تولید تراشه های V-NAND توسط سامسونگ ،سریعتر از نسل گذشته

[hd5870 9455]

 

 

شرکت سامسونگ امروز به صورت رسمی تولید نسل چهارم تراشه های V-NAND را به صورت انبوه آغاز کرد.حافظه های نسل چهارم V-NAND متشکل از 64 لایه با ظرفیت 256 گیگابیت هستند.این تراشه های 64 لایه 256 گیگابیتی دارای سرعت تبادل 1 گیگابایت برثانیه هستند،که در میان حافظه های NAND کنونی از بالاترین سرعت برخوردار هستند.همچنین این حافظه های V-NAND برای نوشتن پیج موسوم به ( tPROG ) تنها به 500 میکروثانیه زمان نیاز دارند که نسبت به تراشه های 10 نانومتری فعلی رایج، حدود 4 برابر و نسبت به تراشه های 48 لایه 256 گیگابیتی 3D TLC NAND فعلی خود سامسونگ، 1.5 برابر سریعتر هستند.سامسونگ ادعا میکند، اکنون با معرفی نسل جدید تراشه های NAND ، به جای کوچکتر شدن فناوری ساخت، مشغول کار بر رویه پایایی و کارایی تراشه های خود است. 

 

 

یکی دیگر از مزیتهای این تراشه های 64 لایه ای نسبت به تراشه های 48 لایه ای فعلی، اینست که باعث افزایش 30 درصدی فضا برروی PCB درایو  SSD از طریق کاهش اندازه های تراشه شده است. سایر مشخصات این تراشه های 64 لایه ای، کاهش ولتاژ از 3.3 ولت در نسل قبلی به 2.5 ولت در نسل فعلی، که باعث بهبود 30 درصدی در بهره وری انرژی شده است. همچنین به گفته سامسونگ پایداری تراشه های V-NAND نسبت به قبل 20 درصد بهبود داشته است .شرکت سامسونگ در نظر دارد، که تولید تراشه های 64 لایه 256 گیگابیت 3D TLC NAND خود را تا پایان سال جاری میلادی تا 50 درصد افزایش دهد، همچنین با وجود تکنولوژی ساخت تراشه های V-NAND و نیاز به بیش از یک ترابایت فضای ذخیره سازی ،تولید تراشه های بالاتر از 90 لایه در آینده ی نزدیک دور از انتظار نخواهد بود.

 

منبع : Guru3d

مترجم : محمد فتحی