کمپانی SK Hynix حافظه های HBM2 را به کاتالوگ هایش اضافه کرد: پشته های 4 گیگابایتی از ربع سوم امسال در دسترس خواهند بود

[Trickster 5691]

کمپانی کره ای SK Hynix ابتدای همین ماه در سکوت نسل دوم حافظه های پشته ای HBM را به کاتالوگ های محصولات عمومی اش اضافه کرد که می تواند به معنی آغاز قریب الوقوع تولید انبوه این محصولات باشد. این کمپانی در ابتدا دو نوع از ماژول های حافظه جدید را با حجم یکسان اما با نرخ انتقال اطلاعات متفاوت برای کارت گرافیک ها، شتاب دهنده های محاسبات حرفه ای و دیگر کاربردها ارائه می کند و به مرور زمان استفاده از خانواده حافظه های HBM2 فراگیرتر خواهد شد.

 

 

SK Hynix قصد دارد در وهله اول پشته های چهار لایه ای (منظور از پشته یکی از حافظه‌ های چندلایه است که به آن KGSD یا Known Good Stack Die نیز گفته می‌شود) با حجم 4 گیگابایت HBM2 را بر روی دستگاه هایی با 8 گیگابیت DRAM به مشتریان خود عرضه کند. این حافظه ها دارای باس 1024 بیتی و همچنین نرخ تبادل اطلاعات 1.6GT/s (در مدل H5VR32ESM4H-12C) و 2.0GT/s (در مدل H5VR32ESM4H-20C) با حداکثر پهنای باند 204GB/s و 256GB/s در هر پشته خواهند بود. در ابتدای همین سال یکی از سخنگوهای SK Hynix در طی مصاحبه ای درباره برنامه های این کمپانی برای تولید انبوه پشته های 4 گیگابایتی HBM2 در ربع سوم سال خبر داده بود که اضافه شدن لیست این دستگاه ها به کاتالوگ های محصولات SK Hynix این اطلاعات را تایید می کنند. البته این نکته را نیز در نظر بگیرید که معمولاً کمپانی های ساخت حافظه های الکترونیکی هنگامی تولید انبوه محصولاتشان را اعلان می کنند که آماده تحویل اولین محموله های DRAM به مشتریانشان باشند بنابرابن این احتمال وجود دارد که SK Hynix از هم اکنون در حال تولید پشته های HBM2 باشد.

 

 

حافظه های HBM2 این قابلیت را دارند که 2، 4 و یا 8 دستگاه DRAM (پشته های 2Hi, 4Hi, 8Hi تایی) را بر روی هر تراشه KGSD به صورت داخلی و از طریق ساختار درون سیلیکونی (TSV) به یکدیگر متصل سازند. هر DRAM دارای دو کانال 128 بیتی می باشد که با بهره گیری از واسط DDR با معماری سطح دوم می تواند در فرکانس یا حتی حالت منحصر بفرد خود فعالیت کند. کمپانی SK Hynix برای تولید حافظه های HBM2 از روند ساخت 21 نانومتری استفاده خواهد کرد و در نهایت نیز قصد دارد پشته های 2 و 8 گیگابایتی را برای کاربردهای مختلف عرضه کند. تمام حافظه های HBM2 تولیدی این کمپانی دارای ولتاژ ورودی و خروجی 1.2 ولت و ابعاد 7.75x11.87 میلی متر (91.99 میلیمتر مربع) خواهند بود.

 

کمپانی سامسونگ در ابتدای امسال تولید انبوه پشته های 4 گیگابایتی HBM2 را با نرخ تبادل اطلاعات 2GT/s آغاز کرده بود که کمپانی nVIDIA نیز در پردازشگرهای گرافیکی GP100 از آن استفاده خواهد کرد. اولین کارت با برند nVIDIA که از حافظه های HBM2 برای آن استفاده خواهد شد کارت TESLA P100 برای محاسبات پیشرفته با 16 گیگابایت حافظه HBM2 و پهنای باند 720GB/s خواهد بود.

 

 

سال گذشته کمپانی SK Hynix عنوان کرده بود که در حال همکاری با 10 کمپانی دیگر بر روی پروژه های مختلف (مانند مدارهای مجتمع با کاربرد خاص یا به اختصار ASIC، پردازنده های x86، استاندارهای کاربرد خاص هر محصول یا ASSP و آرایه دریچه‌ای برنامه‌ پذیر میدانی یا FPGA) برای استفاده از حافظه های HBM می باشد که نشان از علاقه مندی زیاد برای بهره گیری از DRAMهای با پهنای باند بالا و چند لایه ای دارد. با این حال تا کنون تنها این AMD و nVIDIA بوده اند که واقعاً محصولاتی را بر پایه HBM و HBM2 معرفی کرده اند.

 

با به میان آمدن نام HBM باید خاطر نشان کنیم که SK Hynix این پشته ها را از فهرست کاتالوگ خود حذف کرده است اما اطلاعاتی از اینکه این کمپانی همچنان به تأمین این نوع حافظه ها برای شرکای خود ادامه می دهد یا خیر، در دست نیست اما با توجه به اینکه در حال حاضر محصولات زیادی از HBM1 استفاده نمی کنند احتمالاً تأمین این مقدار اندک نباید مسئله مهمی باشد. حال که حافظه های HBM2 در پیش رو هستند، عملاً می توان حدس زد در آینده شاهد محصولات زیادی با حافظه های HBM1 نخواهیم بود.

Source: AnandTech

ویرایش شده سپتامبر 6, 2016 توسط Trickster

[ATER 3138]

GP100 میشه چه گرافیکی؟

[Trickster 5691]

GP100 میشه چه گرافیکی؟

TESLA P100