رفتن به مطلب

جستجو در تالارهای گفتگو

در حال نمایش نتایج برای برچسب های 'v-nand'.

  • جستجو بر اساس برچسب

    برچسب ها را با , از یکدیگر جدا نمایید.
  • جستجو بر اساس نویسنده

نوع محتوا


انجمن‌ها

  • بخش عمومی
    • نسخه ۴ تالار گفتمان
    • قوانین فروم
    • آخرین اخبار و اطلاعیه های انجمنها و سایت
    • نظرات و پیشنهادات
    • انجمن شبکه های اجتماعی لیون کامپیوتر
    • برنامه‌های زنده‌ی لیون کامپیوتر
  • سیستمهای قدرت ( تولید , انتقال , توزیع )
  • PLC مدارات فرمان و قدرت
  • مقالات تخصصی برق
  • سخت افزار
    • مشکلات و خطاهای سیستم
    • مشاوره برای انتخاب قطعات سیستم
    • بحث در مورد مادربورد وچیپستها
    • CPU و انواع پردازنده ها و حافظه ها ( RAM )
    • قطعات و دستگاههای ذخیره سازی
    • بحث در مورد کارت گرافیک ( VGA )
    • اسپیکر و کارت صدا
    • اسکنر و پرینتر و پلاتر
    • کیس و پاور و سیستمهای خنک کننده
    • کارت کپچر و انواع کارتهای تبدیل و میکس
    • مانیتور ، کیبرد ، موس ، قلم نوری
    • تجهیزات شبکه و اینترنت
    • بحث در مورد انواع قطعات سخت افزاری
    • مقالات و اخبار سخت افزار
    • مقالات و اخبار سخت افزار و نرم افزار تهیه شده توسط لیون کامپیوتر
    • گارانتی
    • انجمن تخصصی سخت افزار
    • لپ‌تاپ ، تبلت ، All in One
    • انجمن تخصصی کالاهای دیجیتال که انجمنی ندارند
  • مدارهای آنالوگ
  • الکترونیک قدرت ( Power Electonic )
  • ابزار دقیق
  • موبایل، تبلت و انواع گجت ها
    • مشاوره برای انتخاب گوشی و تبلت مناسب
    • مقالات و اخبار موبایل، تبلت و گجت ها
    • گفتگو در خصوص انواع گجت ها و کالاهای دیجیتال
  • مباحث دانشگاهی
  • نرم افزار
    • نرم افزار
  • مدارهای دیجیتال
  • تاسیسات الکتریکی
  • کنکور
  • طراحی عناصر
  • ماشینهای الکتریکی
  • انجمن گیمینگ
    • بازی های رایانه ای
    • دستگاههای بازی و گیم و بازیهای کامپیوتری
    • اخبار دنیای بازی
    • نقد بررسی بازی
    • مشکلات در بازی و خطاهای سیستم
    • راهنمایی و ترفند گیم
    • PC گیمینگ
    • ایکس باکس
    • پلی استیشن
    • تجهیزات گیمینگ
    • بازی های موبایل
    • مقالات مرتبط با گیم
    • مولتی مدیا و گیم
    • بازی بازار
  • میکروکنترلر
  • پروژه های دانشجویی
  • کلاب
    • انجمن طرفداران
  • ارزهای رمزگذاری‌شده CryptoCurrency
    • نرم‌افزارها(ماینرها) و سخت‌افزارهای ماینینگ
    • تحلیل بازار و معرفی ارزهای رمزگذاری شده
    • بلاکچین
    • بازارچه‌ی ارزهای رمزگذاری‌شده و ماینینگ
  • موضوعات عمومی
    • گفتگوی آزاد
    • مسائل عمومی وب و اینترنت
    • مقالات و مطالب عمومی
    • انجمن مسابقات عمومی , سخت افزاری و قرعه کشی ها
    • انجمن درخواستها و اعتراضات کاربران به بازار داخلی
  • بازارچه
    • قیمت قطعات در بازار , اخبار بازار کامپیوتر و اخبار بازارچه لیون
    • واردات کالا
    • حراج قطعات ليون كامپيوتر
    • خرید و فروش قطعات کامپیوتر
    • خرید و فروش قطعات ماینینگ
    • خرید و فروش نرم افزار و گیم و بازی
    • خرید و فروش قطعات برق و الکترونیک
    • خرید و فروش کالاهای متفرقه

بلاگ‌ها

  • lioncomputer.ir
  • بلاگ دانیال (مطالب اینتل)
  • Extreme Plus Workshop
  • SSD
  • Daniel.Hz' بلاگ
  • Uranium' بلاگ
  • amin_naja(امین پناهی زاده)' بلاگ
  • Iranmedu' بلاگ
  • Iranmedu' بلاگ
  • Iranmedu' بلاگ
  • عطر دیجی بوم | فروش عطر و اسانس ادکلنی

جستجو در ...

نمایش نتایجی که شامل ...


تاریخ ایجاد

  • شروع

    پایان


آخرین بروزرسانی

  • شروع

    پایان


فیلتر بر اساس تعداد ...

تاریخ عضویت

  • شروع

    پایان


گروه


محل سکونت :


علاقمندی


پردازنده


مادربورد


رم


کارت گرافیک


ذخیره سازی


درایوهای نوری


منبع تغذیه


کیس


خنک کننده


کارت صدا


کارت های جانبی


مودم


مانیتور


کیبورد و موس


بلندگو ، هدفون


اسکنر، پرینتر


سیستم عامل

  1. وقتی صحبت از SSD های رده مصرف کننده میشود،شرکت سامسونگ بیشترین محصول در این باره نسبت به دیگر شرکت ها ، در اختیار دارد،حتی اگر فناوری های رقابتی آنها نسبت به این شرکت برتر باشند.با توجه به قیمت گذاری این محصولات،SSD های سامسونگ معمولا قابل اعتمادترین و سریعترین گزینه ها در بازار هستند.مدل های 960 PRO و 960 EVO SSD نمونه بارزی از این محصولات هستند که به خوبی در تثبیت موقعیت بازاری این شرکت درخشیده اند و به زودی جانشینان این درایو ها از راه خواهند رسید. درایوهای نسل بعدی سامسونگ NVMe دارای نام کد PM981 هستندکه استفاده از حروف "PM" در ابتدای آن نشان دهنده استفاده از تراشه های TLC NAND (تراشه های 64 لایه 3 بیتی به ازای هر سلول V-NAND) است.عدد 9 نشانگر بالاترین فناوری مورد استفاده سامسونگ و عدد 81 به معنای جداسازی مدل ها مانند سری 960 سامسونگ است.انتظار میرود که سامسونگ مدلی با کد 970 را در دستور کار خود داشته باشد و با توجه به سری "EVO" و "PRO" ، عملکرد آنها را ترسیم کند.در حال حاضر این مدل تنها از حافظه هایی با ظرفیت 512 گیگ و 1 ترابایتی استفاده خواهند کرد.این داریوها از کنترلر اختصاصی سامسونگ Polaris V2 به همراه یک خنک کننده فلزی بهره میبرند و میتوانند سرعت خواندن متوالی 3000 مگابایت بر ثانیه برای مدل 512 گیگ و سرعت خواندن 3200 مگابایت برثانیه ای را برای مدل 1 ترابایتی فراهم کنند.همچنین مدل 512 گیگ از سرعت نوشتن 1800 مگابایتی و مدل یک ترابایت هم از سرعت نوشتن 2400 مگابایتی برخوردار هستند.این مدل ها توسط یک خرده فروشی ویتنامی ، با قیمت های 230 دلار و 430 دلاری لیست شده اند.این قیمت ها به معنای قیمت نهایی برای مصرف کننده ها نخواهد بود ، هر چند که این فناوری ها و عملکرد بالا برای درایو های NVMe SSD مناسب هستند. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
  2. SAMSUNG امروز اعلام کرد که جدیدترین درایو SSD خود به نام 860 QVO را به زودی روانه بازار میکند.مدل جدید دارای حداکثر ظرفیت 4 ترابایت بوده که بر اساس معماری حافظه های 4 بیتی multi-level cell یا همان MLC NAND با تراکم بالا طراحی و ساخته شده است و هدف آن دست یابی به بالاترین ظرفیت و کمترین قیمت ممکن است.کاربران سیستم های رده میانی میتوانند با ارتقاء به این درایو ، فایل های چند رسانه ای و بسیار بزرگ خود را با بالاترین سرعت ممکن منتقل کنند و عملکرد سیستم خود را بهبود ببخشند. این درایو در اندازه 2.5 اینچی بوده و از رابط اتصال ساتا برخوردار است که با انواع لپ تاپ ها و کامپیوترها سازگاری دارد.همچنین با ترکیب ظرفیت بالا و سرعت بالا در یک درایو واحد و مقرون به صرفه ، نیاز کاربران به استفاده از ترکیب یک SSD و HHD را جهت بوت سیستم و ذخیره سازی ، از بین میبرد. به لطف استفاده از آخرین حافظه های 4 بیتی V-NAND سامسونگ و کنترلر MJX ، درایو 860 QVO اکنون میتواند به سرعت خواندن 550 مگابایت بر ثانیه و سرعت نوشتن 520 مگابایت بر ثانیه همانند یک درایو 3 بیتی MLC ، دست پیدا کند.وجود فناوری TurboWrite باعث شده که عملکرد کلی این درایو بهبود یابد و پایداری آن را برای مدت زمان بیشتری حفظ شود.جهت اطمینان بیشتر سامسونگ یک بایت کلیدی بر اساس تجزیه و تحلیل کامل الگوهای SSD های رده مصرف کننده ارائه میدهد.به طور مثال برای مدل جدید با ظرفیت 4 ترابایت ، یک ضمانت محدود 3 ساله یا 440 ترابایت در حالت نوشتن و 720 و 360 ترابایت نوشتن اطلاعات را بر روی مدل های 2 و یک ترابایتی را ضمانت میکند.فروش درایو 860 QVO از ماه دسامبر به صورت جهانی آغاز خواهد شد. قیمت تعیین شده برای مدل یک ترابایت 150 دلار است.جهت کسب اطلاعات بیشتر میتوانید به وب سایت سامسونگ مراجعه کنید. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
  3. کمپانی Samsung امروز اعلام کرد که تولید اولین درایوهای SSD 2.5 اینچی خودبر مبنای اینترفیس SATA 3.0 در رده مصرف کننده راآغاز کرده است.این درایوه اولین SSD های رده مصرف کننده خواهند بود که بر اساس فناوری حافظه های فلش QLC V-NAND ساخته شده اند که میتوانند 4 بیت داده را در هر سلول ذخیره کنند.راه اندازی اولین گروه از این محصولات برای نیمه دوم سال 2018 برنامه ریزی شده است.سامسونگ با استفاده از یک تراشه واحد یک ترابایتی و 4 بیتی حافظه های V-NAND خواهد توانست تا یک کارت حافظه با ظرفیت حداقل 128 گیگابایت را برای گوشی های هوشمند طراحی و تولید کند.این موضوع باعث افزایش ظرفیت و کارایی حافظه های ذخیره سازی برای گوشی های موبایل خواهد شد.با این حال به دلیل استفاده از کنترلر های قدیمی به کار رفته در SSD های 3 بیتی ، میزان عملکرد یک درایو 4 ترابایتی چهار بیتی با حافظه هایQLC و با رابط ساتا 3.0 ، در سطح درایوهای قدیمی تر 3 بیتی باقی مانده است.البته با روی کار آمدن فناوری هایی نظیر TurboWrite برای این درایوها ، میزان عملکرد تا حدود بهبود خواهد یافت.اولین درایو بر مبنای فناوری 4 بیتی QLC اکنون میتواند به صورت پیوسته با سرعت 540 مگابایت بر ثانیه بخواند و با سرعت پیوسته 520 مگابایت بر ثانیه نیز بنویسد.سامسونگ قصد دارد تا اوآخر سال جاری ، اولین SSD های رده مصرف کننده در فاکتور 2.5 اینچی با ظرفیت های 1 ترا ، دو ترا و 4 ترابایت را ، به صورت گسترده به بازار عرضه کند. انتظار میرود سامسونگ ، تولید انبوه نمونه های M.2 NVMe SSD را با استفاده ازنسل پنجم حافظه های 4 بیتی V-NAND تا پایان امسال نیز آغاز کند.تولید روز افزون و گسترده این درایوها میتواند در رفع نیاز بسیاری از سازمان ها مانند دیتا سنترها و سرورها مفید واقع شود. منبع : Guru3d مترجم : محمد فتحی
  4. سامسونگ یکی از پیشروان صنعت حافظه سازی ،امروز اعلام کرد که پر ظرفیت ترین NVMe SSD های خود را بر اساس فاکتور کوچک (NGSFF) و با ظرفیت عظیم 8 ترابایت جهت استفاده در مراکز سازمانی و دیتاسنترها ، روانه بازار میکند.حافظه های جدید از تعداد 16 پکیج 512 گیگابایتی حافظه های NAND ساخته شده اند که هر کدام از این پکیج ها نیز خود از تراشه های 3 بیتی V-NAND و 16 لایه 256 گیگابیتی تشکیل شده اند.این مجموعه باعث شده تا تراکم عظیم 8 ترابایتی تنها در اندازه بسیار کوچک 11 سانتی متر در 3.05 حاصل شود.این ظرفیت دو برابر NVMe SSD های گذشته با اندازه 11x2.2 سانتی متر است که معمولا در سرورهای کوچک و جمع و جور و لپ تاب های فوق باریک مورد استفاده قرار میگیرد.انتظار میرود SSD های NF1 به سرعت جایگزین NVMe SSD های 2.5 اینچی شوند.استفاده از این SSD ها قادر خواهد بود تا ظرفیت عظیم 576 ترابایت را برای سرورهای 2U rack فراهم کند. درایو های NF1 از یک کنترلر جدید با کارایی بالا استفاده میکنند. این درایوها از پروتکل پرسرعت NVMe 1.3 با درگاه ارتباطی PCIe 4.0 بهره میبرند.این موجب شده تا نرخ پیوسته ارسال متوالی اطلاعات به 3100 مگابایت بر ثانیه و نرخ دریافت متوالی اطلاعات با سرعت 2000 مگابایت بر ثانیه فراهم شود.این سرعت بیش از سه برابر SSD های ساتا است.همچنین سرعت دسترسی تصادفی اطلاعات در حالت خواندن به 500000 IOPS و در حالت نوشتن به 50000 IOPS میرسند.با استفاده از درایو های جدید NF1 یک سرور سازمانی 2U rack میتواند تا یک میلیون IOPS را در یک فضای خالی انجام دهد که این متواند اطمینان بالایی را برای نسل بعدی مراکز داده های سازمانی ایجاد کند. همچنین این SSD ها مجهز به 12 گیگابایت حافظه LPDDR4 DRAM هستند که امکان پردازش سریعتر داده ها را فراهم آورده است. جهت داشتن اطمینان در استفاده های دراز مدت ،NF1 NVMe SSD از یک طراحی مدرن به نام میزان اطلاعت نوشته شده در هر روز یا drive write per day (DWPD در سطح 1.3 ) بهره میبرد.این تضمین کننده این است که در طول ضمانت سه ساله ، شما در هر روز به میزان 1.3 بار میتوانید مقدار 8 ترابایت اطلاعات را بر روی این درایوها بنویسید.SAMSUNG هم چنین قصد دارد تا نمونه هایی از این SSD ها را با استفاده از تراشه های 3 بیتی V-NAND با ظرفیت 256 گیگابیت و حتی نسخه های 512 گیگابیتی را در نیمه دوم سال جاری جهت پردازش های سریعتر ، روانه بازار کند. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
  5. سامسونگ از سازندگان مطرح تراشه های حافظه در سطح جهانی ، امروز اعلام کرد که تولید انبوه اولین تراشه های 512 گیگابایتی (eUFS) مخصوص استفاده در دستگاه های قابل حمل نسل بعدی را آغاز کرده است.سامسونگ در ساخت این تراشه ها از حافظه های 64 لایه 512 گیگابیتی V-NAND بهره گرفته که موجب شده یک ظرفیت ذخیره سازی عالی به همراه عملکرد بی نظیر برای دستگاه های قابل حمل هوشمند و تبلت ها ، فراهم شود.حافظه های 512 گیگابایتی eUFS سامسونگ ، بهترین راه حل ذخیره سازی برای گوشی های هوشمند نسل بعدی هستند که با برطرف شدن محدودیت های احتمالی در عملکردسیستم ها ، میتوانند در قالب کارت های SD به بازار عرضه شوند. در این تراشه ها ، سامسونگ توانسته با ترکیب هشت تراشه حافظه 64 لایه 512 گیگابیتی V-NAND به همراه یک تراشه کنترلر به این ظرفیت عظیم دست پیدا کند. حجم حافظه های جدید 512 گیگابایتی UFS نسبت به نسل قبلی تراشه های 48 لایه 256 گیگابیتی بر اساس تراشه های V-NAND ، تقریبا به دوبرابر رسیده است البته همین مقدار 256 گیگابایتی نیز همگی در یک پکیج قرار میگیرند که با استفاده از eUFS ، یک تجربه ذخیره سازی بسیار گسترده تر را برای دستگاه های قابل حمل فراهم خواهد کرد.به طور مثال یک گوشی رده بالا با استفاده از eUFS قادر خواهد بود ، تا تعداد 130 کلیپ با وضوح 4K و با مدت زمان 10 دقیقه را بر روی خود ضبط کند، این مقدار تقریبا حدود 10 برابر یک حافظه 64GB eUFS خواهد بود که تنها اجازه ذخیره سازی 13 کلیب ویدئویی با همان وضوح تصویر را خواهد داشت. سامسونگ جهت به حداکثر رساندن کارایی و بهره وری انرژی به دنبال حافظه های 512GB eUFS انبوهی از فناوری ها را نیزمعرفی کرده است. تراشه های به کار رفته در این حافظه ها از نوع 64 لایه V-NAND هستند، که با استفاده از کنترلر های جدید قادر به مدیریت انرژی هستند. این مدیریت مصرفی در مقایسه با تراشه های 256 گیگی eUFS کاملا قابل احساس هستند. این در حالیست که تراشه های eUFS 512 دارای مقدار دو برابری سلول ها نسبت به تراشه های 256GB eUFS هستند. اکنون در تراشه های جدید نقشه برداری از آدرس بلوک های منطقی برای تبدیل شدن به بلوک های فیزیکی با سرعت بیشتر انجام می پذیرد. حافظه های 512GB eUFS سامسونگ اکنون از سرعت بسیار بالاتری در هنگام خواندن و نوشتن برخوردارند به طوری که سرعت خواندن و نوشتن در آنها اکنون به حدود 860 و 255 مگابایت بر ثانیه میرسد.در این حالت شما میتوانید یک ویدئو کلیپ فول اچ دی با حجم پنچ گیگابایت را ظرف مدت تنها 6 ثانیه از روی SSD خود بر روی آن کپی کنید.این زمان تقریبا 8 برابر سریعتر از حافظه های microSD معمولی است.در عملیات خواند و نوشتن تصادفی هم حافظه های جدید eUFS عالی عمل میکنند. به طوری که میتوانند تا 42,000 IOPS بخوانند و با 40,000 IOPS هم بنویسند. این مقدار تقریبا 400 برابر امتیاز 100IOPS برای یک حافظه microSD معمولی است. با توجه به افزایش بالای حجم ذخیره سازی و افزایش تقاضا برای ذخیره سازی های دستگاه های قابل حمل ، سامسونگ قصد دارد تولید حافظه های 64 لایه 512 گیگابایتی با تراشه های V-NAND را افزایش دهد و کارت های حافظه قابل حمل با عملکرد و ظرفیت های بالا را برای آنها تامین کند. منبع : Techpowerup مترجم : محمد فتحی
×
×
  • اضافه کردن...