سامسونگ تولید تراشه های 512GB UFS برای دستگاه های قابل حمل را آغاز کرد

[hd5870 9455]

 

 

سامسونگ از سازندگان مطرح تراشه های حافظه در سطح جهانی ، امروز اعلام کرد که تولید انبوه اولین تراشه های 512 گیگابایتی (eUFS) مخصوص استفاده در دستگاه های قابل حمل نسل بعدی را آغاز کرده است.سامسونگ در ساخت این تراشه ها از حافظه های 64 لایه 512 گیگابیتی V-NAND  بهره گرفته که موجب شده یک ظرفیت ذخیره سازی عالی  به همراه عملکرد بی نظیر برای دستگاه های قابل حمل هوشمند و تبلت ها ، فراهم شود.حافظه های 512 گیگابایتی eUFS  سامسونگ ، بهترین راه حل ذخیره سازی برای گوشی های هوشمند نسل بعدی هستند که با برطرف شدن محدودیت های احتمالی در عملکردسیستم ها ، میتوانند در قالب کارت های SD به بازار عرضه شوند.

در این تراشه ها ، سامسونگ توانسته با ترکیب هشت تراشه حافظه 64 لایه 512 گیگابیتی V-NAND  به  همراه یک تراشه کنترلر به این ظرفیت عظیم دست پیدا کند. حجم حافظه های جدید 512 گیگابایتی UFS نسبت به نسل قبلی تراشه های 48 لایه 256 گیگابیتی بر اساس تراشه های V-NAND ، تقریبا به دوبرابر رسیده است البته همین مقدار 256 گیگابایتی نیز همگی در یک پکیج قرار میگیرند که با استفاده از eUFS ، یک تجربه ذخیره سازی بسیار گسترده تر را برای دستگاه های قابل حمل فراهم خواهد کرد.به طور مثال یک گوشی رده بالا با استفاده از eUFS قادر خواهد بود ، تا تعداد 130 کلیپ با وضوح 4K و با مدت زمان 10 دقیقه را بر روی خود ضبط کند، این مقدار تقریبا حدود 10 برابر یک حافظه 64GB eUFS خواهد بود که تنها اجازه ذخیره سازی 13 کلیب ویدئویی با همان وضوح تصویر را خواهد داشت.

سامسونگ  جهت به حداکثر رساندن کارایی و بهره وری انرژی  به دنبال حافظه های 512GB eUFS انبوهی از فناوری ها را نیزمعرفی کرده است. تراشه های به کار رفته در این حافظه ها از نوع 64 لایه V-NAND هستند، که با استفاده از کنترلر های جدید قادر به مدیریت انرژی هستند. این مدیریت مصرفی در مقایسه با تراشه های 256 گیگی eUFS کاملا قابل احساس هستند. این در حالیست که تراشه های eUFS 512  دارای مقدار دو برابری سلول ها نسبت به تراشه های 256GB eUFS هستند. اکنون در تراشه های جدید نقشه برداری از آدرس بلوک های منطقی برای تبدیل شدن به بلوک های فیزیکی با سرعت بیشتر انجام می پذیرد.

حافظه های 512GB eUFS سامسونگ اکنون از سرعت بسیار بالاتری در هنگام خواندن و نوشتن برخوردارند به طوری که  سرعت خواندن و نوشتن در آنها اکنون به حدود 860  و 255 مگابایت بر ثانیه میرسد.در این حالت شما میتوانید یک ویدئو کلیپ فول اچ دی با حجم پنچ گیگابایت را ظرف مدت تنها 6 ثانیه از روی SSD خود بر روی آن کپی کنید.این زمان تقریبا 8 برابر سریعتر از حافظه های microSD معمولی است.در عملیات خواند و نوشتن تصادفی هم حافظه های جدید eUFS عالی عمل میکنند. به طوری که میتوانند تا 42,000 IOPS  بخوانند و با 40,000 IOPS هم بنویسند. این مقدار تقریبا 400 برابر امتیاز 100IOPS برای یک حافظه microSD  معمولی است.

با توجه به افزایش بالای حجم ذخیره سازی و افزایش تقاضا برای ذخیره سازی های دستگاه های قابل حمل ، سامسونگ قصد دارد تولید حافظه های 64 لایه 512 گیگابایتی  با تراشه های V-NAND را افزایش دهد و کارت های حافظه قابل حمل با عملکرد و ظرفیت های بالا را برای آنها تامین کند.

 

منبع : Techpowerup

مترجم : محمد فتحی