SK Hynix به زودی اولین تراشه های 512 گیگابیتی 96 لایه 4D NAND را روانه بازار میکند

[hd5870 9455]

 

 

شرکت SK Hynix امروز اعلام کرد که به زودی اولین تراشه های 96 لایه 512 گیگابیتی Charge Trap Flash با به اختصار CTF بر اساس حافظه های 4D NAND را روانه بازار میکند.گفته میشود که این تراشه ها هنوز هم از فناوری 3D TLC بهره خواهند برد، اما SK Hynix بعد چهارمی به نام فناوری charge trap flash را به تکنولوژی قدیمتر خود اضافه کرده است.طبق گفته های SK Hynix رویکرد جدیدبهتر از رویکرد 3D Floating Gate عمل خواهد کرد.طراحی تراشه های 4D NAND اکنون این امکان را فراهم کرده که اندازه تراشه ها به میزان 30 درصد کاهش پیدا کند و بهره وری انرژی را در مقایسه با نمونه های 72 لایه 512 گیگابیتی 3D NAND تا 49 درصد در هر ویفر افزایش دهد.افزون بر اینها محصولات جدید بر پایه این فناوری میتوانند تا 30 درصد سرعت خواندن و 25 درصد سرعت نوشتن بالاتری را فراهم کنند.همچنین پهنای باند قابل دسترسی اکنون به دوبرابر افزایش یافته و سرعت انتقال اطلاعات ورودی و خروجی I/O نیز به 1200 مگابیت رسیده در حالی که ولتاژ کاری بر روی 1.2 ولت تثبیت شده است.

 

 

طبق گزارشات Sk Hynix اولین SSD های مصرفی مبتنی بر این فناوری به همراه کنترلر و فریمور اختصاصی این شرکت تا حداکثر ظرفیت 1 ترابایت  در کنار نمونه های سازمانی ، در نیمه اول سال 2019 روانه بازار میشوند، این در حالیست که قرار است این شرکت اولین تراشه های 96 لایه یک ترابیتی TLC و QLC را در اوایل سال 2019 معرفی کند.

 

 

منبع : Techpowerup

مترجم : محمد فتحی