رفتن به مطلب

AMD تولیدGPU های خود را به Global Foundries می سپارد،آن هم نه 16 بلکه 20 نانومتر


Recommended Posts

  • کاربر ویژه

tsmc_semiconductor_fab14_production-635x

 

 AMD با همکاری Global Foundries از 28 نانومتر به تراشه های FinFET کوچ می کند

 

در مطلب قبلی که به فناوری ساخت 16 نانومتریTCSM پرداختیم،نبود نام amd در لیستی که رقیب آن انویدیا به چشم می خورد تعجب آور بود،در مطلب پیش رو به این مسئله خواهیم پرداخت،AMD تولید پردازنده های گرافیکی خود را از این پس به کمپانی "Global Foundries"  می سپارد و از همین رو بوده که در لیست مشتریان TCSM اسم این کمپانی به چشم نمی خورد.

 

پیشتر و در سال 2008 کمپانی AMD اقدام به فروش Global Foundries به منظور رهایی از مشکلات مالی خود کرده بود ،آقای "کومار" از AMD در این رابطه گفته که آنها از فناوری ساخت 20 نانومتری در "برخی" از محصولات خود استفاده می کنند و از آن به بعد به تراشه های Finfet کوچ خواهند کرد. هم اکنون Gobalfoundries در حال همکاری با سامسونگ برای تولید تراشه های 14 نانومتری این سازنده موبایل و عرضه آن در سال میلادی پیش رو است.

 

Finfet ها سطح مقطع بزرگتری دارند که به ترانزیستورها این امکان را می بخشد تا سریعتر سویچ کنند،تراشه های Finfet بهره وری انرژی بالایی دارند و همزمان کوچکتر بوده و تولید آنها ارزانتر تمام می شود.

 

هنوز مشخص نیست که آیا AMD به شراکت خود با TCSM ادامه می هد.

 

*: فناوری ساخت 16 نانومتر نسبت به 20 نانومتر برتر است.

منبع خبر: guru3d

برگردان فارسی: خبات کریمی

ویرایش شده توسط خبات کریمی
لینک به دیدگاه
Share on other sites

AMD و Nvidia شدید در حال مقابله با هم هستن! آفرین! اینطوری به نفع کاربران هم میشه

لینک به دیدگاه
Share on other sites

  • کاربر ویژه

AMD و Nvidia شدید در حال مقابله با هم هستن! آفرین! اینطوری به نفع کاربران هم میشه

دوست گرامی من میترسم در این تقابل چه برنامه ریزی شده و چه برنامه ریزی نشده یکی شون کشته بشه

اونموقع اوضاع خراب میشه

ویرایش شده توسط momo000000
لینک به دیدگاه
Share on other sites

شرمنده دوستان پست تکرارى ارسال کردم !!!

اونم چند بار !!!!

ویرایش شده توسط big VULTURE
لینک به دیدگاه
Share on other sites

حالا این نانومتر این همه مهم هست ؟ مثلا 16 نانومتر با 20 چه فرقی می کنه

لینک به دیدگاه
Share on other sites

  • کاربر ویژه

حالا این نانومتر این همه مهم هست ؟ مثلا 16 نانومتر با 20 چه فرقی می کنه

سلام بر شما

این نانومتر مربوط به سایز ترانزیستورهای بکار رفته هست که هرچی کوچیکتر باشه امکان گنجاندن تعداد بیشتری رو ممکن میکنه،از طرف دیگه با کاهش اندازه ،میزان مصرف انرژی،اتلاف انرژی و تولید حرارت کمتر میشه.

 

مرسی بابت خبر

@};-

ویرایش شده توسط خبات کریمی
لینک به دیدگاه
Share on other sites

سلام 

Finfet چی هست؟

 

دیگه هم با اینکه ترانزیستورها روز به روز دارن کوچیک تر میشن هزینه درست کردن کارت گرافیک یا سی پی یو برای شرکت ها کمتره اما به مصرف کننده گرون میفروشن چرا همچین کاری میکنن؟

لینک به دیدگاه
Share on other sites

اینکه Finfet چی هست رو بنده هم نمیدونم، اما همینقدر میدونم که حالا که کوچکتر می شه قرار نیست که ارزانتر بشه، بلکه اون شرکت به شما با یک محصول حق استفاده از تکنولوژیش رو میده، در اصل هزینه ی تکنولوژی های بکار رفته در محصول و تکنولوژی های شکل دهنده ی محصول رو می پردازید.

لینک به دیدگاه
Share on other sites

این شرکت Global Foundries   مثل اینکه صاحبش یه اماراتی شده؟ و همینطور  قرار بود یکی از فب های این شرکت هم به امارات منتقل بشه؟

ویرایش شده توسط nasir1367
لینک به دیدگاه
Share on other sites

سلام

ببینید اینکه FinFET دقیقا چی‌ هست یه سوال خیلی‌ کلی‌ هست که برای فهمش نیاز به دانش گسترده‌ای داره اما به زبان ساده و به طور کلی‌ و مختصر شکلی‌ از ترانزیستور‌های FET هست

ترانزیستور‌های FET ترانزیستور‌هایی‌ هستند که در اونها فقط یک نوع حامل که الکترون‌های آزاد هستند در ایجاد جریان الکتریکی نقش دارند و کار کنترل این جریان توسط یک میدان الکترونیکی‌ صورت میگیره که این نوع ترانزیستور‌ها به طور کلی‌ دارای ۳ پایه سورس و درین و گیت هستند که کار کنترل جریان سورس و درین توسط اعمال ولتاژ به گیت صورت میگیره (واقعا ساده تر از این نمی‌شه گفت)

در طراحی مدار‌های مجتمع امروزی از ترانزیستور‌های mosFET استفاده می‌شه (شامل قاعده معماری که در بالا توضیح دادم می‌شه کاملا) که حالا بحث ویژگی‌ هاش مفصله اما در پاسخ سوال شما اینجوری می‌شه توضیح داد که‌ finFET ها لایه بندی و کلیاتشون با مدل سنتی‌ FET تفاوت چندانی نداره چون توی اینها هم ۱ درین و ۱ سورس هست که به خوبی‌ با گیت ارتباط برقرار می‌کنن اما تفاوت finFET ها اینه که کانال ارتباطی‌ بین درین و سورس به صورت ۳ بعدی لایه سیلیکونی طراحی شده که بهش Fin میگن ! این تغییر باعث شد تا الکترود‌های گیت به چندین بخش تقسیم بشن و تو کانال مربوطه جریان پیدا کنن که نتیجش شد بهبود انتقال جریان و کاهش نشتی (در نظر داشته باشید تمام این جزئیات در ابعاد نانومتری برای جلوگیری از تونل سازی کوانتومی و نشتی الکترون هاست چون شما وقتی‌ این نشتی رو در میلیارد‌ها ترانسیستور ضرب میکنی‌ نشتی وحشتناکی‌ حاصل می‌شه) و نتیجش می‌شه همون افت توانی‌ که شما فرضا توی یک قطعه می‌بینید (به تصویر زیر دقت کنید)

 

5665d1355855218-planar-vs.-3d-finfet.jpg

 

جدا از این تمام این بحث‌ها وقتی‌ صحبت از آینده و تخمین اندازه ترانزیستور‌ها می‌شه دانشمندان مشکلات زیادی پیش رو دارند و بخاطر مسائل زیادی که دانش من و شما قد نمیده نمیشه چشم انداز دقیقی‌ از آینده داشت، مثلا همین Fin که بحثش اینجا مطرح شده زمانی‌ که قرار هست به سمت ۷ نانو حرکت بشه دیگه نمی‌تونن از سیلیکون برای ایزوله کردن جریان انتقال از گیت استفاده کنند که پیش از این SiO2 بود و قرار هست SiGe یا Ge به کاربرده شه (ژرمانیوم خالص یا سیلیکون ژرمانیوم) چون تحرک الکترونشون نسبت به سیلیکون بالاتر هست پس ولتاژ کمتری میکشه و برق کمتری مصرف می‌کنه و نشتی کمتر و و و .. مثلا همین تغییر خودش یه مشکله چون شرکت‌های سازنده این ترانزیستور‌ها از سیلیکون برای ساخت استفاده می‌کنن چونکه کلّهم این صنعت بر پایه مواد سیلیکونی هست ، شما فرض بکن حالا بخواد به یک باره تغییر پیدا کنه هزینه تحقیق, توسعه, پیاده سازی سرسام آور خواهد بود !

 

در پاسخ سوال دومتون هم باید گفت هرچقدر کوچک‌ترین شدن هندسی ترانزیستور‌ها با پیچیدگی‌ بیشتری همراه بشه هزینه اونها بالاتر میره !

خلاصه گردون مور یه حرفی‌ زد همه روی گرفتار کرد! 

 

 

سلام 

Finfet چی هست؟

 

دیگه هم با اینکه ترانزیستورها روز به روز دارن کوچیک تر میشن هزینه درست کردن کارت گرافیک یا سی پی یو برای شرکت ها کمتره اما به مصرف کننده گرون میفروشن چرا همچین کاری میکنن؟

 
لینک به دیدگاه
Share on other sites

 

سلام

ببینید اینکه FinFET دقیقا چی‌ هست یه سوال خیلی‌ کلی‌ هست که برای فهمش نیاز به دانش گسترده‌ای داره اما به زبان ساده و به طور کلی‌ و مختصر شکلی‌ از ترانزیستور‌های FET هست

ترانزیستور‌های FET ترانزیستور‌هایی‌ هستند که در اونها فقط یک نوع حامل که الکترون‌های آزاد هستند در ایجاد جریان الکتریکی نقش دارند و کار کنترل این جریان توسط یک میدان الکترونیکی‌ صورت میگیره که این نوع ترانزیستور‌ها به طور کلی‌ دارای ۳ پایه سورس و درین و گیت هستند که کار کنترل جریان سورس و درین توسط اعمال ولتاژ به گیت صورت میگیره (واقعا ساده تر از این نمی‌شه گفت)

در طراحی مدار‌های مجتمع امروزی از ترانزیستور‌های mosFET استفاده می‌شه (شامل قاعده معماری که در بالا توضیح دادم می‌شه کاملا) که حالا بحث ویژگی‌ هاش مفصله اما در پاسخ سوال شما اینجوری می‌شه توضیح داد که‌ finFET ها لایه بندی و کلیاتشون با مدل سنتی‌ FET تفاوت چندانی نداره چون توی اینها هم ۱ درین و ۱ سورس هست که به خوبی‌ با گیت ارتباط برقرار می‌کنن اما تفاوت finFET ها اینه که کانال ارتباطی‌ بین درین و سورس به صورت ۳ بعدی لایه سیلیکونی طراحی شده که بهش Fin میگن ! این تغییر باعث شد تا الکترود‌های گیت به چندین بخش تقسیم بشن و تو کانال مربوطه جریان پیدا کنن که نتیجش شد بهبود انتقال جریان و کاهش نشتی (در نظر داشته باشید تمام این جزئیات در ابعاد نانومتری برای جلوگیری از تونل سازی کوانتومی و نشتی الکترون هاست چون شما وقتی‌ این نشتی رو در میلیارد‌ها ترانسیستور ضرب میکنی‌ نشتی وحشتناکی‌ حاصل می‌شه) و نتیجش می‌شه همون افت توانی‌ که شما فرضا توی یک قطعه می‌بینید (به تصویر زیر دقت کنید)

 

5665d1355855218-planar-vs.-3d-finfet.jpg

 

جدا از این تمام این بحث‌ها وقتی‌ صحبت از آینده و تخمین اندازه ترانزیستور‌ها می‌شه دانشمندان مشکلات زیادی پیش رو دارند و بخاطر مسائل زیادی که دانش من و شما قد نمیده نمیشه چشم انداز دقیقی‌ از آینده داشت، مثلا همین Fin که بحثش اینجا مطرح شده زمانی‌ که قرار هست به سمت ۷ نانو حرکت بشه دیگه نمی‌تونن از سیلیکون برای ایزوله کردن جریان انتقال از گیت استفاده کنند که پیش از این SiO2 بود و قرار هست SiGe یا Ge به کاربرده شه (ژرمانیوم خالص یا سیلیکون ژرمانیوم) چون تحرک الکترونشون نسبت به سیلیکون بالاتر هست پس ولتاژ کمتری میکشه و برق کمتری مصرف می‌کنه و نشتی کمتر و و و .. مثلا همین تغییر خودش یه مشکله چون شرکت‌های سازنده این ترانزیستور‌ها از سیلیکون برای ساخت استفاده می‌کنن چونکه کلّهم این صنعت بر پایه مواد سیلیکونی هست ، شما فرض بکن حالا بخواد به یک باره تغییر پیدا کنه هزینه تحقیق, توسعه, پیاده سازی سرسام آور خواهد بود !

 

در پاسخ سوال دومتون هم باید گفت هرچقدر کوچک‌ترین شدن هندسی ترانزیستور‌ها با پیچیدگی‌ بیشتری همراه بشه هزینه اونها بالاتر میره !

خلاصه گردون مور یه حرفی‌ زد همه روی گرفتار کرد! 

 

 

ممنون بابت توضیح  @};-

لینک به دیدگاه
Share on other sites

به گفتگو بپیوندید

هم اکنون می توانید مطلب خود را ارسال نمایید و بعداً ثبت نام کنید. اگر حساب کاربری دارید، برای ارسال با حساب کاربری خود اکنون وارد شوید .
توجه: مطلب ارسالی شما پس از تایید مدیریت برای همه قابل رویت خواهد بود.

مهمان
ارسال پست در این تاپیک...

×   شما در حال چسباندن محتوایی با قالب بندی هستید.   حذف قالب بندی

  تنها استفاده از 75 اموجی مجاز می باشد.

×   لینک شما به صورت اتوماتیک جای گذاری شد.   نمایش به صورت لینک

×   محتوای قبلی شما بازگردانی شد.   پاک کردن محتوای ویرایشگر

×   شما مستقیما نمی توانید تصویر خود را قرار دهید. یا آن را اینجا بارگذاری کنید یا از یک URL قرار دهید.

 اشتراک گذاری

×
  • اضافه کردن...