اخبار جدید شرکت SK Hynix تولیدکننده اعظم چیپهای حافظه

[captcha 601]

 

کمپانی SK Hynix سازنده صاحب نام چیپ های حافظه همزمان با اعلام سود سالانه مربوط به 2016 از طرح های خود برای عرضه حافظه های DRAM و NAND جدید این شرکت در سال جاری میلادی خبر داد.

حافظه های ِDRAM با فناوری 21 نانومتر

در اواخر سال 2015 SK Hynix شروع به ساخت حافظه DRAM با تکنولوژی 21 نانومتری کرد و به سرعت علاوه بر پیشرفت در این مسیر به یکی از غول های این صنعت تبدیل شد. در حال حاضر محصولات این شرکت با فناوری چیپ های 21 نانومتری شامل طیف گسترده ای از حافظه های ِDRAM سیستم ها و موبایل ها و سایر حافظه های تخصصی تر می شود و تایید کرده است که امسال ساخت حافظه های جدید DRAM با فرایند 10 نانومتر را کلید خواهد زد.

 

 

مانند سایر کمپانی ها SK نیز درمورد ظرفیت حافظه های خود بسیار محتاطانه عمل می کند و قصد ندارد تغییر کلی در این حافظه ها بوجود آورد. همزمان این شرکت قصددر افزایش تولید خط 21 نانومتری و آغاز ساخت DRAM های 18 نانومتری در نیمه دوم سال 2017 دارد که این امر ناخواسته باعث خروجی بیت بیشتر در حافظه می شود. در واقع همان اندازه که حافظه ها کوچکتر می شوند امکان ساخت بیت های بیشتر در حافظه با یک ویفر خام 300 میلیمتری امکان پذیر می شود.

در همین حال تحلیلگر سایت TrendForce معتقد است نیاز بازار به حافظه ها در سال جاری از میزان افزایش 20 درصدی (سال به سال)  خود عبور خواهد کرد در حالیکه حافظه های DRAM تولید شده توسط تمام سازنده ها به میزان 19% افزایش خواهد یافت. این میزان تولید علاوه بر کمیاب تر شدن این حافظه ها قیمت نهایی را نیز بالاتر خواهد برد. به غیر از رایانه های شخصی دو عامل دیگر نیز شاهد افزایش تقاضا خواهند بود. یکی پلتفرم Xeon جدید اینتل و دیگری گوشی های هوشمند دارای سیستم عامل Android گوگل که شاهد ارتقاء حافظه ها در مدل های رده بالای آنها خواهیم بود که از میزان 8 گیگابایت حافظه LPDDR4 و LPDDR4X بهره خواهند گرفت.

حافظه های NAND  جدید در سال 2017

تقاضا برای حافظه های فلش NAND نیز همزمان با رشد تولید محصولات بر این پایه از قبیل گوشی های هوشمند،SSD ها و سایر سازنده ها بطور ثابتی سال به سال افزایش یافته. همچنین شاهد افزایش میزان حافظه نسبت به محصول بوده ایم. برای مثال آیفون 7 شرکت Apple علاوه بر حافظه 16 گیگابایت، حافظه 32 گیگابایتی نیاز خواهد داشت. برای پاسخگویی به این حجم بالای تقاضا سازنده ها حافظه های پر ظرفیت 3D NAND را عرضه می کنند.

 

 

SK Hynix اولین بار در سال 2015 حافظه های 36 لایه 128 گیگابیتی MLC NAND را عرضه کرد که با نام 3D-V2 نیز شناخته می شوند که در حافظه های همراه بکار می رود. سپس حافظه های 48 لایه 3D NAND یا همان 3D -V3 را تولید کرد که در طیف گسترده تری از محصولات مثل کارت های حافظه، فلش درایو ها و SSD ها استفاده می شد. در نسل سوم خود نیز SK روی حافظه 256 گیگابیتی (32 گیگابایت)  TLC تمرکز کرده است. این آی سی ها در ساخت پکیج های NAND 256، 512، 1024، 2048 و حتی 4096 برای عملکردهای مختلف گیگابیت بکار می رفت.

امسال SK قصد دارد تا تولید حافظه های 3D NAND TLC خود (3D-V4) را آغاز کند. در ابتدا این چیپ ها دارای حافظه 256 گیگابیتی خواهند بود که در سه ماهه دوم 2017 عرضه می شوند. در ادامه و در آخرین ماههای 2017 این شرکت به عرضه چیپ های 512 گیگابیتی (64 گیگابایت) با همین تکنولوژی خواهد پرداخت که به افزایش ظرفیت های دیسک های جامد SSD منجر می شود.نکته مهم در این حافظه ها افزایش سرعت SSD ها  توسط بلاک سایز جدید 13.5 مگابایتی نسبت به مقدار 9 مگابایتی ورژن 3D-V3 است. طبق اطلاعات بدست آمده، مولتی چیپ های 8گیگابیتی NAND ساخت SK Hynix در ظرفیت 1 ترابایت باعث افزایش ظرفیت های SSD ها در ابعاد کوچکتر خواهد شد.

 

 

توسعه کارخانجات M14 و C2

 

در گزارش ها آمده است که SK Hynix قصد دارد از طبقه بالایی کارخانه M14 خود جهت ساخت حافظه های NAND جدید استفاده کند. این کمپانی این خبر  را تایید کرده ولی جزئیات دیگردی ارائه نداده است. فناوری جدید SK در ساخت NAND فلش های جدید امکان عرضه SSD های ظرفیت بالا را بزودی فراهم خواهد کرد. همچنین این شرکت اقدام به توسعه کارخانه C2 در Wuxi چین جهت افزایش تولید کرده است که حدود 2 سال به طول خواهد انجامید و حدود 790 میلیون دلار هزینه برای این شرکت خواهد داشت. عملیات توسعه این کارخانه تا آوریل 2019 زمان می برد و انتظار تاثیر زود هنگام در قیمت ها نمی رود.

 

منبع : AnandTech

مترجم : Adel Riahi

ویرایش شده ژانویه 30, 2017 توسط captcha