سامسونگ:اولین SSD های رده مصرفی با فناوری 4بیتی QLC تا پایان امسال در دسترس خواهند بود!

[hd5870 9446]

 

 

کمپانی Samsung امروز اعلام کرد که تولید اولین درایوهای SSD 2.5 اینچی خودبر مبنای اینترفیس SATA 3.0 در رده مصرف کننده راآغاز کرده است.این درایوه اولین SSD های رده مصرف کننده خواهند بود که بر اساس فناوری حافظه های فلش QLC V-NAND ساخته شده اند که میتوانند 4 بیت داده را در هر سلول ذخیره کنند.راه اندازی اولین گروه از این محصولات برای نیمه دوم سال 2018 برنامه ریزی شده است.سامسونگ با استفاده از یک تراشه واحد یک ترابایتی و 4 بیتی حافظه های V-NAND خواهد توانست تا یک کارت حافظه با ظرفیت حداقل 128 گیگابایت را برای گوشی های هوشمند طراحی و تولید کند.این موضوع باعث افزایش ظرفیت و کارایی حافظه های ذخیره سازی برای گوشی های موبایل خواهد شد.با این حال به دلیل استفاده از کنترلر های قدیمی به کار رفته در SSD های 3 بیتی ، میزان عملکرد یک درایو 4 ترابایتی چهار بیتی با حافظه هایQLC و با رابط ساتا 3.0 ، در سطح درایوهای قدیمی تر 3 بیتی باقی مانده است.البته با روی کار آمدن فناوری هایی نظیر TurboWrite برای این درایوها ، میزان عملکرد تا حدود بهبود خواهد یافت.اولین درایو بر مبنای فناوری 4 بیتی QLC اکنون میتواند به صورت پیوسته با سرعت 540 مگابایت بر ثانیه بخواند و با سرعت پیوسته 520 مگابایت بر ثانیه نیز بنویسد.سامسونگ قصد دارد تا اوآخر سال جاری ، اولین SSD های رده مصرف کننده در فاکتور 2.5 اینچی با ظرفیت های 1 ترا ، دو ترا و 4 ترابایت را ، به صورت گسترده به بازار عرضه کند.

 

 

انتظار میرود سامسونگ ، تولید انبوه نمونه های M.2 NVMe SSD را با استفاده ازنسل پنجم حافظه های 4 بیتی V-NAND  تا پایان امسال نیز آغاز کند.تولید روز افزون و گسترده این درایوها میتواند در رفع نیاز بسیاری از سازمان ها مانند دیتا سنترها و سرورها مفید واقع شود.

 

منبع : Guru3d

مترجم : محمد فتحی