عصر جدیدی از حافظه های پر سرعت

[mfirouzi1989 2383]

شرکت IBM با انتشار خبری اعلام کرد که در حوزه حافظه‌های رایانه‌ای موفق به کشف جدیدی شده است که می‌تواند به تولید نسل جدید حافظه‌های کامپیوتری بینجامد و سرعت حافظه‌های فلش را تا 100 برابر بیشتر کند.

هیتنا: این حافظه با فناوری به نام Phase Change ساخته شده و به طور خلاصه PCM نامیده می شود. نسبت به حافظه های قبلی، این حافظه از سرعت و عمر بسیار طولانی تری برخوردار است و همچنین حافظه جدید قدرت ۱۰ میلیون بار خواندن و نوشتن اطلاعات را به شما می دهد. ‏‏ بالاتر از اینها قدرت ذخیره سازی است. حافظه های فلش فعلی در هر سلول خودشان یک بیت از اطلاعات را نگهداری می کنند. اما حافظه PCM می تواند ۴ بیت از اطلاعات را در هر سلول نگهداری کند.

به گزارش گروه فناوری اطلاعات هیتنا، به طور معمول، حافظه های فلش پس از چند هزار بار چرخه ی نوشتن، غیر قابل اعتماد می شود.

سازمان ها و مصرف کنندگانی که سیستم محاسبات ابری را پذیرفته اند رو به افزایش می باشند. و بدین وسیله مقدار زیادی از اطلاعات در ابر ذخیره و پردازش می شوند . بنابراین فناوری ذخیره سازی ای که قدرتمند و مقرون به صرفه باشد مورد است.

تکنولوژی PCM دارای یک آلیاژ مخصوصی است که با کمک الکتریسیته می تواند وضعیت فیزیکی یا فازی آن را تغییر دهد. تکنولوژی های حافظه های دیگر طوری است که پس از مدتی اثر خود را از دست می دهند، اما راهکار IBM در ساختPCM به نظر می رسد که با دوامتر باشد. حافظه های فلش فعلی در هر سلول خودشان یک بیت از اطلاعات را نگهداری می کنند. اما حافظه PCM می تواند ۴ بیت از اطلاعات را در هر سلول نگهداری کند. که این ویژگی به طور کلی آن را از تکنولوژی های قبلی متمایز می سازد.

این تکنولوژی هنوز به مرحله ی تجاری نرسیده و IBM هم هنوز زمان تجاری سازی آن را به طور دقیق مشخص نکرده است.

منبع:technewsdaily