نسل جدید تراشه های QLC (Quadruple Level Cell) فناوری جدید توشیبا: تولید فلش درایوهایی با ظرفیت 1.5 ترابایت ممکن شد!!!

[hd5870 9455]

 

 

شرکت توشیبا تولید تراشه های 4 بیتی MLC ملقب به QLC (Quadruple Level Cell) یا حالت چهارگانه سطح را آغاز کرد. تراشه هایی که درحالت عمود و به صورت انباشه به تولید خواهند رسید .این تراشه ها در حالت 4 بیتی در هر سلول و به صورت چهار گانه در هر سطح (QLC) و با توان بزرگتر 768GB در مقایسه با نسل سوم 3 بیتی در هر سلول درتوان 512GB ، فناوری (TLC) تولید خواهند شد.همچنین این فناوری ،تولید یک پشته 16 تایی با ظرفیت 1.5 ترابایت را در یک پکیج ممکن ساخته است، که بزرگترین ظرفیت در این صنعت تا به اکنون است . تراشه جدید QLC BiCS FLASH شرکت توشیبا، با ساختار 64 لایه سلولی توانسته است بزرگترین ظرفیت(768Gb/96GB) را در دنیا بدست آورد.تراشه های QLC میتوانند با استفاده از یک پشته 16 تایی، یک حافظه فلش یکپارچه با ظرفیت 1.5 ترابایت را فراهم کنند.این مقیاس در مقایسه با نسل قبلی توشیبا که تراشه ای با 16 پشته در یک پکیج واحد ،میتوانست تا ظرفیت 1 ترابایت را پشتیبانی کند، بسیار بیشتر است.تکنولوژی QLC، چالشهای زیادی را بر سر راه توشیبا برای تولید این تراشه ها گذاشته است .افزایش تعداد بیت ها در هر سلول با توجه به شمار الکترون ها، به مانند تکنولوژی TLC نیاز به دقت دو برابری دارد .توشیبا با طراحی یک مدار پیشرفته و بدست آوردن تکنولوژی فرآیند ساخت حافظه فلش 3D ،بر این چالش ها پیروز و اولین تراشه حافظه QLC 3D جهان را ساخته است .توشیبا اعلام کرد که تولید تراشه های 96 لایه BiCS FLASH 3D نسل چهارم را جهت استفاده در مصارف صنعتی ،در دستور کار دارد .این تراشه های جدید 96 لایه در ظرفیت 256 gigabit یا همان (32 gigabyte) با توجه به تولید تراشه های TLC برای نیمه دوم سال 2017 برنامه ریزی شده اند و از سال 2018 تولید انبوه آنها آغاز خواهد شد.

 

 

 

نمونه های 96 لایه 256 گیگابیتی یا 32 گیگابایتی ، در نیمه دوم 2017 مورد آزمایش قرار میگیرند و تولید انبوه این محصولات از سال 2018 آغاز خواهد شد .این محصولات با توجه به نیازهای بازار مصرفی و با توجه به برنامه ها و عملکرد آنها میباشد .این موارد شامل مصارف سازمانی ، مصرف کنندگان عادی SSD ها ، گوشی های هوشمند ،تبلت ها و حافظه های SD خواهند شد.توشیبا در آینده نزدیک، تولید تراشه های 96 لایه جدید خود را در محصولات جدیدتر و با مقیاس بزرگتر 512 گیگابیت یا 64 گیگابایت با تکنولوژی (quadruple-level cell, QLC) 4 بیتی آغاز خواهد کرد . فرآیند انبساط این تراشه های 96 لایه ، با استفاده ازترکیب تکنولوژیهای پیشرفته تولید ،باعث افزایش 40 درصدی در حجم تراشه هایی با بیش از 64 لایه شده است.تمامی اینها باعث شده هزینه تولید به ازای هر بیت کاهش یابد و در عوض قابلیت تولید ظرفیت حافظه به ازای هر ویفر سیلیکون را افزایش یافته است . تکنولوژی تراشه های 3D فلش، برای اولین بار  در سال 2007 توسط توشیبا معرفی گردید واز آن زمان تاکنون توشیبا این روند را ادامه و توسعه داده است این فعالیتهاجهت پاسخگویی به تولید تراشه های BiCS FLASH در ظرفیتها بزرگتر شده است .

تولید تراشه های 96 لایه BiCS FLASH در تاریخ های 2 ، 5 ، و یا 6 فوریه تابستان 2018 به صورت رسمی روانه بازار خواهند شد.

 

منبع : Guru3d

مترجم : محمد فتحی

ویرایش شده ژوئن 30, 2017 توسط hd5870