پروسه 10 نانومتری اینتل تا 2.7 برابر تراکم بیشتردر ترانزیستورها نسبت به نود 14 نانومتر به همراه دارد!

[hd5870 9455]

 

 

بر اساس یک گزارش فنی ازموسسه Tech Insights  ، مهاجرت اینتل به فناوری 10 نانومتری  FinFET نسبت به رقیبش ، به کندی در حال انجام است.با این حال اگر این پروسه به سرانجام برسد ، میتواند از خود شگفتی به نمایش بگذارد.در همین راستا محققان موسسه Tech Insights ، با باز کردن یک لپ تاپ Lenovo Ideapad330 مجهز به پردازنده 10 نانومتریCore i3-8121U متعلق به خانواده Cannon Lake و قرار دادن این پردازنده در زیر میکروسکوپ الکترونی ، به نتایج حیرت آوری دست پیدا کردند.

 

 

نتیجه این آزمایش ، جزئیات جالب توجهی از فرآیند ساخت 10 نانومتر را نشان داد.یکی از موارد جالب توجه افزایش تراکم 2.7 برابری ترانزیستورها نسبت به گره فعلی 14 نانومتری است.این نشان دهنده اینست که اینتل توانسته است در هر میلیمتر مربع مقدار خیره کننده 100.8 میلیون ترانزیستور را جاسازی کند و تنها در مساحتی برابر با 127 میلیمتر مربع ، مقدار حیرت آور 12.8 میلیارد ترانزیستور را بگنجاند.در این بین مشخص شد گره 10 نانومتری اینتل از نسل سوم فناوری FinFET  بهره میبرد.کمپانی اینتل بارها نشان داده که در دست یابی به فناوریهای پیشرفته نسبت به رقیب خود بهتر عمل کرده است.این شرکت اکنون توانسته فلز Cobalt را به جای تنگستن و مس به عنوان یک ماده رسانا در فناوری جدید خود مورد استفاده قرار دهد.این فلز دارای مقاومت کمتر و ابعاد بسیار کوچکتر نسبت به نمونه های قبلی خواهد بود.

 

منبع : Techpowerup

مترجم : محمد فتحی