از لیون کامپیوتر قســـــــــــــــــــــــــــــــــــطی خرید کنید
فروش اقساطی برای سراسر ایران
اخبار سخت افزار ، نرم افزار ، بازی و دنیای آیتی در مجله لیون کامپیوتر 
🤩
جستجو در تالارهای گفتگو
در حال نمایش نتایج برای برچسب های 'ufs'.
2 نتیجه پیدا شد
-
سامسونگ تولید تراشه های 512GB UFS برای دستگاه های قابل حمل را آغاز کرد
hd5870 پاسخی ارسال کرد برای یک تاپیک در مقالات و اخبار سخت افزار و نرم افزار تهیه شده توسط لیون کامپیوتر
سامسونگ از سازندگان مطرح تراشه های حافظه در سطح جهانی ، امروز اعلام کرد که تولید انبوه اولین تراشه های 512 گیگابایتی (eUFS) مخصوص استفاده در دستگاه های قابل حمل نسل بعدی را آغاز کرده است.سامسونگ در ساخت این تراشه ها از حافظه های 64 لایه 512 گیگابیتی V-NAND بهره گرفته که موجب شده یک ظرفیت ذخیره سازی عالی به همراه عملکرد بی نظیر برای دستگاه های قابل حمل هوشمند و تبلت ها ، فراهم شود.حافظه های 512 گیگابایتی eUFS سامسونگ ، بهترین راه حل ذخیره سازی برای گوشی های هوشمند نسل بعدی هستند که با برطرف شدن محدودیت های احتمالی در عملکردسیستم ها ، میتوانند در قالب کارت های SD به بازار عرضه شوند. در این تراشه ها ، سامسونگ توانسته با ترکیب هشت تراشه حافظه 64 لایه 512 گیگابیتی V-NAND به همراه یک تراشه کنترلر به این ظرفیت عظیم دست پیدا کند. حجم حافظه های جدید 512 گیگابایتی UFS نسبت به نسل قبلی تراشه های 48 لایه 256 گیگابیتی بر اساس تراشه های V-NAND ، تقریبا به دوبرابر رسیده است البته همین مقدار 256 گیگابایتی نیز همگی در یک پکیج قرار میگیرند که با استفاده از eUFS ، یک تجربه ذخیره سازی بسیار گسترده تر را برای دستگاه های قابل حمل فراهم خواهد کرد.به طور مثال یک گوشی رده بالا با استفاده از eUFS قادر خواهد بود ، تا تعداد 130 کلیپ با وضوح 4K و با مدت زمان 10 دقیقه را بر روی خود ضبط کند، این مقدار تقریبا حدود 10 برابر یک حافظه 64GB eUFS خواهد بود که تنها اجازه ذخیره سازی 13 کلیب ویدئویی با همان وضوح تصویر را خواهد داشت. سامسونگ جهت به حداکثر رساندن کارایی و بهره وری انرژی به دنبال حافظه های 512GB eUFS انبوهی از فناوری ها را نیزمعرفی کرده است. تراشه های به کار رفته در این حافظه ها از نوع 64 لایه V-NAND هستند، که با استفاده از کنترلر های جدید قادر به مدیریت انرژی هستند. این مدیریت مصرفی در مقایسه با تراشه های 256 گیگی eUFS کاملا قابل احساس هستند. این در حالیست که تراشه های eUFS 512 دارای مقدار دو برابری سلول ها نسبت به تراشه های 256GB eUFS هستند. اکنون در تراشه های جدید نقشه برداری از آدرس بلوک های منطقی برای تبدیل شدن به بلوک های فیزیکی با سرعت بیشتر انجام می پذیرد. حافظه های 512GB eUFS سامسونگ اکنون از سرعت بسیار بالاتری در هنگام خواندن و نوشتن برخوردارند به طوری که سرعت خواندن و نوشتن در آنها اکنون به حدود 860 و 255 مگابایت بر ثانیه میرسد.در این حالت شما میتوانید یک ویدئو کلیپ فول اچ دی با حجم پنچ گیگابایت را ظرف مدت تنها 6 ثانیه از روی SSD خود بر روی آن کپی کنید.این زمان تقریبا 8 برابر سریعتر از حافظه های microSD معمولی است.در عملیات خواند و نوشتن تصادفی هم حافظه های جدید eUFS عالی عمل میکنند. به طوری که میتوانند تا 42,000 IOPS بخوانند و با 40,000 IOPS هم بنویسند. این مقدار تقریبا 400 برابر امتیاز 100IOPS برای یک حافظه microSD معمولی است. با توجه به افزایش بالای حجم ذخیره سازی و افزایش تقاضا برای ذخیره سازی های دستگاه های قابل حمل ، سامسونگ قصد دارد تولید حافظه های 64 لایه 512 گیگابایتی با تراشه های V-NAND را افزایش دهد و کارت های حافظه قابل حمل با عملکرد و ظرفیت های بالا را برای آنها تامین کند. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی -
تراشه های 64 لایه UFS توشیبا ، سریعتر از نسل قبلی خود هستند!
hd5870 پاسخی ارسال کرد برای یک تاپیک در مقالات و اخبار سخت افزار و نرم افزار تهیه شده توسط لیون کامپیوتر
توشیبا از سازندگان مطرح حافظه در جهان، امروز از تراشه های نیمه هادی ذخیره سازی خود ملقب به Universal Flash Storage یا به اختصار UFS رونمایی کرد.این تراشه ها بر اساس حافظه های 64 لایه BiCS FLASH 3D flash طراحی شده اند.این تراشه ها به جهت دست یابی به اهدافی مانند استفاده در برنامه های کاربردی که نیاز به سرعت بالای خواندن و نوشتن ، با مصرف بسیار پایین دارند، طراحی و ساخته شده اند. از جمله این کاربرد ها را میتوان ، دستگاه ها و تلفن های هوشمند ، تبلت ها و یا سیستم های واقعیت مجازی نام برد.این تراشه ها در چهار ترکیب و با ظرفیت های 32 گیگ ، 64 گیگ ، 128 گیگ و 256 گیگ در دسترس خواهند بود.تمامی دستگاه های مورد استفاده این تراشه ها ، حافظه فلش همراه با یک کنترلر را در یک بسته بندی در ابعاد 11.5 در 13 میلیمتر را به همرا استاندارد JEDEC با یکدیگر ادغام میکنند.این تراشه ها از مواردی مانند کنترل کننده تصحیح خطا، سیستم یکنواخت سازی ، مترجم آدرس منطقی به فیزیکی و مدیریت بلوک های بد ، پشتیبانی میکنند.پس بنابر این ساده کردن توسعه برای کاربران بسیار آسان خواهد بود.هر چهار تراشه با استانداردJEDEC UFS Ver 2.1 و به خصوص HS-GEAR3 که رابط نظری آن تا سرعت 5.8 گیگابیت بر ثانیه در هر خط است سازگاری کامل دارند .این سرعت خط با ترکیب 2 گیت به 11.6 گیگابیت در ثانیه افزایش میابد و این در حالیست که هر تراشه هر گونه افزایش مصرف برق را به شدت کاهش میدهد.عملکرد صحیح خواندن و نوشتن در مدل 64 گیگی به ترتیب به 900 مگابایت بر ثانیه و 180 مگابایت بر ثانیه میرسد، این در حالیت که عملکرد خواندن و نوشتن تصادفی حدود 200 و 180 درصد بهتر از نسل قبلی خواهد بود.با توجه به پشتیبانی از UFS در تراشه های توشیبا ، این تراشه ها قادر به عملکرد دو وجهی هستندیعنی حالت خواندن و نوشتن به صورت همزمان بین دستگاه ذخیره سازی و پردازنده انجام میشود. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی