کمپانی توشیبا رهبر حافظه سازی جهان ، امروز اعلام کرد اولین تراشه های فلش BiCS سه بعدی ( three-dimensional ) جهت استفاده در فلش مموری را با استفاده از تکنولوژی (TSV) یا قطعه سیلیکونی Via را به ازای 3بیت در هر سلول (سه سطح سلولی TLC) را تولید کرده است .تولید نمونه های اولیه این تراشه ها جهت اهداف توسعه یافته از ماه June آغاز خواهد شد و نمونه های تولید انبوه نیز از نیمه دوم سال 2017 روانه بازارخواهند شد.نمونه اولیه این تراشه ها در نشست پیشگامان این صنعت در Santa Clara در ایالت کالیفرنیا ،از 7 تا 10 آگوست به نمایش در خواهد آمد.
کلیه دستگاه های ساخته شده با تکنولوژی TSV، مجهز به الکترودهای عمودی و vias هستند ،که عبور آنها را از طریق سطح سلیکونی ،با استفاده از اتصالات سطح die تراشه ممکن میکند.جهت درک بهتر این مسئله این طور میتوان متصور شد که کلیه ورودی ها و خروجی های داده ها در این تکنولوژی، با سرعت بسیار بالا و سطح مصرف انرژی بسیار پایین ،ممکن شده است .عملکرد این تراشه ها در دنیای واقعی قبلا نیز توسط تراشه های 2D NAND Flash توشیبا به اثبات رسیده است. ترکیب تراشه های 48 لایه 3D flash به همراه تکنولوژی TSV، به بخش حافظه توشیبا این اجازه را میدهد، تا با افزایش پهنای باند برای برنامه ها، مصرف انرژی را به طور محسوسی کاهش دهد. راندمان قدرتی تراشه های BiCS FLASH تقریبا دو برابر همین تراشه ها با تکنولوژی wire-bonding است .تکنولوژی TSVبه همراه تراشه های BiCS FLASH این امکان را میدهد که یک دستگاه با ظرفیت 1 ترابایت، با استفاده از این معماری با تعداد 16 پشته از این تراشه ها تنها در یک پکیج فراهم شود.بخش حافظه سازی توشیبا با دستیابی به تکنولوژیTSV برای تراشه های BiCS FLASH، به یک راه حل ایده آل برای شرکت های تجاری که به کمترین تاخیر و پهنای باند بسیار بالا و همچنین ورودی و خروجی های داده ها با کمترین میزان مصرف انرژی نیاز دارند، دست یافته است .این را حل جهت استفاده در SSD های تجاری سطح بالا، بسیار مفید خواهد بود.
منبع : Techpowerup
مترجم : محمد فتحی