دستیابی شرکت Toshiba به دو نوع حافظه NAND جدید

[مجتبی حیدرزاده 5492]

 

 

بخش اول:

 

شرکت Toshiba امروز اعلام کرد که به نسل جدیدی از BiCS FLASH دست یافته، یک نوع فلش مموری سه بعدی با ساختری از سلول های انباشته شده. این فلش مموری، از اولین فلش مموری هایی با سرعت 256 Gigabite یا 32 Gigabyte و 48 لایه ذره مقیاس پذیر (BiCS یا bit cost scalable) و به همراه تکنولوژی TCL یا سلول سطح سوم (TCL یا Triple cell level) می باشد. نمونه هایی از این مموری در ماه September به شرکت های محدودی ارسال می شود.
 
BiCS FLASH بر پایه 48 لایه تشکیل شده و شامل دو مموری NAND می باشد که این نوع چینش، باعث افزایش سرعت خواندن، نوشتن و پاک کردن می شود. از BiCS FLASH در برنامه ها، درایو های حالت جامد (SSD) ، اسمارت فون ها، تبلت ها ، کارت های حافظه و درایو های حالت جامد مخصوص مصارف صنعتی استفاده خواهد شد.
 
از زمان ساخت اولین نمونه BiCS FLASH توسط شرکت Toshiba حدود 8 سال می گذرد (ماه June سال 2007 میلادی) و تا الان، این شرکت به توسعه ی خود در این زمینه ادامه داده است. گفته شده این حافظه ها در نیمه ی اول سال 2016 عرضه و برای اولین بار در درایوهای حالت جامد استفاده خواهند شد.

 

 

بخش دوم:

 

 

 

شرکت Toshiba همچنین از اولین فلش مموری NAND جهان با شانزده قالب انباشته شده که در آن از سیلیکون نیز استفاده شده، (بوسیله تکنولوژی TSV) رونمایی کرد. در حال حاظر ظرفیت مموری NAND FLASH، شانزده قالب است که این مقدار نیز بوسیله شرکت Toshiba بدست آمد. اولین نمونه از این نوع مموری NAND FLASH در تاریخ 11 تا 13 ماه August و طی مراسم Flash Memory Summit 2015 به نمایش در خواهد آمد.

 

در مموری های انباشته شده NAND نسل قبل ، فلش مموری ها بوسیله اتصال سیم به یکدیگر متصل می شدند. اما حالا به کمک تکنولوژی TSV یا Through Silicon Via ، الکترود های نازک عمودی در قالب های سیلیکونی  برای برقراری اتصال فلش مموری ها قرار می گیرند که به سبب آن ، سرعت تبادل اطلاعات افزایش چشم گیری می یابند و میزان مصرف برق نیز کم می شود.

 

 

 

 

تکنولوژی انحصاری TSV شرکت Toshiba می تواند سرعت تبادل وردوی/خروجی اطلاعات را تا سقف یک گیگابیت بر ثانیه برساند، سرعتی که هیچ یک از حافظه های NAND کنونی ندارند. انرژی مورد نیاز برای مدار هسته ، حدود 1.8V ، مدار ورودی/خروجی (I/O) برابر 1.2V و تقریبا 50% کاهش انرژی در عملیات نوشتاری ، عملیات خواندنی و تبادل اطلاعات ورودی/خروجی، است. این حافظه بسیار مناسب SSD ها یا همان درایوهای حالت جامد می باشد.

 

 

 

 

 

منبع: techpowerup

مترجم: مجتبی حیدرزاده