختصار CTF بر اساس حافظه های 4D NAND را روانه بازار میکند.گفته میشود که این تراشه ها هنوز هم از فناوری 3D TLC بهره خواهند برد، اما SK Hynix بعد چهارمی به نام فناوری charge trap flash را به تکنولوژی قدیمتر خود اضافه کرده است.طبق گفته های SK Hynix رویکرد جدیدبهتر از رویکرد 3D Floating Gate عمل خواهد کرد.طراحی تراشه های 4D NAND اکنون این امکان را فراهم کرده که اندازه تراشه ها به میزان 30 درصد کاهش پیدا کند و بهره وری انرژی را در مقایسه با نمونه های 72 لایه 512 گیگابیتی 3D NAND تا 49 درصد در هر ویفر افزایش دهد.افزون بر اینها محصولات جدید بر پایه این فناوری میتوانند تا 30 درصد سرعت خواندن و 25 درصد سرعت نوشتن بالاتری را فراهم کنند.همچنین پهنای باند قابل دسترسی اکنون به دوبرابر افزایش یافته و سرعت انتقال اطلاعات ورودی و خروجی I/O نیز به 1200 مگابیت رسیده در حالی که ولتاژ کاری بر روی 1.2 ولت تثبیت شده است. طبق گزارشات Sk Hynix اولین SSD های مصرفی مبتنی بر این فناوری به همراه کنترلر و فریمور اختصاصی این شرکت تا حداکثر ظرفیت 1 ترابایت در کنار نمونه های سازمانی ، در نیمه اول سال 2019 روانه بازار میشوند، این در حالیست که قرار است این شرکت اولین تراشه های 96 لایه یک ترابیتی TLC و QLC را در اوایل سال 2019 معرفی کند. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
-
3D QLC یکی از جدیدترین فناوریهای آماده سازی در تراشه های NAND است که با وعده افزایش تراکم نسبت به فناوری 3D TLC و همچنین کاهش قیمت به ازای هرگیگ ، قرار شد راهی بازار شود.با توجه به اینکه هنوز هیچ یک از ویفرهای پایه تولید شده بر مبنای این فناوری ، هنوز به بازدهی مورد نظر دست نیافته اند ، نمیتوانند به راحتی جانشین نسل قبل شوند.حتی صرفه جویی در هزینه ها نیز در صورتی امکان پذیر است که درصد معینی از ویفرهای تولید شده به بازدهی مورد نظر برسند و بتوانند بدون هیچ گونه نقصی عملکرد آن را تضمین کنند.با این حال به دلیل طراحی پیچیده در این نسل میزان افزایش تراکم با محدودیت مواجه میشود وزمان لازم برای رسیده به بازدهی مطلوب را افزایش میدهد. با توجه به گزارش رسیده از سوی DigiTimes ، تولید تراشه های 3D TLC تنها در ابتدای امسال شاهد بهبودهایی بوده است .درست در همین زمان شرکت ها سازنده 3D QLC شروع به استفاده از طرح های اولیه خود نمودند.اگر روند بهبود بازدهی در حافظه های 3D TLC بیشتر از این زمان به طول بیانجامد ، به نظر مرسد که این روند بر تراشه های QLC تاثیر گذار باشد و روند بهبود سازی آنها را نیز طولانی تر کند.با توجه به اینکه بازدهی تراشه های مشترک ساخت Intel-Micron کمتر از 50 درصد عنوان شده ، DigiTimes مدعی شده که این مشکل تنها مختص به این دو شرکت نبوده و گریبان دیگر شرکت ها مانند Samsung Electronics، SK Hynix،Toshiba/ Western Digital را نیز گرفته است.در نتیجه تا اوایل سال 2019 شاهد نوسان قیمت از سوی تولید کنندگان خواهیم بود. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
-
کمپانی Sk Hynix به تازگی لیست جدیدی از حافظه های DDR4 خود با سرعت 16 گیگابیت را منتشر کرده است.این حافظه ها از یک قطعه سیلیکنی تشکیل شده اند و میتوانند به افزایش ظرفیت قابل دست یابی در بالاترین حد ممکن تنها در یک ماژول DIMM ، کمک زیادی کنند.تراشه های جدید این امکان را برای SK Hynix فراهم میکند تا با کمترین تعداد قطعه سیلیکنی مورد استفاده ، به ظرفیت های بالاتر و یا مشابه ، دست پیدا کند، و بتواند از مزایایی چون کاهش مصرف انرژی نیز نهایت بهره را ببرد. تراشه های جدید اکنون در سه مدل 64 گیگی دوگانه ، 128 گیگی LRDIMM و 256 گیگی LRDIMM لیست شده اند.از لحاظ تئوری این مدل ها توانایی استفاده در پلتفرم های سرور هر دو کمپانی اینتل و AMD را دارند.این بدان معنا خواهد بود که سیستم های مبنی بر پردازنده های سرور EPYC توانایی پشتیبانی تا 4 ترابایت حافظه را خواهند داشت ، و نیاز برنامه های فوق سنگین و داده های بسیار بزرگ ، که به حجم بالای حافظه احتیاج دارند را مرتفع کند.تراشه های 16 گیگابیتی DDR4 کمپانی SK Hynix به ترتیب در بسته های 1Gx16 و 2Gx8 درپکیج های FBGA96 و FBGA78 قابل عرضه خواهند بود.تراشه های حافظه 16 گیگابیتی در دو گونه DDR4-2133 CL15 و DDR4-2400 CL17 با ولتاژکاری 1.2 ولت ، قرار خواهند داشت.همچنین این کمپانی قصد دارد گونه DDR4-2666 CL19 را نیز در سه ماهه سوم سال جاری ، به لیست محصولات خود اضافه کند. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
